|
【論 文】
11.“MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体計算解析”
平子晃 市川晶也 中村健一 大川和宏
信学技報 108巻 321号, pp.89-92 (2008).
10.“Photoelectrochemical Reaction and H2 Generation at Zero Bias Optimized by Carrier Concentration of n-Type GaN”
M. Ono, K. Fujii, T. Ito, Y. Iwaki, A. Hirako, K. Ohkawa
Journal of Chemical Physics 126, 054708 (2007).
9.“Band-edge Energies and Photoelectrochemical Properties of n-Type AlxGa1-xN
and InyGa1-yN alloys”
K. Fujii, M. Ono, T. Ito, Y. Iwaki, A. Hirako, K. Ohkawa
Journal of the Electrochemical Society 154 (2) B175-B179 (2007).
8.“Analysis of TMGa/NH3/H2 reaction system in GaN-MOVPE growth by computational
simulation”
A. Hirako, S. Koiso, K. Ohkawa
physica status solidi (a) 203, 1716-1719 (2006).
7.“Formation of polymers in TMGa/NH3/H2 system under GaN growth”
A. Hirako, K. Ohkawa
Journal of Crystal Growth 289, 428-432 (2006).
6.“Effect of thermal radiation and absorption in GaN-MOVPE growth modeling
on temperature distribution and chemical state”
A. Hirako, K. Ohkawa
Journal of Crystal Growth 276, 57-63 (2005).
5.“Modeling of reaction pathways of GaN growth by metalorganic vapor-phase
epitaxy using TMGa/NH3H2 system:a
computational fluid dynamics simulation study”
A. Hirako, K. Kusakabe, K. Ohkawa
Japanese Journal of Applied Physics 44, 874-879 (2005).
4.“Computational Fluid Dynamics on Gaseous and Surface Chemistry of GaN-MOVPE
System for Various Pressures”
K. Kusakabe, A. Hirako, S. Tanaka, K. Ohkawa
physica status solidi (c) 1, 2569-2572 (2004).
3.“Decomposition and uniformity of material gases in GaN MOVPE”
A. Hirako, K. Ohkawa
physica status solidi A 194, 489-493 (2002).
2.“GaN-MOVPE growth and its microscopic chemistry of gaseous phase by computational
thermodynamic analysis”
A. Hirako, M. Yoshitani, M. Nishibayashi, Y. Nishikawa, K. Ohkawa
Journal of Crystal Growth 237/239, 931-935 (2002).
1.“GaN-MOVPE growth and its microscopic chemistry of gaseous phase by computationalGrowth
of GaN layers by one-, two-,
and three-flow metalorganic vapor phase epitaxy”
K. Ohkawa, A. Hirako, M. Yoshitani
physica status solidi A 188, 621-624 (2001).
【Proceedings】
2.“窒化物半導体MOVPE成長の熱化学流体シミュレーション”
大川和宏 平子晃
ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会/結晶成長の科学と技術第161委員会 合同研究会資料,
pp. 19-24 (2009).
1.“GaN-MOVPE成長における化学反応経路の熱流体計算解析 －TMGa/NH3/H2系での化学反応について－”
平子晃 小磯沙織 草部一秀 大川和宏
信学技報 105巻 90号, pp.85-89 (2005).
【学会発表】
37. 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会/結晶成長の科学と技術第161委員会
合同研究会, 2009年3月13-14日, 鳥羽シーサイドホテル
“窒化物半導体MOVPE成長の熱化学流体シミュレーション”
理科大 大川和宏、平子晃
36. 2008年電子情報通信学会ED/CPM/LQE研究会, 2008年11月27-28日, 名古屋工業大, (20).
“MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体計算解析”
理科大 平子晃、市川晶也、中村健一、大川和宏
35. 2008年秋季応用物理学会 4a-CA-3
“AlGaN-MOVPE成長における原料損失経路の計算解析”
理科大 一戸文貴、市川晶也、中村健一、平子晃、大川和宏
34. 2008年秋季応用物理学会 3a-CG-9
“InGaN光触媒における量子効率の測定”
理科大 山口一樹、小山貴裕、佐野双美、丹羽準也、平子晃、大川和宏
33. 2006年春季電気化学会 3I22
“AlxGa1-xNのバンド端電位と光電気化学特性”
理科大・ERATO 藤井克司、平子晃、小野雅人、伊藤高志、岩城安浩、大川和宏
32. 2006年春季応用物理学会 25a-ZE-2
“n型GaNを用いた光電気化学反応によるゼロバイアスでの水素発生”
理科大・ERATO 小野雅人、伊藤高志、岩城安浩、平子晃、藤井克司、大川和宏
31. 2005年秋季応用物理学会 7a-N-1
“熱流体解析を用いた窒化物MOVPE装置の設計検討（Ⅲ）”
理科大・ERATO 徳田耕太、小磯沙織、平子晃、大川和宏
30. 2005年秋季応用物理学会 7a-N-2
“AlGaN-MOVPE成長における気相反応系の構築（Ⅱ）”
理科大・ERATO 内田武志、平子晃、大川和宏
29. The 6th International Conference on Nitride Semiconductors, Aug.28-Sep.2,
2005, Bremen, Germany, Tu-P-059.
“Analysis of TMGa/NH3/H2 reaction system in GaN-MOVPE growth by computational
simulation”
Tokyo Univ. Science・ERATO A. Hirako, S. Koiso, K. Ohkawa
28. 2005年電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、シリコン材料・デバイス研究会, 2005年5月26-27日, 三重大, 27-17.
“GaN-MOVPE成長における化学反応経路の熱流体計算解析－TMGa/NH3/H2系での化学反応について－”
理科大・ERATO 平子晃 小磯沙織 草部一秀 大川和宏
27. 2005年春季応用物理学会 30a-L-23
“GaN-MOVPE成長におけるTMGa/NH3/H2化学反応系の計算解析”
理科大・ERATO 平子晃 草部一秀 大川和宏
26. 2005年春季応用物理学会 30a-L-24
“熱流体解析を用いた窒化物ＭＯＶＰＥ装置の設計検討(Ⅱ)”
理科大・ERATO 徳田耕太 平子晃 大川和宏
25. 2005年春季応用物理学会 30a-L-25
“各化学反応経路がGaNのMOVPE成長に与える影響”
理科大・ERATO 小磯沙織 平子晃 大川和宏
24. 2005年春季応用物理学会 30a-L-26
“AlGaN-MOVPE成長における気相反応系の構築”
理科大・ERATO 内田武志 平子晃 大川和宏
23. 2005年春季応用物理学会 30a-L-35
“MOVPE成長によるa面(1120)GaN薄膜の表面形状”
理科大・ERATO 草部一秀 原友昭 岡本國美 平子晃 大川和
22. 2004年秋季応用物理学会 1a-T-7
“GaN-MOVPE装置における基板温度面内分布の実測と計算解析”
理科大・ERATO 山村奈央 平子晃 草部一秀 大川和宏
21. 2004年秋季応用物理学会 1a-T-6
“MOVPE反応炉におけるGaN成長の化学反応経路”
理科大・ERATO 平子晃 草部一秀 大川和宏
20. 2004年秋季応用物理学会 1a-T-8
“熱化学流体解析を用いた窒化物MOVPE装置の設計検討”
理科大・ERATO 徳田耕太 平子晃 大川和宏
19. 2004年秋季応用物理学会 1a-T-9
“GaN-MOVPE成長における気相・表面反応の圧力依存性”
理科大・ERATO 草部一秀 平子晃 田中澄斗 徳田耕太 大川和宏
18. 2004年秋季応用物理学会 1a-T-3
“MOVPE法によるInGaN well/AlInGaN barrier 多重量子井戸の成長”
理科大・ERATO 原友昭 草部一秀 岡本國美 平子晃 大川和宏
17. 2004年秋季応用物理学会 1a-T-2
“無極性A面InGaN MQWsのMOVPE成長”
理科大・ERATO 草部一秀 原友昭 岡本國美 平子晃 大川和宏
16. 2003年秋季応用物理学会 31a-G-2
