東京理科大学 先進工学部物理工学科 / 理学部応用物理学科

樋口研究室

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03-5876-1401（樋口直通）

学会発表

2025年度

  1. Ultrahigh oxide ionic conductivity at medium temperature range of Ce0.75Sm0.25O2-δ thin films prepared by RF magnetron sputtering
    Ryota Morizane, Riku Tabuchi, Daisuke Shiga, Hiroshi Kumigashira, and Tohru Higuchi
    International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT-2025), Singapole, 2025.6/30-7/3
  2. The performance of MNIST number recognition in memristor-type physical reservoir with Pt/Sc0.01Ti0.99O2-δ/Pt multilayers.
    Ko Yamaguchi, Airi Maekawa, and Tohru Higuchi　
    International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT-2025), Singapole, 2025.6/30-7/3
  3. Oxide Ion Conduction of Ce0.8Nd0.2O2-δ Electrolyte Film of Solid Oxide Fuel Cell Operating at Medium Temperature
    Yicheng Wang, Ryota Morizane, Riku Tabuchi, Daisuke Shiga, Hiroshi Kumigashira,and Tohru Higuchi
    International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT-2025), Singapole, 2025.6/30-7/3
  4. Resistive Control of VO2 Thin Film by Lithium Ions Diffusion from LiCoO2 Buffer Layer
    Taisei Yamada, Riku Kaneko, Daisuke Shiga, Hiroshi Kumigashira, and Tohru Higuchi
    International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT-2025), Singapole, 2025.6/30-7/3
  5. New Proton-conducting fuel cell (PCFC) electrolyte material Sm-doped SrCeO3-BaCeO3 thin film with high proton conductivity and chemical stability.
    Riku Tabuchi, Ryota Morizane, Daisuke Shiga, Hiroshi Kumigashira, and Tohru Higuchi
    International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT-2025), Singapole, 2025.6/30-7/3
  6. New p-Type Oxide Semiconductor in Ti0.99Sc0.01O2-δ Thin Film with Anatase Structure
    Reina Fujita, Ryota Morizane, Daisuke Shiga, Hiroshi Kumigashira, and Tohru Higuchi
    International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT-2025), Singapole, 2025.6/30-7/3
  7. 多量の酸素欠陥を持つCe0.75Sm0.25O2-δ薄膜の高い酸化物イオン伝導性
    森實 亮太、田淵 理久、野竹 剛、志賀 大亮、組頭 広志、樋口 透
    電気化学会第92回大会, 2025. 3/18, 東京農工大学　小金井キャンパス
  8. スパッタ法により作製したSr0.7Ba0.3Ce0.8Sm0.2O3-δ薄膜のプロトン伝導性
    田淵 理久、森實 亮太、野竹 剛、志賀 大亮、組頭 広志、樋口 透
    電気化学会第92回大会, 2025. 3/18, 東京農工大学　小金井キャンパス
  9. 固体電気二重層型イオンゲーティングリザバーによる神経様情報処理とカオスの縁学習（薄膜・表面物理分科会 論文賞 受賞講演）
    西岡 大貴、並木 航、髙栁 真、井村 将隆、小出 康夫、樋口 透、寺部 一弥、土屋 敬志
    第72回 応用物理学会 春季学術講演会, 2025.3/16, 東京理科大学 野田キャンパス

2024年度

  1. Resistive Control of VO2 Thin Film Using Li+ Diffusion of LiCoO2 Layer
    Riku Kaneko, Go Notake, Naohiro Kaneda, Daisuke Shiga, Hiroshi Kumigashira and Tohru Higuchi
    37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2024), Kyoto Brighton Hotel, Kyoto, Japan, 2022.11/12-14
  2. High Surface Electron-Proton Mixed Conduction at Medium Temperature of c-axis Oriented BaCe0.7Ru0.1Y0.2O3-δ Thin Film
    Naohiro Kaneda, Go Notake, Riku Kaneko, Daisuke Shiga,Hiroshi Kumigashira, and Tohru Higuchi
    37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2024), Kyoto Brighton Hotel, Kyoto, Japan, 2022.11/12-14
  3. Computational performance of Magnonic Reservoir Computing with Increased Number of Detectors
    Maki Nishimura, Wataru Namiki, Daiki Nishioka, Tohru Higuchi, Kazuya Terabe, and Takashi Tsuchiya
    7th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems (MEMRISYS 2024) , 2014.11/10-13, Seoul, Korea,
  4. Reservoir computing using graphene-based solid state electric double layer transistors
    Hina Kitano, Daiki Nishioka, Wataru Namiki, Tohru Higuchi, Kazuya Terabe and Takashi Tsuchiya
    7th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems (MEMRISYS 2024) , 2014.11/10-13, Seoul, Korea,
  5. Pulse-Voltage-Inducued Neuromorphic Function of Pt/Anatase-Ti0.99Sc0.01O2-δ/Pt Multilayer with Electron-Ion Mixed Conduction
    Airi Maekawa (Invited talk), Riku Kaneko and Tohru Higuchi
    PRiME 2024 (Electrochemical Society), October 6-11, 2024 – Honolulu, HI
  6. Surface ionic conduction of Ce0.8Gd0.2O2-d multilayer thin films with large amount of Oxygen Vacancies
    Mariko Yamada, Minami Tani, Go Notake and Tohru Higuchi
    PRiME 2024 (Electrochemical Society), October 6-11, 2024 – Honolulu, HI
  7. Surface Oxide Ion Conduction of a - Axis Oriented Ce0.75Sm0.25O2-δ Thin Film Prepared on (200) YSZ Substrate
    Ryota Morizane, Riku Tabuchi, Go Notake and Tohru Higuchi
    PRiME 2024 (Electrochemical Society), October 6-11, 2024 – Honolulu, HI
  8. Surface Proton Conductivity of Sm-doped SrCeO3-BaCeO3 Solid Solution Ceramic and Thin Film
    Riku Tabuchi, Ryota Morizane,Go Notake and Tohru Higuchi
    PRiME 2024 (Electrochemical Society), October 6-11, 2024 – Honolulu, HI
  9. High Surface Proton Conductivity of Epitaxial CeO2-δ Thin Film below Medium Temperature Range
    Go Notake, Minami Tani, Mariko Yamada, Ryota Morizane, Riku Tabuchi, and Tohru Higuchi
    PRiME 2024 (Electrochemical Society), October 6-11, 2024 – Honolulu, HI
  10. Electron-Proton Mixed Conductivity of BaCe0.70Ru0.10Y0.20O3-δ Anode Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering
    Naohiro Kaneda, Yicheng Wang, Go Notake, and Tohru Higuchi
    PRiME 2024 (Electrochemical Society), October 6-11, 2024 – Honolulu, HI
  11. スピン波干渉リザバーコンピューティングによる高精度カオス時系列予測
    日笠 壮太，並木 航, 西岡 大貴, 樋口 透, 寺部 一弥,土屋 敬志
    第85回　応用物理学会　秋季学術講演会、2024.9/16-20, 新潟
  12. Ion-gating Reservoirs Operating on Electric Double Layer and Redox Mechanisms for High Performance Physical Reservoir Computing
    Takashi Tsuchiya, Daiki Nishioka, Wataru Namiki, Kaoru Shibata, Tomoki Wada, Makoto Takayanagi, Masataka Imura, Yasuo Koide, Tohru Higuchi, Kazuya Terabe
    24th International Conference on Solid State Ionics, 2024.7/15-19, London, UK
  13. スピン波干渉を利用したリザバーコンピューティングの条件最適化
    西村 麻希，並木 航, 西岡 大貴, 土屋 敬志, 樋口 透, 寺部 一弥
    2024年第71回 応用物理学会, 東京都市大学, 2024.3.25
  14. 表面増強ラマン散乱とイオンゲーティング刺激を利用する高性能少数分子リザバーコンピューティングの実証
    西岡 大貴, 新ケ谷 義隆, 土屋 敬志, 樋口 透, 寺部 一弥
    2024年第71回 応用物理学会, 東京都市大学, 2024.3.25
  15. 磁化ベクトル制御を利用するイオンゲーティングリザバーによる血糖値データの高精度予測
    並木航，西岡大貴，土屋敬志, 樋口透, 寺部一弥
    2024年第71回 応用物理学会, 東京都市大学, 2024.3.25
  16. リチウム固体電解質とグラフェンを用いた電気二重層トランジスタによるリザバーコンピューティング
    北野 比菜，西岡 大貴，並木 航, 土屋 敬志, 樋口 透, 寺部 一弥
    電気化学会第91回大会, 名古屋大学, 2024.3.16
  17. 表面増強ラマン散乱とイオンゲーティング刺激を利用する少数分子リザバーコンピューティングの開発
    西岡 大貴, 新ケ谷 義隆, 土屋 敬志, 樋口 透, 寺部 一弥
    電気化学会第91回大会, 名古屋大学, 2024.3.16
  18. 酸素欠陥を有するSrCe0.8Sm0.2O3-δ薄膜の表面イオン伝導性
    野竹剛，門脇勇優，田淵理久，森實亮太，樋口透
    電気化学会第91回大会, 名古屋大学, 2024.3.14
  19. 固体イオン電解質薄膜の表面・界面の物理計測および固/固界面の材料設計
    樋口　透（特別講演）
    電気化学会第91回大会, 名古屋大学, 2024.3.14

