【論　文】

1.“MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体計算解析”
    平子晃　市川晶也　中村健一　大川和宏
    信学技報 108巻 321号, pp.89-92 (2008).


国際会議

2.Kenichi Nakamura,Akira Hirako,Kazuhiro Hirako,Kazuhiro Ohkawa
　“Analysis of Pulsed Injection of Precursors in AIN-MOVPE Growth by Computational Fluid Simulation”
　The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
　ICC Jeju,Korea. 2009.10.19

1.Akira Hirako,Naoyuki Taniguchi,Kenichi Nakamura,Kazuhiro Ohkawa
　“Computational Study of Growth Efficiency in Large Scale Reactor under GaN-MOVPE”
　The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
　ICC Jeju,Korea. 2009.10.19


国内会議

5. 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門　平成21年度第1回研究会、大阪工業大学、大阪
　“交互供給AlN-MOVPE 成長における気相種の熱化学流体解析”
　中村健一、平子晃、大川和宏

4, 2009年秋季　第70回応用物理学会、富山大学、富山
　 “大型 MOVPE 反応炉における GaN 成長効率の計算解析”
　　谷口直之、平子晃、中村健一、大川和宏

3. 2009年秋季　第70回応用物理学会、富山大学、富山
　 “交互供給 AIN-MOVPE 成長における気相分子種の計算解析”
　　中村健一、平子晃、大川和宏
　　
2. 2008年電子情報通信学会ED/CPM/LQE研究会, 2008年11月27-28日, 名古屋工業大, (20).
　　“MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体計算解析”
　　理科大　平子晃、市川晶也、中村健一、大川和宏

1. 2008年秋季応用物理学会　4a-CA-3
　　“AlGaN-MOVPE成長における原料損失経路の計算解析”
　　 理科大　一戸文貴、市川晶也、中村健一、平子晃、大川和宏