“選択ドープInGaN/GaN QW構造における熱アニール効果”
理科大・ERATO 原友昭 草部一秀 平子晃 大川和宏
15. 2003年秋季応用物理学会 1p-G-7
“熱流体計算によるGaN-MOVPE化学反応過程の検討”
理科大・ERATO 田中澄斗 平子晃 草部一秀 大川和宏
14. The 5 th International Conference on Nitride Semiconductors，May 25-28,
2003, Nara, Japan
“横型MOVPE反応炉におけるGaN成長の計算流体解析”
理科大・ERATO 田中澄斗 平子晃 山村奈央 大川和宏
13. The 5 th International Conference on Nitride Semiconductors，May 25-28,
2003, Nara, Japan
“気相中におけるアダクト形成がGaN膜質へ与える影響”
理科大・ERATO 平子晃 山村奈央 大川和宏
12. 2003年春季応用物理学会 28p-T-1
“気相中におけるアダクト形成がGaN膜質へ与える影響”
理科大・ERATO 平子晃 山村奈央 大川和宏
11. 2003年春季応用物理学会 28p-T-2
“横型MOVPE反応炉におけるGaN成長の計算流体解析”
理科大・ERATO 田中澄斗 平子晃 山村奈央 大川和宏
10. 2002年秋季応用物理学会 25a-YH-7
“MOVPE法により結晶成長したGaNにおける励起子構造の電子移動度依存性”
理科大・ERATO 阪市大工 市田秀樹 平子晃 草部一秀 中山正昭 大川和宏
9. 2002年秋季応用物理学会 25p-YH-4
“MOVPE-GaN薄膜の特性と計算された気相の化学状態との比較解析”
理科大・ERATO・東大工 平子晃 山村奈央 田中澄斗 大川和宏 五神真
8. 2002年秋季応用物理学会 25p-YH-5
“ツーフロー型MOVPE法におけるGaN成長の計算流体解析”
理科大・ERATO・東大工 田中澄斗 平子晃 大川和宏 五神真
7. 2002年秋季応用物理学会 25p-YB-9
“溶融石英の高温領域における赤外吸収”
理科大・ERATO・東大工 田中澄斗 平子晃 草部一秀 大川和宏 五神真
6. International Workshop on Nitride Semiconductors, July 22-25, 2002,
Aachen, Germany
“Decomposition and unoformity of material gases in GaN MOVPE by comparison
between experiment and simulation”
Tokyo Univ. Science・ERATO A. Hirako, K. Ohkawa
5. 2002年春季応用物理学会 27a-ZM-3
“熱放射・吸収を考慮したTMG及びNH3の化学反応に関する計算流体解析”
理科大・ERATO 平子晃 田中澄斗 大川和宏
4. 2002年春季応用物理学会 27a-ZM-17
“MOVPE法によりサファイア基板に直接成長した高品質GaNの評価”
理科大・ERATO 草部一秀 平子晃 藤井朋久 酒井隆照 大川和宏
3. The 13th International Conference on Crystal Growth, July 30-August
4, 2001, Kyoto, Japan, 04p-SB2-02
“GaN-MOVPE growth and its microscopic gas-phase chemistry by computational
thermodynamic analysis”
Tokyo Univ Science・ERATO・Toshiba A. Hirako, M. Yoshitani, M. Nishibayashi, Y. Nishikawa, K. Ohkawa
2. The 4th International Conference on Nitride Semiconductors, July 16-20,
2001, Denver, USA, A-4.5
“Growth of GaN layers by one-, two- and three-flow MOVPE”
Tokyo Univ. Science・ERATO K. Ohkawa, M. Yoshitani, A. Hirako
1. 2001年春季応用物理学会 29p-M-5
“MOVPE成長と計算熱流体解析の比較によるGaN成長条件の検討”
理科大・ERATO・東芝 平子晃 吉谷昌慶 西林聖周 西川幸江 大川和宏
|