2023年度

  1. High ionic conduction of oxide thin films with oxygen vacancies and lattice distortion
    Tohru Higuchi (招待講演)
    MINI WORKSHOP ON FUNCTIONAL MATERIALS SCIENCE, Hokkaidou University, 2023.12/1
  2. Anomalous ion conduction of Ba1-xSrxCe0.8Sm0.2O3-d thin film with lattice distortion
    Riku Tabuchi, Takemasa Kadowaki and Tohru Higuchi
    MINI WORKSHOP ON FUNCTIONAL MATERIALS SCIENCE, Hokkaidou University, 2023.12/1
  3. Oxide ion conduction of Ce0.75Sm0.25O2-d epitaxial thin film on YSZ (200) substrate
    Ryota Morizane, Go Notake and Tohru Higuchi
    MINI WORKSHOP ON FUNCTIONAL MATERIALS SCIENCE, Hokkaidou University, 2023.12/1
  4. Metal-insulator transition of VO2 thin film with ion conductor buffer layer
    Kou Yamaguchi, Riku Kaneko, Yang Jinghong, Kaito Yako and Tohru Higuchi
    MINI WORKSHOP ON FUNCTIONAL MATERIALS SCIENCE, Hokkaidou University, 2023.12/1
  5. High-performance neuromorphic computing, achieved with physical devices combining of ionics and spintronics
    Wataru Namiki, Daiki Nishioka, Yu Yamaguchi, Takashi Tsuchiya, Tohru Higuchi, Kazuya Terabe
    MANA International Symposium 2023, Tsukuba, 2023.11/9-10（ポスター賞受賞）
  6. 磁化ベクトル制御を用いたイオンゲーティングリザバーの実証
    並木航、土屋敬志、西岡大貴、樋口透、寺部一弥
    固体イオニクス討論会、北大、2023.11/15-17
  7. スパッタ法により作製したBaCe0.7Ru0.1Y0.2O3-δ薄膜の酸素欠陥量と電子-プロトン混合性の評価
    金田直大、野竹剛、山田庸公、樋口透
    固体イオニクス討論会、北大、2023.11/15-17
  8. 酸素不定比性を持つSrCe0.8Sm0.2O3-δ薄膜の構造と中高温域のプロトン伝導性
    門脇勇優、野竹剛、山田庸公、樋口透
    固体イオニクス討論会、北大、2023.11/15-17
  9. Neuromorphic learning and forgetting functions of Ti0.99Sc0.01O2-d/Ti0.99Nb0.01O2-d multilayer with p-n junction
    Kako Yamaguchi, Airi Maekawa, Kisara Tomiyoshi and Tohru Higuchi
    International Conference on Nano Research and Development (ICNRD-2023), Singapore, 2023.12/6-8
  10. Innovative Anode Nanomaterial with Electron-Proton Mixed Conduction for Proton Conducting Fuel Cell
    N. Kaneda and T. Higuchi (Invited)
    International Conference on Nano Research and Development (ICNRD-2023), Singapore, 2023.12/6-8
  11. High Surface Proton Conduction at Room Temperature Region of Orientation-Controlled CeO2-δ Thin Films
    M. Tani, G. Notake, T. Kadowaki, D. Shiga, H. Kumigashira, and T. Higuchi
    International Conference on Nano Research and Development (ICNRD-2023), Singapore, 2023.12/6-8
  12. Pulse-Induced Neuromorphic Function of Pt/BiFeO3/Pt multilayer devices with cross-point structure
    Kisara Tomiyoshi, Kako Yamaguchi, Kaito Yako and Tohru Higuchi
    International Conference on Nano Research and Development (ICNRD-2023), Singapore, 2023.12/6-8
  13. Control of Metal-Insulator Transition of VO2 thin films with Nb-TiO2 and LiCoO2 buffer layers
    K. Yako, K. Tomiyoshi, D. Shiga, H. Kumigashira and Tohru Higuchi
    International Conference on Nano Research and Development (ICNRD-2023), Singapore, 2023.12/6-8
  14. A Redox-Based Ion-Gating Reservoir, Utilizing (104) Oriented LiCoO2 Film and Physical Masking
    K. Shibata, D. Nishioka, W. Namiki, T. Wada, T. Tsuchiya, T. Higuchi and K. Terabe
    International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems(MEMRISYS2023), Politecnico di Torino (Italy), 2023.11/5-9
  15. Spoken digit recognition using an electric double layer-based ion-gating reservoir
    Y. Yamaguchi, D. Nishioka, W. Namiki, T. Tsuchiy, M. Imura, Y. Koide, T. Higuchi and K. Terabe
    International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems(MEMRISYS2023), Politecnico di Torino (Italy), 2023.11/5-9
  16. Deep Physical Reservoir Computing with Electric Double Layer Ion-Gating Reservoir
    T. Tsuchiya, D. Nishioka, W. Namiki, M. Imura, Y. Koide, T. Higuchi and K. Terabe
    International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems(MEMRISYS2023), Politecnico di Torino (Italy), 2023.11/5-9
  17. Li拡散現象を利用したVO2-δ薄膜の金属-絶縁体転移の抵抗制御
    金子理久, 谷古宇海斗, 樋口透
    第84回応用物理学会 秋季学術講演会, 熊本城ホール, 2023.9/19-23
  18. 電気二重層効果を利用したイオンゲーティングリザバーによる発話数字認識タスクの実証
    山口 優，西岡 大貴，並木 航，土屋 敬志，井村 将隆，小出 康夫，樋口 透，寺部 一弥
    第84回応用物理学会 秋季学術講演会, 熊本城ホール, 2023.9/19-23
  19. Pt/Ti0.99Sc0.01O2-δ¬(Rutile, Anatase)/Pt多層膜の電気特性とパルス電圧印加による脳型特性
    前川愛里, 冨吉希彩良, 金子理久, 谷古宇海斗, 樋口透
    第84回応用物理学会 秋季学術講演会, 熊本城ホール, 2023.9/19-23
  20. 磁化ベクトル制御利用するイオンゲーティングリザバー
    並木 航, 西岡 大貴, 土屋 敬志, 樋口 透, 寺部 一弥
    第84回応用物理学会 秋季学術講演会, 熊本城ホール, 2023.9/19-23
  21. グラフェン単層チャネルを用いたイオンゲーティングリザバー
    北野 比菜, 西岡 大貴, 並木 航, 土屋 敬志, 樋口 透, 寺部 一弥
    第84回応用物理学会 秋季学術講演会, 熊本城ホール, 2023.9/19-23
  22. エピタキシャル成長させたCe1-xSmxO2-δ薄膜の表面イオン伝導性
    野竹剛, 谷実那美, 山田真理子, 門脇勇優, 樋口透
    電気化学秋季大会、九州大学伊都キャンパス、2023.9/11-12
  23. Deep Physical Reservoir Computing Achieved by Electric Double Layer Ion-Gating Reservoir
    D. Nishioka, T. Tsuchiya, W. Namiki, M. Imura, Y. Koide, T. Higuchi, and K. Terabe
    2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2023), Nagoya Congress Center, 2023.9/5-9
  24. High Oxygen and Proton Conductions at Medium Temperature Region of BaCe0.8-xPrxY0.2O3-d Thin Film with Large Amount of Oxygen Vacancies
    T. Kadowaki, G. Notake & T. Higuchi (Invited)
    International Conference on Materials Science, Engineering and Technology, Singapole, 2023.9/7-9
  25. 固固界⾯近傍のイオニクス現象を利⽤する情報処理デバイス
    土屋敬志、並木航、西岡大貴、和田友紀、山口優、柴田馨、高柳真、鶴岡徹、新ヶ谷義隆、井村将隆、小出康夫、樋口透、寺部一弥
    第85回固体イオニクス研究会, 東京大学本郷キャンパス, 2023.7/21
  26. Surface proton conduction below medium temperature region of Ce0.8M0.2O2-d (M=Sm, Gd) thin films with large amount of oxygen vacancies
    Go Notake, Ukyo Kobayashi, Tani Minami, Mariko Yamada, Daisuke Shiga, Hiroshi Kumigashira, and Tohru Higuchi
    International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT-2023), 2023.6/26-29, Singapole
  27. Ion-gating Reservoir for Time-series Pattern Recognition and Prediction Tasks
    Takashi TSUCHIYA, Daiki NISHIOKA, Wataru NAMIKI, Makoto TAKAYANAGI, Masataka IMURA, Yasuo KOIDE, Tohru HIGUCHI and Kazuya TERABE
    International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT-2023), 2023.6/26-29, Singapole
  28. (104)配向�LiCoO2薄膜の Li+イオン挿入・脱離を利用するイオンゲーティングリザバー
    柴田 馨, 西岡 大貴, 和田 友紀, 並木 航, 土屋 敬志, 樋口 透, 寺部 一弥
    第70回　応用物理学会　春季学術講演会, 2023.3/18, 上智大学
  29. BaCe1-x-yPryYxO3-δセラミックスおよび薄膜の中温域における特異なイオン伝導性
    野竹剛，門脇勇優，武田千広，志賀大亮，組頭広志，樋口透
    電気化学会　第90回, 2023.3/27, 東北工業大学

2022年度

  1. 多量の酸素欠陥を持つCe0.8M0.2O2-δ(M=Sm, Gd)薄膜の中常温域における表面プロトン伝導性
    野竹 剛、小林 右京、谷 実那美、山田 真理子、志賀 大亮、組頭 広志、樋口 透
    電気化学会第89回大会, 大阪府立大学、2022.3/15 第48回 固体イオニクス討論会, トークネットホール仙台, 2022.12/6
  2. Anomalous Oxide Ion Conduction of BaCe0.5Pr0.3Y0.2O3-δ thin film with Mixed Valence States
    Takemasa Kadowaki, Hideaki Murasawa, Go Notake, Kaito Yako, Tomoki Wada, Daisuke Shiga, Hiroshi Kumigashira, and Tohru Higuchi
    35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022),JR Hotel Clement Tokushima, 2022.11/10
  3. Neuromorphic Learning and Forgetting Functions of Pt⁄Ti0.99Sc0.01O2−δ /Pt Multilayer by Schottky Barrier Control
    Mitsuki Taniguchi, Tomoasa Takada, Kisara Tomiyoshi, Kaito Yako, Daisuke Shiga, Hiroshi Kumigashira, and Tohru Higuchi
    35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022),JR Hotel Clement Tokushima, 2022.11/10
  4. Resistivity Switching Control of VO2 thin films with Nb-TiO2 and LiCoO2 buffer layers
    Kaito Yako, Shohei Nishi, Hiroki Ito, Mitsuki Taniguchi, Kisara Tomiyoshi, Tomoasa Takada, Daisuke Shiga, Hiroshi Kumigashira, Tohru Higuchi
    35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022),JR Hotel Clement Tokushima, 2022.11/10
  5. High performance reservoir computing with interfered spin wave multi-detection
    Wataru Namiki, Daiki Nishioka, Yu Yamaguchi, Takashi Tsuchiya, Tohru Higuchi, and Kazuya Terabe
    35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022),JR Hotel Clement Tokushima, 2022.11/10
  6. Visible light switching enhanced high dimensionality in spin wave interference-based reservoir computingn
    Y. Yamaguchi, W. Namiki, D. Nishioka, T. Tsuchiya, T. Higuchi and K. Terabe
    35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022),JR Hotel Clement Tokushima, 2022.11/10
  7. 配向制御したCeO2−δ薄膜の結晶・欠陥構造と常温域の表面プロトン伝導性
    谷実那美, 野竹剛, 武田千広，門脇勇優, 志賀大亮, 組頭公志, 樋口透
    第63回電池討論会, 福岡国際会議場, 2022.11/10
  8. 結晶格子歪と酸素欠陥量を制御したBaCe1-x-yPryYxO3-d 薄膜の表面イオン伝導性
    野竹 剛, 村澤 秀明, 小林 右京, 門脇 勇優,志賀 大亮, 堀場 弘司, 組頭 広志, 樋口 透
    第63回電池討論会, 福岡国際会議場, 2022.11/10
  9. 半導体-絶縁体転移を示すVO2/Nb-TiO2多層膜の電子構造とキャリアー密度
    谷古宇 海斗、西 翔平、伊藤 宏樹、谷口 充樹、冨吉 希彩良、高田 文朝、志賀 大亮、組頭 広志、樋口 透
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学, 2022.9/22
  10. Pt/Ti0.96Co0.04O2-δ/Pt薄膜の抵抗変化メカニズムと脳型特性の強化
    高田 文朝、山口 優、谷口 充樹、冨吉 希彩良、谷古宇 海斗、金子 理久、志賀 大亮、組頭 広志、樋口 透
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学, 2022.9/22
  11. スピン波の非線形干渉を利用したリザバーコンピューティングの実証
    並木 航, 西岡大貴、土屋敬志、樋口透、寺部 一弥
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学, 2022.9/23
  12. ショットキー界面を制御したPt/Ti0.99Fe0.01O2-δ /Ptデバイスの脳型特性
    冨吉 希彩良、谷口 充樹、高田 文朝、谷古宇 海斗、樋口 透、志賀 大亮、組頭 広志
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学, 2022.9/21
  13. Pt/Ti0.99Sc0.01O2-δ/Pt多層膜のキャリア密度と脳型的忘却特性の電流応答
    谷口 充樹、高田 文朝、冨吉 希彩良、谷古宇 海斗、前川 愛里、志賀 大亮、組頭 広志、樋口 透
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学, 2022.9/21
  14. イオンゲーティングリザバーを利用する高性能リザバーコンピューティング
    西岡 大貴、土屋 敬志、並木 航、髙栁 真、井村 将隆、小出 康夫、樋口 透、寺部 一弥
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学, 2022.9/20
  15. リチウム固体電解質を用いる酸化還元型イオンゲーティングリザバー
    和田 友紀、西岡 大貴、並木 航、土屋 敬志、樋口 透、寺部 一弥
    第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学, 2022.9/20
  16. Surface Proton Conduction of Ce1-xSmxO2-d Electrolyte Thin Films in Solid Oxide Fuel Cells Operating at Room Temperature
    Go Notake, Daiki Nishioka, Minami Tani, Ukyo Kobayashi, Hideaki Murasawa, Daisuke Shiga, Hiroshi Kumigashira, and Tohru Higuchi
    17th Asian Conference on Solid State Ionics (ACSSI-2020), Nagoya Institute of Technology, 2022.9/14
  17. 固体電解質界面におけるイオン・電子連結ダイナミクスを用いた高性能リザバーコンピューティング
    土屋 敬志、西岡 大貴、並木 航、高栁 真、井村 将隆、小出 康夫、樋口 透、寺部 一弥
    2022年電気化学秋季大会, 神奈川大学, 2022.9/9
  18. 多量の酸素欠陥を持つBaCe0.5Pr0.3Y0.2O3-δ薄膜の酸素イオン伝導性
    門脇 勇優、村澤 秀明、野竹 剛、志賀 大亮、組頭 広志、樋口 透
    2022年電気化学秋季大会, 神奈川大学, 2022.9/9
  19. BaCe0.9-xY0.1RuxO3-δ薄膜の構造と中温域の特異な電子-イオン混合伝導性
    武田 千広、樋口 透、金田 直大、野竹 剛
    2022年電気化学秋季大会, 神奈川大学, 2022.9/9
  20. 酸素欠陥を持つCe0.90Gd0.10O2-d 薄膜の中低温域の表面イオン伝導性
    小林 右京、野竹 剛、志賀 大亮、組頭 広志、樋口 透
    2022年電気化学秋季大会, 神奈川大学, 2022.9/9
  21. Carrier Control of Functional Ionic Conductor by Nanoionics-based All-Solid-State Transistor
    Tohru Higuchi (招待講演)
    Materials Science, Engineering & Technology International Conference, Singapore, 2022.9/8
  22. All-Solid-State Redox Transistor for In Situ Manipulation of Perpendicular Magnetic Anisotropy in Half-Metallic NiCo2O4 Thin Film
    Tomoki Wada, Wataru Namiki, Takashi Tsuchiya, Daisuke Kan, Yuichi Shimakawa, Tohru Higuchi and Kazuya Terabe
    23rd International Conference on Solid State Ionics (SSI-23), Boston, 2022.7/22
  23. Physical Reservoir Computing Based on Solid-State Electric Double Layer Effect
    Daiki Nishioka, Takashi Tsuchiya, Wataru Namiki, Makoto Takayanagi, Tohru Higuchi and Kazuya Terabe
    23rd International Conference on Solid State Ionics (SSI-23), Boston, 2022.7/22

