1998年4月にスタートした研究室です。

今や電球や蛍光灯のようなガラス管の時代から半導体を光らせる固体発光素子の時代へと移りつつあります。電球や蛍光灯が博物館の展示品になる日も遠くないと思います。

窒化ガリウム(GaN)系半導体は、青色LEDから始まり、現在では紫色レーザ用材料として注目されています。地球環境にもやさしい材料です。我々は新たな応用を探索しています。まず我々はGaN系半導体の成長解析と新しい物性の発現と制御を研究しています。新機能を付加し、高性能な光デバイスを作ろうとしています。毒物を含まない安全な材料や手段を重視し、安全と環境を考えた研究室です。

有機金属気相エピタキシー(MOVPE)装置で、GaN系半導体薄膜を作製しています。MOVPEシステムは当HPの写真(99.1.26, 99.11.17)に写っています。かなり高性能な装置です。しかも将来の改造や拡張も準備されています。一般に、高品質なGaN半導体の作製は容易でなく、その理由も定かでありません。我々は、成長過程を化学反応も考慮した熱化学流体シミュレーションで解析し、成長最適化とその化学状態の解明に挑んでいます。

物性研究は、光物性と電気物性が中心です。光物性は、半導体を10K〜300Kに冷却し、紫外0.3 mmから赤外30 mmまでの範囲を調べます。不純物や結晶欠陥についての情報が得られます。半導体を77K〜333Kの温度に変化させたHall測定で、電気物性を調べます。不純物濃度等の決定が可能です。共同研究で、GaN系半導体の物性解明と応用に取り組んでいます。

応用を目指してデバイスプロセスルームを構築しました。発光ダイオード（LED）や半導体レーザ、そしてHEMTなどの光・電子デバイスが作製可能です。最近では、窒化物光触媒による、水からの水素発生に挑んでいます。

物性制御を中心に、材料結晶の成長とデバイスへの応用を展開しています。

一緒に固体発光素子の時代を築きましょう！


　　〈主な研究テーマ〉
　 　　* 窒化物半導体のＭＯＶＰＥ成長過程の解明
　 　　* 窒化物半導体用の超大型ＭＯＶＰＥ装置の開発
　 　　* ギネス級大型ＬＥＤ開発のための電流拡散技術の開発
　 　　* 超高輝度光デバイスの量子効率改善へのチャレンジ
　 　　* ナノ構造による窒化物光触媒の高効率化
　　 　* 窒化物光触媒によるシステム構築