2021年度

  1. 種々のリチウム系固体電解質/電極界面における酸素授受挙動の in-situ観察
    高柳 真、土屋 敬志、小倉 弓枝、間嶋 拓也、上田 茂典、樋口 透、寺部 一弥
    電気化学会第89回大会, 大阪府立大学、2022.3/15
  2. 種々のリチウム系固体電解質/電極界面における酸素授受挙動のその場観察
    高柳 真、土屋敬志、井村将隆、小出康夫、樋口 透、寺部一弥
    新学術領域研究「蓄電固体界面科学」 第3回若手研究会 2022.1/6-7, JR博多シティ
  3. Preparation of Single Crystalline BiFeO3 Thin Films and Their Electronic and Atomic Structures Studied by Synchrotron Radiation
    S. Nakashima, H. Fujisawa, T. Higuchi, N. Happo, A. Yasui, and T. Kinoshita, Y. Yamamoto, R. Matsumoto, K. Kimura, and K. Hayashi
    CIMTEC2022, 2022.6/25-29, Italy
  4. In situ manipulation of perpendicular magnetic anisotropy in half-metallic NiCo2O4 thin film by proton insertion
    T. Wada, W. Namiki, T. Tsuchiya, D. Kan, Y. Shimakawa, T. Higuchi and K. Terabe
    MEMRISYS-2021, Tsukuba, 11/1-4, 2021
  5. Resistivity Switching of Band-Engineered VO2/Nb-TiO2 Multilayer
    H. Ito, K. Yako, S. Nishi, M. Taniguchi, T. Takada and T. Higuchi
    MEMRISYS-2021, Tsukuba, 11/1-4, 2021
  6. Resistive switching and neuromorphic function of Pt/Ti0.96Co0.04O2-d/Pt thin films by controlling interface state
    T. Takada, Y. Yamaguchi, T. Tsuchiya and T. Higuchi
    34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)
  7. Anomalous Surface Ion conduction of Ce1-xSmxO2-d Thin Film with Mixed Valence State
    G. Notake, D. Nishioka, U. Kobayashi1, H. Murasawa, D. Shiga, K. Horiba, H. Kumigashira, and T. Higuchi
    34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)
    2021.10/26-29, Online and On-Demand
  8. Structural and Electrical Properties of Fe-doped TiO2 Multilayer Thin Film
    Y. Fukusihma, J. Ishida, T. Takada, H. Ito, K. Horiba, H. Kumigashira and T. Higuchi
    日本MRS年次大会 (オンライン開催), 2021.12/13-15
  9. Control of Metal-Insulator Transition of VO2/Nb-TiO2 Multilayer Film
    H. Ito, K. Yako, S. Nishi, T. Takada, M. Taniguchi and T. Higuchi
    日本MRS年次大会 (オンライン開催), 2021.12/13-15
  10. Neuromorphic I-V function and resistive switching of Pt/Ti0.96Co0.04O2-d/Pt device
    T. Takada, Y. Yamaguchi, H. Itoh, T. Tsuchiya and T. Higuchi
    日本MRS年次大会 (オンライン開催), 2021.12/13-15
  11. Long- and Short-Terms Memory Device Using Ti0.96Co0.04O2-d Thin Film
    Y. Yamaguchi, T. Takada, H. Ito, T. Tsuchiya and T. Higuchi
    日本MRS年次大会 (オンライン開催), 2021.12/13-15
  12. Surface Structure and Proton Conduction of Ce0.90Gd0.10O2-d Thin Film with Oxygen Vacancies
    U. Kobayashi, M. Fukuda, G. Notake, T. Kadowaki, H. Ito and T. Higuchi
    日本MRS年次大会 (オンライン開催), 2021.12/13-15
  13. Structural and Neuromorphic I-V Properties of Ti0.99Sc0.01O2-d Thin Films with Oxygen Vacancies
    M. Mitsuki, T. Takada, K. Tomiyoshi, Y. Yamaguchi, H. Ito, T. Tsuchiya and T. Higuchi
    日本MRS年次大会 (オンライン開催), 2021.12/13-15
  14. Characterizations of Structure and Ionic conduction of BaCe0.9-xY0.1RuxO3-d Thin Film at medium temperature
    C. Takeda, G. Notake, Y. Noutomi, T. Kadowaki and T. Higuchi
    日本MRS年次大会 (オンライン開催), 2021.12/13-15
  15. In situ Manipulation of Magnetic Anisotropy in Magnetite Thin Film, Achieved with an All-solid-state Redox Device
    W. Namiki, T. Tsuchiya, M. Takayanagi, T. Higuchi and K. Terabe
    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)
    2021.9/6-9 (オンライン開催)
  16. In situ Manipulation of Magnetic Anisotropy in Magnetite Thin Film Achieved with an All-solid-state Redox Device
    W. Namiki, T. Tsuchiya, M. Takayanagi, T. Higuchi and K. Terabe
    MEMRISYS2021, Tsukuba, 11/1-4, 2021
  17. Material Designs of Oxide Electrolyte and Anode Electrode Films for Solid Oxide Fuel Cell Operating at Medium Temperature
    Tohru Higuchi (招待講演)
    APSMR-2021, Taipei, 2021.8/21
  18. Pt/Ti0.96Co0.04 O2-δ/Pt薄膜の界面状態制御による抵抗スイッチングと脳型特性
    高田文朝, 福島吉顕, 土屋敬志、樋口透
    応用物理学会
    オンライン開催、2021.9/10-13
  19. Pt/Ti1-xFexO2-d/Ptクロスポイント構造膜の脳型的な電流応答
    福島吉顕, 石田潤一郎, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    応用物理学会
    オンライン開催、2021.9/10-13
  20. 格子歪と酸素欠陥を持つBaCe1-x-yPryYxO3-δ薄膜の特異なイオン伝導性
    村澤秀明、野竹剛、志賀大亮、堀場弘司、組頭広志、樋口透
    電気化学秋季大会、
    オンライン開催, 2021.9/8-9
  21. スパッタ法により作製したCe1-xSmxO2-d薄膜の中低温域における表面プロトン伝導性
    野竹剛、西岡大貴、小林右京、村澤秀明、志賀大亮、堀場弘司、組頭広志、樋口透
    電気化学秋季大会、
    オンライン開催, 2021.9/8-9
  22. Room-Temperature Manipulation of Magnetization Direction in Magnetite, Achieved with an All-solid-state Redox Transistor
    Wataru Namiki, Takashi Tsuchiya, Makoto Takayanagi, Tohru Higuchi and Kazuya Terabe
    Clustering and Global Challenges (CGC2021) international online conference
    2021.4/9
  23. 種々の固/固界面における電気二重層効果及び電荷キャリアー蓄積の静的・動的挙動
    高柳 真、土屋 敬志、井村 将隆、小出 康夫、樋口 透、寺部 一弥
    電気化学会第88回大会、
    オンライン開催, 2021.3/23
  24. 全固体酸化・還元トランジスタを用いたFe3O4薄膜の磁化方向のその場制御
    並木 航、土屋 敬志、髙栁 真、樋口 透、寺部 一弥
    固体イオニクス討論会、2020.12/8-9、オンライン開催

2020年度

  1. Investigation on Electric Double Layer Effect at Lithium Ion Conducting Solid Electrolyte/Electrode Interface
    M. Takayanagi, T. Tsuchiya, M. Imura, Y. Koide, T. Higuchi and K. Terabe
    33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2020)
    2020.11/9-12、オンライン開催
  2. Switching Response of Hydrogen-Terminated-Diamond-Based All-Solid-State Electric-Double-Layer Transistor M. Takayanagi, T. Tsuchiya, M. Imura, Y. Koide, T. Higuchi and K. Terabe Prime-2020, Honolulu, 2020.10/4-9
  3. Production of Crystal-Oriented Neodymium Silicate Oxyapatite Ceramics and Their Conductivity Y. Tsunoda, K. Kobayashi, T. Higuchi and T. S. Suzuki Prime-2020, Honolulu, 2020.10/4-9
  4. PLD法で成膜したYSZ薄膜の高プロトン伝導性および成膜雰囲気への火山型依存性
    高柳　真，土屋 敬志, 並木 航, 樋口 透, 寺部 一弥
    電気化学会, 2020.3/17-19, 名古屋工業大学
  5. 固体電解質を用いた全固体酸化・還元デバイスによるFe3O4薄膜の磁化ベクトルのその場制御
    並木 航, 土屋 敬志, 高柳 真, 樋口 透, 寺部 一弥
    電気化学会, 2020.3/17-19, 名古屋工業大学
  6. Giant Modulation of Magnetic Anisotropy in Magnetite Thin Film, Achieved with an All-solid-state Redox Transistor
    Wataru Namiki, Takashi Tsuchiya, Makoto Takayanagi, Tohru Higuchi and Kazuya Terabe
    EMRS Spring Meeting 2020,
    2020.5/25-26, France
  7. Electric Double Layer Effect and the Strong Suppression at Lithium Ion
    Solid Electrolytes/Hydrogenated Diamond Interface
    Makoto Takayanagi, Takashi Tsuchiya, Masataka Imura, Yasuo Koide,
    Tohru Higuchi and Kazuya Terabe
    MANA International 2020 Symposium
    2020.3/1-3, International Congress Center EPOCHAL TSUKUBA
  8. Giant Modulation of Magnetic Anisotropy in Magnetite, Achieved with an All-solid-state Redox Transistor
    Wataru Namiki, Takashi Tsuchiya, Makoto Takayanagi,Tohru Higuchi, and Kazuya Terabe
    MANA International 2020 Symposium
    2020.3/1-3, International Congress Center EPOCHAL TSUKUBA

2019年度

  1. Innovative Performance of Anode Electrode with Electron-Proton Mixed Conduction for Smart-Type Solid Oxide Fuel Cell
    Tohru Higuci（招待講演）
    2019 GLOBAL RESEARCH EFFORTS ON ENERGY AND NANOMATERIALS(GREEN 2019)
    Taipei, 2019.12/20-23
  2. Neuromorphic Resistivity Modulation of Pt/Ti0.99Sc0.01O2-d/Pt Cross-point Structure
    Takeshi Fujita, Kinya Kawamura and Tohru Higuci
    2019 GLOBAL RESEARCH EFFORTS ON ENERGY AND NANOMATERIALS(GREEN 2019)
    Taipei, 2019.12/20-23
  3. Controls of Electronic Structure and Metal-Insulator Transition of VO2/NiO Multilayer
    Takehiro Imagawa, Kinya Kawamura and Tohru Higuci
    2019 GLOBAL RESEARCH EFFORTS ON ENERGY AND NANOMATERIALS(GREEN 2019)
    Taipei, 2019.12/20-23
  4. Developments of practical electrolyte and anode electrode based on BaCeO3-d thin film for SOFC device
    Tohru Higuchi (招待講演)
    5th Global Summit & Expo on Materials, Photonics & Optical Instruments
    Renaissance Kuala Lumpur Hotel, Malaysia, 2019.11/4-5
  5. Li イオン固体電解質における電気二重層効果の検証
    土屋敬志, 髙栁真, 井村 将隆, 小出康夫, 樋口透, 寺部一弥
    第15回固体イオニクスセミナー
    2019.9/1-3, 湖邸滋びわこクラブ
  6. PLD法で成膜したYSZ薄膜の高プラトン伝導および成膜雰囲気への火山型依存性
    高栁　真, 土屋敬志, 並木　航, 樋口　透, 寺部　一弥
    第15回固体イオニクスセミナー
    2019.9/1-3, 湖邸滋びわこクラブ
  7. Influenc,e of Mn-doping into Single-crystalline BiFeO3 Thin Films on Their Electronic and Local Atomic Structures
    S, Nakashima, Y. Fuchiwaki, T. Higuchi, Y. Yamamoto, R. Matsumoto, K. Kimura, N. Happo, K. Hayashi, M. Shimizu, and H. Fujisawa
    International Conference on The Structure of Non-crystalline Materias
    Port Island, Kobe, 2019.11/3-8
  8. Bulk Photovoltaic Effect in BiFeO3 Thin Films for Optical Actuator Application [Invited]
    S. Nakashima, R. Hayashimoto, T. Higuchi and H. Fujisawa
    Collaborative Conference on Materials Science and Technology (CCMST) 2019
    2019.10/14-18,、Shanghai in China
  9. Inorganic Thin Film-based Ionic Decision-maker for Adaptive Artificial Intelligence Technology
    D. Etoh, T. Tsuchiya, Y. Kitagawa, M. Takayanagi, T. Tsuruoka, T. Higuchi, K. Terabe
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2019)
    Nagoya University, 2019.9/2-5
  10. Analysis of Graphene Oxide and Nafion Nanocomposite Thin Films
    Yuki Kitagawa and Tohru Higuchi
    Collaborative Conference on Materials Science and Technology (CCMST) 2019
    2019.10/14-18,、Shanghai in China
  11. A Mesoporous SiO2-based Ionic Decision-maker for Solving Multi-armed Bandit Problems
    D. Etoh, T. Tsuchiya, Y. Kitagawa, M. Takayanagi, Y. Itoh, T. Tsuruoka, T. Higuchi, and K. Terabe
    32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC-2019)
    International Conference Center Hiroshima, 2019.10/28-31
  12. In Situ Manipulation of Magnetic Anisotropy in Fe3O4 Thin Film, achieved with an Artificial Multiferroic Device Using a Solid-State Electrolyte
    W. Namiki, T. Tsuchiya, M. Takayanagi,T. Higuchi and K. Terabe
    32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC-2019)
    International Conference Center Hiroshima, 2019.10/28-31
  13. Oxygen-Tolerant Operation of Solid State Ionic Devices: Advantage of All-Solid-State Structure in Ionic-Gating
    D. Nishioka, T. Tsuchiya, T. Higuchi, and K. Terabe
    32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC-2019)
    International Conference Center Hiroshima, 2019.10/28-31
  14. Vertically-Structured Ionic Decision-maker for Improved Scalability
    Y. Kitagawa, T. Tsuchiya, M. Takayanagi, D. Etoh, T. Tsuruoka, T. Higuchi and K. Terabe
    32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC-2019)
    International Conference Center Hiroshima, 2019.10/28-31
  15. Oxide Ion and Proton Conduction of Nano-grained YSZ Thin Films Prepared by Pulse Laser Deposition
    D. Etoh, M. Takayanagi and T. Higuchi
    2019 International Symposium for Advanced Materials Research (ISAMR 2019)
    Kaohsiung, Taiwan, 2019.8/22-25
  16. Developments of New electrolyte and Anode Electrode Materials for Smart-Type SOFC Device Operating at Medium Temperature
    Tohru Higuchi (Keynote Speaker)
    2019 International Symposium for Advanced Materials Research (ISAMR 2019)
    Kaohsiung, Taiwan, 2019.8/22-25
  17. Electronic Structure and Ionic Conduction of Sm-doped SrCeO3 Thin film with Lattice Distortion
    T. Kono, K. Kawamura, R. Yukawa, K. Horiba, H. Kumigashira and T. Higuchi
    2019 International Symposium for Advanced Materials Research (ISAMR 2019)
    Kaohsiung, Taiwan, 2019.8/22-25
  18. Structural and Photocatalyst Properties of NiO-nanoparticle/TiO2/NiO Multilayer
    J. Oikawa, T. Kawaguchi and T. Higuchi
    Collaborative Conference on Materials Science and Technology (CCMST) 2019
    2019.10/14-18,、Shanghai in China
  19. Oxide Ion Conduction of BaCe0.9-x(Pr,Ti,Zr)xY0.1O3-δ Electrolyte Thin Films for SOFC Device Prepared by RF Magnetron Sputtering
    T. Hashimoto, T. Yamada, K. Kawamura and T. Higuchi
    Collaborative Conference on Materials Science and Technology (CCMST) 2019
    2019.10/14-18,、Shanghai in China
  20. Electrical-Pulse-Induced Resistivity Modulation in Pt/Ti1-xFexO2-δ/Pt Multilayer Device
    J. Ishida, K. Kawamura and T. Higuchi
    Collaborative Conference on Materials Science and Technology (CCMST) 2019
    2019.10/14-18,、Shanghai in China
  21. Electron-Proton Mixed Conduction in BaCe0.8Ru0.1Y0.1O3-δ thin film
    Y. Yanagida1 and T. Higuchi
    Collaborative Conference on Materials Science and Technology (CCMST) 2019
    2019.10/14-18,、Shanghai in China
  22. Anomalous Metal-Insulator Transition of Orientation Controlled V2O3 thin film
    H. Hamada, E. Yamamoto, T. Yamada, K. Kawamura and T. Higuchi
    Collaborative Conference on Materials Science and Technology (CCMST) 2019
    2019.10/14-18,、Shanghai in China
  23. 全固体酸化・還元デバイスによるFe3O4薄膜の磁気異方性のその場制御
    並木航, 土屋敬志, 髙栁真, 樋口透, 寺部一弥
    第80回応用物理学会秋季学術講演会
    2019.9/18-20, 北海道大学
  24. NiO/ Al2O3上におけるVO2薄膜の電子構造と金属-絶縁体転移の制御
    今川雄洋, 及川純平, 山田庸公,湯川龍,堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    第80回応用物理学会秋季学術講演会
    2019.9/18-20, 北海道大学
  25. Pt/Ti0.99Sc0.01O2-d/Ptクロスポイント構造膜の脳型的な抵抗変化特性
    藤田健史, 川村欣也, 山田庸公, 湯川龍, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    第80回応用物理学会秋季学術講演会
    2019.9/18-20, 北海道大学
  26. Liイオン伝導性固体電解質における電気二重層効果の確認
    土屋敬志, 高栁 真, 井村 将隆, 小出康夫, 樋口 透, 寺部 一弥
    第80回応用物理学会秋季学術講演会
    2019.9/18-20, 北海道大学
  27. In-situ Control of Hole Density in Hydrogen-Terminated Diamond Achieved with All-Solid-State Electric Double Layer Transistor (ポスター賞を受賞)
    T. Tsuchiya, M. Takayanagi, M. Imura, Y. Koide, T. Higuchi, K. Terabe
    22nd International Conference on Solid State Ionics (SSI-22)
    2019.6/17-20, PyeongChang, Korea
  28. Fabrication of dense ceramics and their total conductivity of yttrium-stabilized lanthanum germanate oxyapatite by slip casting in a strong magnetic field
    T. Terai, K. Kobayashi, T. Higuchi,1 and T. S. Suzuki
    The 13th Pacific Rim Conference of Ceramic Societies (PACRIM13)
    October 27 - November 1, 2019, Okinawa Convention Center, Japan
  29. Dense Ceramic Fabrication and Conductivity Measurement of Strontium doped Lanthanum Yttrium Perovskite
    Y. Tsunoda, K. Kobayashi, T. Higuchi, and T. S. Suzuki
    The 13th Pacific Rim Conference of Ceramic Societies (PACRIM13)
    October 27 - November 1, 2019, Okinawa Convention Center, Japan
  30. Resistiviy Switching of Vanadium Oxide Thin Film by Insertion/Desertioｎ of Ion
    Thoru　Higuchi（招待講演）
    ICSON-2019
    2019.8/20-21，Barceｌona in Spein
  31. Total conductivity of yttria-stabilized Ianthanum germanate fabricated by solid-state reaction method
    T. Terai, K Kobayashi, T Higychi,T.S. Suzuki
    Materials research Meeting 2019 (MRM-209)
    2019．12/10-14, Yokohama, Japan
  32. Surface Proton Conductivity of Sm-doped Ceria with Lattice Disitortion
    Daiki Nishioka，Tunetomo Yamada，Wataru Namiki, Takeshi Fujita, Takashi
    Tsuchiya and Tohru Higuchi (招待講演）
    EMN Jeju Meeting on Ceramics　
    2019.5/20-21，Jeju in Korea
  33. Atomic and Electronic Structures of Single Crystal Mn-doped BiFeO3 Thin Films
    S.Nakashima, Y.Futiwaki, T.HIguchi, Y.Yamamoto,R,.Matsumoto, K.KImura,
    N.Happo, K.Hayashi, M..Shimizu, and H.Fuzisawa
    2019 ISAF-ICE-EMF-IWPM
    joint Cunference
    2019.7/24-19, Switzerland
  34. Long-term and Short-term Memory Device Using Pt/Ti0.99Sc0.01O2-δ/Pt Cross Point Structure
    K. Kawamura and T. Higuchi (招待講演）
    EMN Jeju Meeting on Ceramics
    2019.5/20-21, Jeju in Korea
  35. Brain-Type Memory Device Using Oxide Thin Film
    Thoru Higuchi (招待講演）
    CCMST-2019
    2019.10/14-18、Shanghai in China
  36. New Anode Material with Electron-Proton Mixed Conduction for SOFC Device
    Tohru Higuchi (招待講演)
    EMN Rome Meeting 2019, 2019.5/13-17, in Rome, Italy
  37. Strucural and Electrical Properties of p-type TiO2 Thin Film Realized by Carrier and Lattice Controls
    Tohru Higuchi (招待講演)
    2019 Collaborative Conference on Materials Research (CCMR)
    2019.6/3-6, Gyeonggi-do, Korea
  38. High Proton Conduction of SrCe0.80Sm0.20O3 Thin Film Prepared by RF Magnetron Sputtering
    T. Kono, T. Yamada, D. Nishioka and T. Higuchi
    Asia-Pacific Conference on Engineering & Natural Sciences (APICENS 2019)
    2019.3/19-21, Bangkok, Thailand
  39. Resistivity Control of Epitaxial Ca1-xSrxVO3 Thin Film Achieved by H+ or Li+ Transport
    M. Takayanagi, T. Tsuchiya, T. Yamada and T. Higuchi
    Asia-Pacific Conference on Engineering & Natural Sciences (APICENS 2019)
    2019.3/19-21, Bangkok, Thailand

2018年度

  1. Ionic decision-maker using electrolyte-semiconductor transition of graphene oxide
    Y. Kitagawa, T. Tsuchiya, T. Higuchi, and K. Terabe
    日本MRS年次大会、北九州国際会議場、2018.12/18-19
  2. Electron Conduction of TiO2 Thin Film activated by Sc3+ Substitution
    M. Sekine, H. Tanisaka, A. Takahashi, T. Yamada, R. Yukawa, K. Horiba, H. Kumigashira and T. Higuchi
    日本MRS年次大会、北九州国際会議場、2018.12/18-19
  3. Ionic conductivity of grain-controlled BaPr1-xYxO3-d thin film prepared by RF magnetron sputtering
    A. Tamai, T. Yamada, R. Yukawa, K. Horiba, H. Kumigashira and T. Higuchi
    日本MRS年次大会、北九州国際会議場、2018.12/18-19
  4. Carrier control of vanadium oxide thin film by insertion/desertion of Li+ ion
    A. Takahashi, M.Takayanagi, T. Yamada, T. Tsuchiya, K. Terabe and T. Higuchi
    日本MRS年次大会、北九州国際会議場、2018.12/18-19
  5. Generation of Surface Proton Conduction of Sm doped CeO2-d Thin Films with Lattice Distortion
    D. Nishioka, W. Namiki, T. Yamada, R. Yukawa, K. Horiba, H. Kumigashira and T. Higuchi
    日本MRS年次大会、北九州国際会議場、2018.12/18-19
  6. I-V characteristics of Pt/Ti0.9Fe0.1O2-d/Pt thin film with electron-ion mixed conduction
    J. Ishida, A. Takahashi, T. Yamada, R. Yukawa, K. Horiba, H. Kumigashira and T. Higuchi
    日本MRS年次大会、北九州国際会議場、2018.12/18-19
  7. Development of oxide-based ionic decision-maker
    D. Etoh, T. Tsuchiya, Y. Kitagawa, T. Tsuruoka, T. Higuchi, and K. Terabe
    日本MRS年次大会、北九州国際会議場、2018.12/18-19
  8. Tuning of Hole Carrier Density in Hydrogen-Terminated Diamond Achieved with All-Solid-State Electric Double Layer Transistor
    M. Takayanagi, T. Tsuchiya, M. Imura, Y. Koide, T. Higuchi, and K. Terabe
    日本MRS年次大会、北九州国際会議場、2018.12/18-19
  9. Oxide Ion and Proton Conduction Controlled in Nano-grained Yttria Stabilized ZrO2 Thin Films Prepared by Pulse Laser Deposition
    D. Etoh, T. Tsuchiya, M. Takayanagi, T. Higuchi, and K. Terabe
    31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2018)
    2018.11/13-16, Sapporo, Japan
  10. Conductivity Modulation in SrVO3-based All-solid-state Redox Transistor
    with Ion Transport of Li+ or H+
    M. Takayanagi, T. Tsuchiya, W. Namiki, Y. Kitagawa, T. Higuchi, and K. Terabe
    31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2018)
    2018.11/13-16, Sapporo, Japan
  11. パルスレーザ堆積法で成膜したYSZ 薄膜のプロトン伝導度の成膜雰囲気依存性
    江藤大貴, 土屋敬志, 高栁真, 樋口透, 寺部一弥
    第14回 固体イオニクスセミナー, 2018.9/2-4, 越後湯沢
  12. Ca1-xSrxVO3薄膜における金属絶縁体転移の基板依存性
    高柳真，土屋敬志, 並木航, 北川勇気, 樋口透, 寺部一弥
    第14回 固体イオニクスセミナー, 2018.9/2-4, 越後湯沢
  13. 格子歪導入によるSm-doped CeO2薄膜の表面プロトン伝導性の発現
    西岡大貴，並木航，山田庸公，湯川龍，堀場弘司，組頭広志，樋口透
    第14回 固体イオニクスセミナー, 2018.9/2-4, 越後湯沢
  14. Nd0.6Sr0.4FeO3-δの薄膜化による電気特性・電子構造変化
    並木航, 髙栁真, 土屋敬志, 簑原誠人, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    第14回 固体イオニクスセミナー, 2018.9/2-4, 越後湯沢
  15. Inserted-cation-dependent Device Characteristic of SrVO3-based All-solid-state Redox Transistor
    M. Takayanagi, T. Tsuchiya, W. Namiki, T. Higuchi, and K. Terabe
    SSDM-2018, Univ. Tokyo, Japan, 2018.9/9-13
  16. 格子歪を持つSm-doped SrCeO3スパッタ薄膜の構造・イオン伝導性
    高野貴裕, 山田庸公, 湯川龍, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    電気化学秋季大会、金沢大学、2018.9/25-26
  17. Sm-doped CeO2薄膜の350℃以下における二次元表面プロトン伝導性
    西岡大貴, 並木航, 山田庸公, 湯川龍, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    電気化学秋季大会、金沢大学、2018.9/25-26
  18. スパッタ法により作製したBaCe0.85Zr0.05Y0.10O3薄膜の電子構造とイオン伝導性
    谷坂広宣, 関根正貴, 山田庸公, 湯川龍, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    電気化学秋季大会、金沢大学、2018.9/25-26
  19. 全固体酸化還元トランジスタによるSrVO3薄膜の導電率変調
    高柳真，土屋敬志, 並木航, 樋口 透, 寺部一弥
    電気化学秋季大会、金沢大学、2018.9/25-26
  20. TiO2上に形成したNiOナノ粒子による光触媒特性への影響
    及川純平, 関根正貴, 山田庸公 ,湯川龍, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    応用物理学会、名古屋国際会議場、2018.9/18-22
  21. スパッタ法により作製したBa(Ce1-xTix)yY1-yO3薄膜の化学的安定性
    橋本智之, 高柳真, 山田庸公 , 堀場弘司, 湯川龍,組頭広志, 樋口透
    応用物理学会、名古屋国際会議場、2018.9/18-22
  22. RFマグネトロンスパッタ法で作製したTi0.9Fe0.1O2-δ薄膜の電子構造とI-V特性
    石田潤一郎, 西岡大貴, 山田庸公, 湯川龍, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    応用物理学会、名古屋国際会議場、2018.9/18-22
  23. La0.67Sr0.33MnO3(100)薄膜のキャリア―を制御した全固体イオニクスデバイス
    川村欣也，土屋敬志, 樋口透, 寺部一弥
    応用物理学会、名古屋国際会議場、2018.9/18-22
  24. Yb-doped BaPr0.9Yb0.1O3-d薄膜の電子-イオン混合伝導性と電子構造
    濱田宏幸, 山田庸公, 湯川龍, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    応用物理学会、名古屋国際会議場、2018.9/18-22
  25. 強誘電体バルク光起力効果とそれを用いたアチュエータ
    中嶋誠二, 林本竜, 藤沢浩訓, 清水勝, 樋口透,保井晃, 木下豊彦
    セラミックス協会関西支部講演会、姫路・西はりま地場産業センター、2018.7/27
  26. イットリウムを置換したオキシアパタイト型ランタンゲルマネートの緻密セラミックス製造と全電気伝導度測定
    寺井 貴哉, 小林 清, 鈴木 達, 樋口 透
    日本セラミックス協会秋季シンポジウム, 名古屋工業大学，2018.9/5-7
  27. Increasing Coercivity of Ferromagnetic Zinc Oxide with Thermal Acetylene Treatment
    Luke Jappinen, Jarno Salonen and Tohru Higuchi
    IEEE NANO 2018, Cork, Ireland, 23-26 July 2018
  28. Growth of Vanadium Oxide Thin Film by RF Magnetron Sputtering Using Oxygen Radical
    Tohru Higuchi (招待講演)
    Energy Materials and Nanotechnology (EMN) 2018
    Vienna, Austria, 2018. 6/18-22
  29. Evidence of Acceptor Doping to BiFeO3 Thin Films by Mn doping and Their Bulk Photovoltaic Effect
    S. Nakashima, K. Takayama, H. Fujisawa, T. Higuchi, A. Yasui, T. Kinoshita and M. Shimizu
    2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM (IFAAP) Joint Conference
    International Conference Center of Hiroshima, 2018.5/27-6/1
  30. 固相法によるイットリウムを置換したオキシアパタイト型ランタンゲルマネートの緻密体の作製
    寺井 貴哉, 小林 清, 鈴木 達, 樋口 透
    粉体粉末冶金学会, 京都大学，2018.5/13-17
  31. 全固体酸化還元トランジスタを用いたSrVO3薄膜の導電率変調
    高柳真，土屋敬志, 並木航, 樋口透, 寺部一弥
    応用物理学会、早稲田大学、2018.3.17-19
  32. 室温平面ホール効果によるLa0.67Sr0.33MnO3(100)薄膜の磁気異方性
    川村欣也，土屋敬志, 蓑原誠人, 堀場弘司,組頭広志, 寺部一弥, 樋口 透
    応用物理学会、早稲田大学、2018.3.17-19
  33. Nd0.6Sr0.4FeO3-δ薄膜の歪み効果と電気特性
    並木航, 髙栁真, 土屋敬志, 簑原誠人, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    応用物理学会、早稲田大学、2018.3.17-19
  34. Redox反応を利用したアモルファスWO3-x薄膜のキャパシタンス素子
    酒井貴弘, 杉本天, 林博洋, 箕原誠人, 組頭広志, 樋口透
    応用物理学会、早稲田大学、2018.3.17-19
  35. YSZ基板上に作製したVO2薄膜の金属‐絶縁体転移現象の観測
    森田巧, 丹野友博, 箕原誠人, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    応用物理学会、早稲田大学、2018.3.17-19
  36. Sm-doped CeO2-d薄膜の中低温域における表面イオン伝導性
    西岡大貴, 並木航, 箕原誠人, 組頭広志, 樋口透
    応用物理学会、早稲田大学、2018.3.17-19
  37. Resistivity Control of VO2 Based All-Solid-State Redox Transistors Achieved by Li+ Transport
    Jun-ichiro Ishida, Atsushi Takahashi, Takashi Tsuchiya, and Tohru Higuchi
    MANA International Symposium 2018
    Epochal Tsukuba, Japan, 2018.3/5-7
  38. Correlated Metal SrVO3 Based All-Solid-State Redox Transistors Achieved by Li+ or H+ Transport
    M. Takayanagi, T. Tsuchiya, W. Namiki,T. Higuchi and K. Terabe
    MANA International Symposium 2018
    Epochal Tsukuba, Japan, 2018.3/5-7
  39. Nanoionics-Based Neuromorphic Device with Pt/TiO2-d/Pt Multilayer Structure
    K. Kawamura, T. Tsuchiya, K. Terabe and T. Higuchi
    MANA International Symposium 2018
    Epochal Tsukuba, Japan, 2018.3/5-7
  40. Development of nanoionics type variable capacitor for high frequency wireless communication and its Electrical properties
    T. Sugimoto and T. Higuchi
    APICENS, taipei, 2018.3/12-14
  41. 軟Ｘ線分光によるVO2薄膜の金属-絶縁体転移現象の観測
    丹野友博, 高橋篤, 簑原誠人, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    日本放射光学会、2018.1/8-10、つくば国際会議場
  42. 価数制御したV6O13薄膜の電子構造
    高橋篤，丹野友博, 簑原誠人, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    日本放射光学会、2018.1/8-10、つくば国際会議場
  43. Ca1-xSrxVO3薄膜の軟X線・硬X線光電子分光
    高柳真, 土屋敬志, 並木航, 上田茂典, 蓑原誠人, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    日本放射光学会、2018.1/8-10、つくば国際会議場
  44. 軟Ｘ線分光によるNd1-xSrxFeO3の電子構造
    並木航, 高柳真,蓑原誠人, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口 透
    日本放射光学会、2018.1/8-10、つくば国際会議場

2017年度

  1. Neuromorphic Transistor Based on Redox Reaction of WO3 Thin Film
    M. Jayabalan, K. Kawamura, M. Takayanagi, T. Tsuchiya, T. Higuchi, R. Jayavel, K. Terabe
    日本MRS年次大会、2017.12/5-7, 横浜情報文化センター
  2. 高周波ワイヤレスコミュニケーションのためのナノイオニクス型可変容量素子の開発
    杉本天, 土屋敬志, 寺部一弥, 樋口透
    東京理科大学脳学際研究部門 第1回公開シンポジウム
    2017.10/21, 東京理科大学葛飾キャンパス
  3. Neuromorphic Transistor Achieved by Redox Reaction of WO3 Thin Film
    M. Jayabalan, K. Kawamura, M. Takayanagi, T. Tsuchiya, T. Higuchi, R. Jayavel, K. Terabe
    2017 International Conference of Solid State Devices and Materials (SSDM-2017)
    Sendai International Center, 2017.9/21
  4. Analysis of Planar-Hall-Effect in La1-xSrxMnO3 Epitaxial Thin Films Grown on SrTiO3(100)
    K. Kawamura, T. Tsuchiya, M. Takayanagi and T. Higuchi
    日本MRS年次大会、2017.12/5-7, 横浜情報文化センター
  5. Anomalous Electron Conduction of Nd0.6Sr0.4FeO3-d Thin Film with Oxygen Vacancies
    W. Namiki, T. Tsuchiya, M. Minohara, H. Kumigashira and T. Higuchi
    日本MRS年次大会、2017.12/5-7, 横浜情報文化センター
  6. Ionic Conduction of BaCe0.085Zr0.05Y0.1O3-d Thin Film with Lattice Distortion
    H. Tanishaka, T. Hashimoto, M. Minohara, K. Horiba, H. Kumigashira and T. Higuchi
    日本MRS年次大会、2017.12/5-7, 横浜情報文化センター
  7. Development of nanoionics type variable capacitor for high frequency wireless communication and its Structured and Electrical properties
    T. Sugimoto, T. Higuchi, T. Tsuchiya, M. Minohara, M. Kobayashi, H. Kumigashira and K. Terabe
    日本MRS年次大会、2017.12/5-7, 横浜情報文化センター
  8. Ionic Conduction of BaPr1-xYxO3-s Thin Films with Lattice Distortion
    S. Furuichi, T. Tsuchiya, M. Minohara, M. Kobayashi, K. Horiba, H. Kumigashira and T. Higuchi
    日本MRS年次大会、2017.12/5-7, 横浜情報文化センター
  9. Ionic Conduction of SrCe1-xSmxO3-d Thin Film with Lattice Distortion
    A. Tamai, T. Kono, M. Minohara, K. Horiba, H. Kumigashira and T. Higuchi
    日本MRS年次大会、2017.12/5-7, 横浜情報文化センター
  10. Structural and Electrical Properties of Ti0.99Sc0.01O2-d Thin Film with Lattice Distortion
    M. Sekine, K. Tanitsu, M. Minohara, K. Horiba, H. Kumigashira and T. Higuchi
    日本MRS年次大会、2017.12/5-7, 横浜情報文化センター
  11. 3価の元素を置換したTi02-dスパッタ薄膜の構造・電気特性
    川口拓哉，関根正貴，蓑原誠人，堀場弘司，組頭広志，樋口透
    応用物理学会、福岡国際会議場、2017.9/5-7
  12. Fe,Sc-Ti02/Ti02/Ti構造を用いた光触媒反応のよる水素生成
    川口拓哉，関根正貴，蓑原誠人，堀場弘司，組頭広志，樋口透
    応用物理学会、福岡国際会議場、2017.9/5-7
  13. Nd1-xSrxFeO3の構造・電気特性
    並木航, 良永賢輔, 宮川宣明, 蓑原誠人, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    日本物理学会, 2017.9/22, 岩手大学
  14. 軟X線分光によるNd1-xSrxFeO3の電子構造
    並木航, 蓑原誠人, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    物性研究所短期研究会 -光で 見る・操る 電子物性科学の最前線-
    2017.6/13, 東京大学物性研究所
  15. Electron-Proton Mixed Conductionlof Perovskite oxide Thin Film with Oxygen vacancies and Lattice Distortion for SOFC Electrode
    T. Higuchi, S. Furuichi, W. Namiki, M. Takayanagi, M. Minohara, K. Horiba, H. Kumigashira and T. Tsuchiya
    15th International Symposium on Solid Oxide Fuel Cell, Hollywood in USA, 2017.7/26
  16. New Anode Material with Electron-Ion Mixed Condcution for SOFC at Intermediate Temparature
    Region
    T. Higuchi (招待講演)
    Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2017, Jeju in South Korea, 2017.6/26
  17. Electrical Property of Nd0.6Sr0.4FeO3 Thin Film Deposited RF Magnetron Sputtering Method
    W. Namiki, T. Tsuchiya, M. Minoara, M. Kobayashi, K. Horiba, H. Kumigashira, T. Higuchi
    International Symposium on Atomic Switch 2017, Okura Frontier Hotel Tsukuba, 2017.3/28
  18. Surface Proton Conduction on Yttria-stabilized Thin Film for Nanoionic Device Application
    M. Takayanagi, T. Tsuchiya, M. Minoara, M. Kobayashi, K. Horiba, H. Kumigashira,T. Higuchi
    International Symposium on Atomic Switch 2017, Okura Frontier Hotel Tsukuba, 2017.3/28
  19. Electrical-Pulse-Induced Resistivity Modulation in Pt/TiO2-d/Pt Multilayer Device Relevant to Nonoionic-Based Neuromorphic Function
    K. Kawamura, T. Tsuchiya, K. Terabe, T. Higuchi
    International Symposium on Atomic Switch 2017, Okura Frontier Hotel Tsukuba, 2017.3/28
  20. Nd0.6Sr0.4Fe03-d薄膜の電子構造
    並木航，高柳真，蓑原誠人，小林正起，堀場浩司，組頭広志，樋口透
    放射光学会，神戸国際会議場，2017.1/9
  21. 価数制御したVO2薄膜の金属-絶縁体転移と電子構造
    丹野友博，小林正起，蓑原誠人，堀場浩司，組頭広志，樋口透
    放射光学会，神戸国際会議場，2017.1/9
  22. 磁性強誘電体BiFe03-d薄膜の電子構造
    高柳真，並木航，蓑原誠人，小林正起，堀場浩司，組頭広志，樋口透
    放射光学会，神戸国際会議場，2017.1/9

2016年度

  1. 格子歪を持つTi0.9Fe0.1O2-d薄膜の構造・電気特性
    関根正貴，小林正起，蓑原誠人，堀場浩司，組頭広志，樋口透
    日本MRS年次大会，横浜情報文化センター，12/20
  2. SrCe0.95Sm0.05O3薄膜の構造・電気特性
    樋口透，玉井暁，小林正起，組頭広志
    日本MRS年次大会，横浜情報文化センター，12/20
  3. 電子・イオン混合伝導性を有したPt/TiO2-δ/Ptクロスポイント構造を用いたパルス電圧印加に対する長期記憶・短期記憶特性
    川村欣也，土屋敬志，高柳真，寺部一弥，樋口透
    日本MRS年次大会，横浜情報文化センター，12/20
  4. 中高温域におけるYSZ薄膜のバンド構造及びプロトン伝導性
    高柳真，蓑原誠人，小林正起，堀場浩司，組頭広志，樋口透
    日本MRS年次大会，横浜情報文化センター，12/20
  5. Nd0.6Sr0.4FeO3-δ薄膜の結晶構造と電気特性
    並木航，土屋敬志，小林正起，堀場浩司，組頭広志，樋口透
    日本MRS年次大会，横浜情報文化センター，12/20
  6. 酸素欠陥を有するBPY薄膜の構造と電気特性
    古市想人，土屋敬志，小林正起，堀場浩司，組頭広志，樋口透
    日本MRS年次大会，横浜情報文化センター，12/20
  7. SrZr0.95Y0.05O3-d薄膜の酸素欠陥による電気的及び構造的特性
    尾地真典，丹野友博，高柳真，樋口透
    日本MRS年次大会，横浜情報文化センター，12/20
  8. Pulse-induced Resistive Switching Devices pf Pt/TiO2-d/Pt Cross-Point Structure with Electron-Ion Mixed Conduction
    K. Kawamura, T. Tsuchiya, M. Takayanagi, M. Minohara, M. Kobayashi, K. Horiba, H. Kumigashira, K. Terabe and T. Higuchi
    MNC2016, Kyoto, 2016.11/8-11
  9. Electronic Structure of Amorphous WO3-x Thin Film Probed by Soft-X-Ray Spectroscopy
    T. Sugimoto, W. Namiki, T. Tsuchiya, T. Terabe, M. Minohara, M. Kobayashi, K. Horiba, H. Kumigashira and T. Higuchi
    MNC2016, Kyoto, 2016.11/8-11
  10. スパッタ法のより作製したV6O13薄膜の電気特性と電子構造
    丹野友博，小林正起，蓑原誠人，堀場弘司，組頭広志，樋口透
    応用物理学会，新潟大学，2016.9/15
  11. 価数制御したVO2薄膜の金属-絶縁体転移と電子構造
    丹野友博，土屋敬，小林正起，蓑原誠人，堀場弘司，組頭広志，樋口透
    応用物理学会，新潟大学，2016.9/13-16
  12. Research and Development of Wet-Chemical Process for Lanthanum Germanate Oxyapatite
    K.Kobayashi, Y.Igarashi, T.Higuchi and Y.Sakka
    HTCMC & GFMAT 2016，Tronto，USA，2016.6/28
  13. Ion Conduction of BaPrO3-d thin Film with Mixed Valence State for SOFC Anode Electrode
    S. Furuichi, T. Tsuchiya and T. Higuchi
    PRiME 2016/230th ECS Meeting (日米合同の電気化学会)、ハワイ、2016.10/25-7
  14. Electron-Ion Mixed Conduction of Nd0.6Sr0.4FeO3 Cathode Electrode Thin Film for Solid Oxide Fuel Cell
    W. Namiki, T. Tsuchiya and T. Higuchi
    PRiME 2016/230th ECS Meeting (日米合同の電気化学会)、ハワイ、2016.10/25-7
  15. New Material Design of Electron-Proton Mixed Conductor Ru-Doped BaCe0.90Y0.10O3-d Thin Film As Fuel Cell Anode Electrode
    M. Ochi, T. Tsuchiya and T. Higuchi
    PRiME 2016/230th ECS Meeting (日米合同の電気化学会)、ハワイ、2016.10/25-7
  16. Proton Conduction on YSZ Electrolyte Thin Films Prepared By RF Magnetron Sputtering
    M. Takayanagi, M. Ochi, T. Tsuchiya and T. Higuchi
    PRiME 2016/230th ECS Meeting (日米合同の電気化学会)、ハワイ、2016.10/25-7
  17. スパッタ法により作成したBaCe0.8Zr0.1Y0.1O3-δ薄膜の構造とイオン伝導性
    本橋宏大、尾地真典、土屋敬志、小林正起、組頭広志、樋口透
    電気化学会、大阪大学、2016.3/29-31
  18. ナノイオニクスデバイスを用いた磁化率、及び磁気抵抗効果のその場制御
    土屋敬志、寺部一弥、尾地真典、樋口透、長田実、山下良之、上田茂典、青野正和
    電気化学会、大阪大学、2016.3/29-31
  19. BaPrO3スパッタ薄膜のイオン伝導性における膜厚効果
    古市想人、村上友梨、土屋敬志、小林正起、組頭広志、樋口透
    応用物理学会、東京工業大学、2016.3/19-22
  20. Fe3O4薄膜の酸化還元反応を利用した磁気特性制御デバイス
    土屋敬志、寺部一弥、尾地真典、樋口透、長田実、山下良之、上田茂典、青野正和
    応用物理学会、東京工業大学、2016.3/19-22
  21. Nd1-xSrxFeO3セラミックス・薄膜の構造と電気特性
    並木航、鈴木直哉、中野拓也、土屋敬志、小林正起、組頭広志、樋口透
    応用物理学会、東京工業大学、2016.3/19-22
  22. BaCe0.85Ru0.05Y0.10O3-dスパッタ薄膜の電子‐イオン混合伝導性と電子構造
    尾地真典、土屋敬志、前田大輝、蓑原誠人、堀場弘司、組頭広志、樋口透
    電気化学会、大阪大学、2016.3/29-31
  23. 価数を制御したVO2薄膜の金属－絶縁体転移
    丹野友博, 末次高明, 土屋敬志, 小林正起, 組頭広志, 樋口透
    応用物理学会、東京工業大学、2016.3/19-22
  24. 酸素欠陥を持つPt/TiO2-d/Ptスパッタ薄膜の低温成膜と構造・電気特性
    高柳真,川村欣也,土屋敬志,寺部一弥, 樋口透
    応用物理学会、東京工業大学、2016.3/19-22
  25. 酸素ラジカルを用いて作製したTiO2-dスパッタ薄膜の局所構造とI-V特性
    川村欣也,樋口透, 鈴木直哉, 土屋敬志,小林正起，組頭広志,寺部一弥
    応用物理学会、東京工業大学、2016.3/19-22
  26. Nd1-xSrxFeO3の共鳴光電子分光
    鈴木直哉, 川村欣也, 土屋敬志, 簑原誠人, 小林正起, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    日本放射光学会、東京大学柏の葉キャンパス駅前サテライト、2016.1/9
  27. 混合原子価状態を持つb軸配向したVO2薄膜の軟X線分光
    末次高明,土屋敬志，小林正起，簑原誠人, 組頭広志, 樋口透
    日本放射光学会、東京大学柏の葉キャンパス駅前サテライト、2016.1/9
  28. 軟Ｘ線分光による酸素欠陥を制御したTiO2-δ薄膜の電子構造
    川村欣也, 鈴木直哉, 土屋敬志, 簑原誠人, 小林正起, 堀場弘司, 組頭広志, 樋口透
    日本放射光学会、東京大学柏の葉キャンパス駅前サテライト、2016.1/9
  29. Ce1-xSmxO2-d薄膜の共鳴光電子分光
    山口翔平, 土屋敬志, 簑原誠人, 小林正起, 堀場弘司,組頭広志, 樋口透
    日本放射光学会、東京大学柏の葉キャンパス駅前サテライト、2016.1/9
  30. 軟X線分光によるRu-doped BaCe0.9Y0.1O3薄膜の電子構造
    尾地真典，土屋敬志，鈴木直哉，末次高明，山口翔平，簑原誠人，小林正起，堀場弘司，組頭広志，樋口透
    日本放射光学会、東京大学柏の葉キャンパス駅前サテライト、2016.1/9

2015年度

  1. Ion conduction of Ce1-xSmxO2 thin film and electronic device application
    S. Yamaguchi, N. Suzuki, T. Tsuchiya, M. Kobayashi, M. Minohara, H. Kumigashira and T. Higuchi
    日本MRS学術シンポジウム、横浜開港記念館、2015年12月8日
  2. Structural and Electrical Properties of BaPrO3-d Thin Film with Oxygen Vacancies
    S. Furuichi, T. Higuchi, T. Tsuchiya, A. Oda, M. Minohara, M. Kobayashi and H. Kumigashira
    日本MRS学術シンポジウム、横浜開港記念館、2015年12月8日
  3. Proton Conduction of SrCe1-xSmxO3 Bulk Crystal with Mixed Valence State
    Y. Murakami, S. Furuichi, M. Kobayashi, H. Kumigashira, and T. Higuchi
    日本MRS学術シンポジウム、横浜開港記念館、2015年12月8日
  4. Electron-Ion Mixed Conduction and Electronic Structures of Nd1-xSrxFeO3
    N. Suzuki, K. Kawamura, T. Tsuchiya, M. Minohara, M. Kobayashi, H. Kumigashira and T. Higuchi
    日本MRS学術シンポジウム、横浜開港記念館、2015年12月8日
  5. Ionic Conductivity Effect on Response Speed of All-solid-state Electruc-double-layer Transistor
    Takashi Tuchiya，Masanori Ochi，Tohru Higuchi，Kazuya Terabe，Masakazu Aono
    MNC2015、Toyama International Confera Center、2015.11/１2
  6. オキシアパタイト型ランタンゲルマネートの高酸素イオン伝導相安定化と酸素イオン伝導
    五十嵐之人,小林清,樋口透,目義雄
    固体イオニクス討論会、北海道大学、2015.11/25-27
  7. 強磁性酸化物薄膜の酸化還元反応を利用した磁気特性制御デバイス
    土屋敬志、尾地真典、樋口透、寺部一弥、青野正和
    固体イオニクス討論会、北海道大学、2015.11/25-27
  8. 格子定数を制御したBaCe0.85Ru0.05Y0.10O3-dスパッタ薄膜の電子－イオン混合伝導性
    尾地真典、土屋敬志、鈴木直哉、末次高明、山口翔平、樋口透
    固体イオニクス討論会、北海道大学、2015.11/25-27
  9. Electrical and Strucural Properties of BaCe0.85Ru0.05Y0.10O3-δThin Film Prepared by RF Magnetron Sputtering
    M.Ochi，N.Suzuki，T.Suetsugu，S.Yamaguch，T.Tushiya，M.Minohara，H.Kumigashira and T.Higuchi
    MNC2015、Toyama International Confera Center、2015.11/１3
  10. Metal-Insulator Transition of VO2 Thin Film with Oxygen Vacancies
    T.Suetsugu，Takashi Tuchiya，M.Kobayashi，M.Minohara，K.Horiba，H.Kumigashira and T.Higuchi
    MNC2015、Toyama International Confera Center、2015.11/１3
  11. Electrical and Strucural Properties of Pt/TiO2-d/Pt Thin Film Prepared by RF Magnetron Sputtering Using Oxygen Radical
    K.Kawamura，N.Suzuki，T.Tuchiya，M.Minohara，H.Kumigashira and T.Higuchi
    MNC2015、Toyama International Confera Center、2015.11/１3
  12. Electronic Strucure of α-Fe2O3 Thin Film with Lattice Dis tortion Prepared by RF Magnetron Sputtering
    K.Kawamura，N.Suzuki，S.Yamaguchi，M.Ochi，T.Tuchiya，M.Minohara，M.Kobayashi，K.Horiba，H.Kumigashira and T.Higuchi
    MNC2015、Toyama International Confera Center、2015.11/１3
  13. Hexagonal phase stabilization and high oxygen-ion conductivity of yttria doped lanthanum germanate oxyapatite
    Yukihito Igarashi, Kiyoshi Kobayashi Tohru Higuchi, and Yoshio Sakka
    STAC-9 & TOEO-9，Epocal Tsukuba，10/19-21
  14. Ru-doped BaCe0.9Y0.1O3-δ薄膜の構造と電子-イオン混合伝導性
    尾地真典，山口翔平，末次高明，鈴木直哉，土屋敬志，蓑原誠人，組頭広志，樋口透
    電気化学会，埼玉工業大学，2015-9/11-12
  15. Phase stability and electrical conductivity of lanthanum germanate oxyapatite
    Y.Igarashi, K.Kobayashi, T.Higuchi and Y.sakka
    14th International Conference Europian Ceramic Society
    Trede, Spain, 2015.6/21-23
  16. 酸素ラジカルを用いて作製したTiO2-δスパッタ薄膜の局所構造・電気特性
    川村欣也、鈴木直哉、小林正起、組頭広志、樋口透
    応用物理学会、名古屋国際会議場、2015.9-13-15
  17. 混合原子価状態を持つb軸配向したVO2薄膜の構造・電気特性
    末次高明、樋口透、土屋敬志、小林正起、組頭広志
    応用物理学会、名古屋国際会議場、2015.9-13-15
  18. Structural and Electrical properties of Ru-doped BaCe0.90Y0.10O3-δThin Film
    Masanori Ochi,Shohei Yamaguchi, Takaaki Suetsugu, Naoya Suzuki, Kinya Kawamura,
    Takashi Tsuchiya, Masaki Kobayashi, Hiroshi Kumigashira and Tohru Higuchi
    66th Annual Meeting of the International Society of Electro chemistry
    2015.10/4-9, Taipei, Taiwan

2014年度

  1. 中間価数系近似結晶の作製と物性
    深海令子，廣戸孝信，室裕司，樋口透，田村隆治
    日本物理学会，早稲田大学
    2015.3/22
  2. 軟x線分光によるCe0.90Ｓm0.10O2薄膜の電子構造
    山口翔平，小林正起，組頭広志，樋口透
    日本物理学会，早稲田大学
    2015.3/21-25
  3. Ｎd1-x　SrxFeO3の構造及び電気特圧
    鈴木直哉，山田陸人，小林正起，樋口透
    日本物理学会，早稲田大学
    2015.3/21-25
  4. 基板応用を制御したV2O3薄膜の金属-絶縁体転移
    島津雄一，嶋田敦志，田辺健治，常盤和靖，小林正起，組頭広志，樋口透
    日本放射光学会，立教大学
    205.1/1
  5. Fe-dopedTiO2薄膜の共鳴光電子分光
    樋口透，臼井勝哉，山口翔平，坂井延寿，小林正起，組頭広志
    日本放射光学会，立命館大学
    2015.1/12
  6. Sm-dopedCeO2薄膜の軟X線分光
    山口翔平，樋口透，小林正起，組頭広志
    日本放射光学会，立命館大学
    2015.1/12
  7. 価数・格子歪を制御した VO2薄膜の軟X線分光
    末次高明，島津雄一，小林正起，堀場弘司，組頭広志，樋口透
    日本放射光学会，立命館大学
    2015.1/12
  8. 局所的なイオン移動を利用した界面特性の制御とデバイスへの応用
    寺部一弥，土屋敬志，Yang Rui，尾地真典，樋口透，青野正和
    固体イオニクス討論会，東京工業大学
    2014.11/19
  9. RFマグネトロンスパッタ法により作製したBaPrO3-ｄ薄膜の構造と電気特性
    小田明翔，樋口透，小林正起，組頭広志
    固体イオニクス討論会，東京工業大学
    2014.11/19
  10. CeをドープしたSrTiO3薄膜の構造特性と電子ーイオン混合伝導
    加藤裕之，小林清，小林正起，組頭広志，樋口透
    固体イオニクス討論会，東京工業大学
    2014.11/19
  11. 酸素ラジカル照射による高品質酸化物半導体スパッタ薄膜の高効率・低温成膜化
    樋口透
    STARC2014ワークショップ
    新横浜国際ホテル，2014.9/3
  12. 格子歪と酸素欠陥を制御したBaCe0.9Y0.1O3-d薄膜の構造・電気特性
    樋口透，大和久智宏，小林正起，組頭広志
    電池討論会，京都国際会館
    2014.11/19-21
  13. Electrical characteristic of all-solid-state electric-double-layer transistor
    achieved by yttria-stabilized zirconia proton conductor and SrTiO3 single crystal
    Masanori Ochi, Takashi Tuschiya, Kiyoshi Kobayashi, Tohru Higuchi, and Kazuya Terabe
    MNC2014国際会議, Hilton Fukuoka, 2014.11/4-7
  14. Electronic Structure and Oxygen Ion Conductivity of As-Deposited Ce0.90Sm0.10O2-δThin Film Prepared by RF Magnetron Sputtering
    Syuhei Yamaguchi, Tohru Higuchi, Masaki Kobayashi, Koji Horiba and Hiroshi Kumigashira
    MNC2014国際会議,Hilton Fukuoka, 2014.11/4-7
  15. Surface Electronic Structure of Ti1-xFeO2 with Oxygen Vacancies
    K.Usui, T.Higchi, E.Sakai, M.Kobayashi, H.Kumigashira
    MNC2014国際会議，Hilton　Fukuoka，2014.11/4-7
  16. 放射光による酸化物材料評価と機能設計（招待講演）
    樋口　透
    PF研究会「高輝度紫外・軟X線を利用した次世代サイエンス」
    2014/10/19, 高エネ研, 小林ホール
  17. BaCe0.85Ru0.05Y0.10O3-ｄスパッタ薄膜の電子ーイオン混合伝導性
    山下智之, 樋口透, 組頭広志, 小林正起
    電気化学会, 北海道大学, 9/27
  18. オキシアパタイト型ランタンゲルマネートの生成組成領域と伝導特性
    五十嵐之人, 小林清, 樋口透, 目　義雄
    日本セラミックス協会, 2014.9/9, 鹿児島大学
  19. VO2薄膜の金属－絶縁体転移における膜厚効果
    末次高明, 島津雄一, 樋口透, 小林正起, 場弘司, 組頭広志
    日本物理学会, 中部大学，9-9
  20. 基板応力を制御したV2O3薄膜の金属－絶縁体移転
    島津雄一, 末次高明, 川村欣也, 樋口透，嶋田敦志, 田辺健治, 常盤和靖, 小林正起, 組頭広志
    日本物理学会,中部大学，9-9
  21. Electronic Structure and Proton Conduction of Y-doped BaCeO3 Thin Film
    T.Higuchi (Invited Speaker)
    17th Solid State Protonic Conductors (SSPC-17) , 2014.9/14-19, Seoul, Korea
  22. Structural and Electrical Properties of BaPrO3 Thin Film Prepared by RF Magnetron Sputtering
    A. Oda, M. Kobayashi, H. Kumigashira, and T. Higuchi
    65th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry, Swiss, 2014.8/31-9/2
  23. Electron and Ion Mixed Conductions of CexSr1-xTiO3-δ Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering
    H. Kato, M. Kobayashi, H. Kumigashira, T. Higuchi
    65th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry, Swiss, 2014.8/31-9/2
  24. Electron-Ion Mixed Conduction of Ru-Doped BaCe0.9Y0.1O3-d Thin Film
    T. Higuchi, T. Yamashita, M. Kobayashi and H. Kumigashira
    IUMRS-ICA, Fukuoka University, 2014.8/23-27
  25. Structural and Electrical Properties of BaPrO3 Thin Film
    T. Higuchi, A. Oda, M. Kobayashi and H. Kumigashira
    IUMRS-ICA, Fukuoka University, 2014.8/23-27
  26. 軟X線分光によるSrZr0.95Y0.05O3薄膜の電子構造と欠陥構造の観測
    村上友梨, 奥村哲平, 小林正起, 組頭広志, 樋口透
    電気化学会、関西大学、2014.3/29
  27. オキシアパタイト型ランタンゲルマネートの生成組成領域と伝導特性
    五十嵐之人, 小林清, 樋口透, 目 義雄
    粉体粉末冶金協会, 早稲田大学国際会議場, 2014.6/3

2013年度

  1. 格子定数を制御したV2O3薄膜の軟X線分光
    島津雄一,加藤裕之,末次高明,奥村哲平,小林正起,組頭広志,樋口透
    日本放射光学会、2014.1/10、広島国際会議場
  2. 非化学量論組成を持つBaxCe1-yYyO3-δ薄膜のプロトン伝導性
    大和久智宏、飯田康貴、羽鳥史高、樋口透
    日本MRS学会、2013.12/9-10、横浜開港記念館
  3. RFマグネトロンスパッタによって作成したFe-doped SrTiO3 薄膜の構造と電気特性
    鈴木直哉,奥村哲平、樋口透
    本MRS学会、2013.12/9-10、横浜開港記念館
  4. Al2O3基盤上に作製したFe-doped TiO2薄膜の構造.光学特性における膜厚の影響
    高浦直己、臼井勝哉、樋口透
    日本MRS学会、2013.12/9-10、横浜開港記念館
  5. 酸素ラジカルを用いて作製したVO2スパッタ薄膜のドメイン構造と金属‐絶縁体転移
    末次高明、島津雄一、樋口透
    日本MRS学会、2013.12/9-10、横浜開港記念館
  6. RFマグネトロンスパッタ法により作製したCe-doped SrTiO3薄膜の電子-イオン混合伝導
    加藤裕之、樋口透
    日本MRS学会、2013.12/9-10、横浜開港記念館
  7. Ti1-xFexO2-δ薄膜の表面状態における構造および電気特性
    臼井勝哉、井上智宏、坂井延寿、組頭広志、樋口透
    日本MRS学会、2013.12/9-10、横浜開港記念館
  8. Structural and Electrical Properties of Ce1-xYxO2-δ Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering
    田崎勇次、樋口透
    日本MRS学会、2013.12/9-10、横浜開港記念
  9. 軟Ｘ線ラマン分光によるLa0.6Sr0.4FeO3薄膜の電子構造
    樋口透、佐多教子、井口史匡、Jinghua Guo、湯上浩雄
    固体イオニクス討論会、　2013.11/20-22, 熊本
  10. 軟X線分光によるSrZr1-xYxO3薄膜の電子構造
    奥村哲平、佐多教子、Jinghua Guo、樋口透
    固体イオニクス討論会、2013.11/20-22, 熊本
  11. RFマグネトロンスパッタ法により作製したBaCe0.9-xRuxY0.1O3薄膜の構造・電気特性
    山下智之、山口翔平、奥村哲平、樋口透
    固体イオニクス討論会、　2013.11/20-22, 熊本
  12. 酸化物イオン伝導性オキシアパタイトの合成プロセス開発から電解質特性解明まで
    小林清，北嶋将太，三原俊哉，高橋聡志，鈴木達，打越哲郎，樋口透，明石拓也，石垣隆正，目義雄
    第33回エレクトロセラミックス研究討論会,
    10/24-25, 文部科学省研究交流センター(つくば)
  13. オキシアパタイト型ランタンゲルマネートの新規低温合成プロセス開発と伝導度測定
    北嶋　将太, 小林　清, 樋口　透, 目　義雄
    第33回エレクトロセラミックス討論会
    10/24-25, 文部科学省研究交流センター(つくば)
  14. Electrical Conductivity of Sc-doped TiO2 Thin Film Prepared by RF Magnetron Sputtering
    T. Inoue, T. Okumura, E. Sakai, H. Kumigashira, and T. Higuchi
    26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2013)
    11/5-8, Sapporo in Japan
  15. Low Temperature Crystallization of TiO2-d Thin Film by RF Magnetron Sputtering Using Oxygen Radical
    Y. Shimazu, T. Higuchi, T. Okumura, E. Sakai, H. Kumigasira, M. Okawa, and T. Saitoh
    26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2013)
    11/5-8, Sapporo in Japan
  16. Fabrication of V2O3 Thin Film by RF Magnetron Sputtering using Oxygen Radical and V-metal
    Y. Shimazu, T. Suetsugu, E. Sakai, H. Kumigasira, and T. Higuchi
    26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2013)
    11/5-8, Sapporo in Japan
  17. オキシアパタイト型ランタン・ゲルマネートの新規低温合成法とイオン伝導度測定
    北嶋　将太，小林　清，樋口　透，目　義雄
    日本セラミックス協会秋季シンポジウム
    9/4~6、信州大学
  18. Structural and electrical properties of Ti1-xFexO2-d thin film prepared by RF magnetron sputtering
    K. Usui, T. Okumura, E. Sakai, H. Kumigashira, and T. Higuchi
    LPBMS2013 - Light and Particle Beams in Materials Science 2013
    2013. 8/29-31, Tsukuba
  19. PROTON CONDUCTION AND ELECTRONIC STRUCTURE OF BaCe0.9Y0.1O3-d THIN FILM ON Al2O3 SUBSTRATE
    T. Owaku, T. Okumura, T. Yamashita, E. Sakai, H. Kumigashira and T. Higuchi
    The 19th International Conference on Solid State Ionics (SSI-19)
    2013. 6/5, Kyoto in Japan
  20. NON-LINEAR DOPING EFFECT ON THE ELECTRICAL TRANSPORT OF BaZr1-xPrxO3
    S. Miyoshi, M. Tamaru, D. Kim, T. Higuchi, Y. Oyama, S. Yamaguchi
    The 19th International Conference on Solid State Ionics (SSI-19)
    2013. 6/5, Kyoto in Japan
  21. ELECTRON-OXYGEN ION CONDUCTIONS OF CeO2 THIN FILMS PREPARED BY REACTIVE RF MAGNETRON SPUTTEING USING OXYGEN RADICAL
    Y. Tasaki, Y. Shimazu, Y. Asatsuma and T. Higuchi
    The 19th International Conference on Solid State Ionics (SSI-19)
    2013. 6/4, Kyoto in Japan
  22. THE SURFACE ELECTRONIC STRUCTURE OF SrTi1-xScxO3 THIN FILM BY HIGH RESOLUTION PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
    T. Okumura, E. Sakai, H. Kumigashira and T. Higuchi
    The 19th International Conference on Solid State Ionics (SSI-19)
    2013. 6/6, Kyoto in Japan
  23. Proton conduction of SrZr0.95Y0.05O3 thin film prepared by RF magnetron sputtering
    A. Oda, T. Okumura and T. Higuchi
    13th International Symposium on Solid Oxide Fuel Cells (SOFC-XIII)
    2013.10/5, Okinawa in Japan
  24. DEVELOPMENT OF NEW SYNTHESIS ROUTE OF LANTHANUM GERMANATE OXYAPATITE FROM HOMOGENEOUS AQUEOUS SOLUTION
    S. Kitajima, K. Kobayashi, T. Higuchi, Y. Sakka
    10th Pacific Rim Conference on Ceramic and Glass Technology (PacRim10),
    2013.6/5, San Diego in USA
  25. 均質水溶液を用いたオキシアパタイト型ランタンゲルマネートの新規低温合成法
    北嶋将太、小林清、樋口透、目義雄
    電気化学会、3/29～3/31

2012年度

  1. BiFe0.96M0.04O3（M＝Mn,Co)薄膜の軟X線発光分光
    樋口透、永沼博、Yi-ShengLiu、Jinghua.Guo、岡村総一郎
    日本放射光学会
    2013.1/12-1/14 名古屋大学
  2. Sc-doped SrTiO3薄膜の軟X線分光
    奥村哲平、加藤裕之、井上智弘、坂井延寿、組頭広志、樋口透
    日本放射光学会
    2013.1/12-1/14 名古屋大学
  3. Fe-doped TiO2薄膜の軟X線分光
    臼井勝哉、井上智弘、奥村哲平、坂井延寿、組頭広志、樋口透
    日本放射光学会
    2013.1/12-1/14 名古屋大学
  4. 酸素ラジカルを用いて作製したCeO2スパッタ薄膜の構造と電気的特性
    田崎勇次、島津雄一、朝妻優一、樋口透
    第38回固体イオニクス討論会
    2012.12/3-12/5、京都テルサ
  5. BeCeO.9YO.103-δスパッタ薄膜のプロトン伝導における膜厚の影響
    大和久智宏、飯田康貴、島津雄一、樋口透
    第38回固体イオニクス討論会
    2012.12/3-12/5、京都テルサ
  6. RFマグネトロンスパッタ法によるSrZ1-XYXO3薄膜の電子構造及び輸送特性
    奥村哲平、坂井延寿、組頭広志、樋口透
    第38回固体イオニクス討論会
    2012.12/3-12/5、京都テルサ
  7. クエン酸塩焼結法を用いたオキシアパタイト型ランタンゲオルマネートの新規低温合成法1
    北嶋将太、樋口透、小林清、目義雄
    材料科学若手研究者討論会、8/31、横浜国立大学
  8. Non-Linear Doping effect on the Electrochemical Properties of BaZr1-xPrxO3
    M. Tamaru, S. Miyoshi, D. Kim, T. Higuchi, Y. Oyama, and S. Yamaguchi
    Monday, October 8, 2012 at 09:20h in 318A, Level 3, Hawaii Convention Center
  9. クエン酸塩燃焼法を用いたオキシアパタイト型ランタン・ゲルマネートの新規低温合成法2
    北嶋将太、樋口透、小林清、目義雄
    日本セラミックス学会, 9/19-21, 名古屋大学
  10. スパッタ法により作製したSc-doped TiO2薄膜の構造と電気特性
    井上智弘, 冨山和哉, 坂井延寿, 組頭広志, 樋口透
    応用物理学会、9/11-14、愛媛大学
  11. Sc-doped SrTiO3 スパッタ薄膜におけるドープ量及び膜厚効果
    加藤裕之, 奥村哲平, 坂井延寿, 組頭広志, 樋口透
    応用物理学会、9/11-14、愛媛大学
  12. 軟X線分光によるFe-doped TiO2薄膜の電子構造
    臼井勝哉, 松本雅至, 井上智弘, 奥村哲平, 坂井延寿, 組頭広志, Per-Anders Glans, Jinghua Guo, 樋口透
    応用物理学会、9/11-14、愛媛大学
  13. 酸素ラジカルを用いて作製したTiO2-d スパッタ薄膜の電子構造
    島津雄一, 奥村哲平, 中山創, 坂井延寿, 組頭広志, 樋口透
    応用物理学会、9/11-14、愛媛大学
  14. Hole and Ion Conductions of Sc-Doped SrTiO3 Thin Film Prepared by RF Magnetron Sputtering
    H. Kato, T. Okumura and T. Higuchi
    IUMRS-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2012)
    23rd (Sun.) to 28th (Fri.) September, 2012 at Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
  15. Surface Electronic Structure of BaZr1-xYxO3 by Soft-X-ray Spectroscopy
    T. Higuchi, F. Iguchi, Y. Nagao, N. Sataand, H. Yugami
    IUMRS-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2012)
    23rd (Sun.) to 28th (Fri.) September, 2012 at Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
  16. ELECTRONIC STRUCTURE OF PROTON CONDUCTOR SrTi1-xScx03　THIN FILM PROBED BY HIGH-RESOLUTION PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
    T. Okumura, T. Higuchi, Y. Kobayashi, N. Sakai and H. Kumigashira
    アジア固体イオニクス学会（ACSSI-13), 2012. 7/16-20, Tohoku University
  17. INFLUENCE OF FILMTHICKNESS ON PROTON CONDUCTOR BaCeO.9YO.103-d THIN FILM PREPPARED ON A1203 SUBSTRATE
    T. Owaku, Y. Iida, H. Fukawa, and T. Higuchi
    アジア固体イオニクス学会（ACSSI-13), 2012. 7/16-20, Tohoku University
  18. ELECTRONIC STRUCTURE OF PROTON CONDUCTOR BaZr1-xYx03 PROBED BY SOFT-X-RAY SPECTROSCOPY
    T. Higuchi, F. Iguchi, Y. Nagao, N. Sata and H. Yugami
    アジア固体イオニクス学会（ACSSI-13), 2012. 7/16-20, Tohoku University
  19. 均質溶液からのオキシアパタイト型ランタンゲルマネートの生成過程の解析
    北嶋将太、樋口透、小林清、目義雄
    電気化学会　固体化学の新しい指針を探る研究会, 2012,3/8, 東京工業大学
  20. 均質溶液からのオキシアパタイト型ランタンゲルマネートの生成過程の解析
    北嶋将太、樋口透、小林清、目義雄
    日本セラミックス学会、2012. 3/19-21 京都大学
  21. Sc-doped TiO2スパッタ薄膜の光触媒活性における膜厚効果
    井上智弘、山下智之、富山和哉、樋口透
    応用物理学会、2012. 3/15-17. 早稲田大学
  22. Sc-doped SrTiO3スパッタ薄膜の表面構造と電気特性
    小林祐輔、奥村哲平、富山和哉、樋口透
    応用物理学会、2012. 3/15-17. 早稲田大学

2011年度

  1. 酸素ラジカルを用いて作製したCeO2薄膜の電子状態
    青木聖也, 樋口透, W. Yang, P. Velasco, J. Chen, J. Guo
    放射光学会、2012.1/6-9, 鳥栖市民文化会館
  2. 光触媒活性を有するTiO2/Al2O3薄膜のX線非弾性散乱
    樋口透, 南川真樹, 冨山和哉, 井上智弘, Y. Liu, J. Guo
    放射光学会、2012.1/6-9, 鳥栖市民文化会館
  3. Electrical Conductivity of TiO2-δ Thin film prepared by RF Magnetron Sputtering Using Oxygen Radical
    S. Nakayama, T. Uchida, T. Okumura and T. Higuchi
    日本MRS学術シンポジウム、12/19-21、横浜開港記念館(横浜)
  4. Structure and Optical Properties of Deposition for SrTi1-xScxO3 Thin Film by Sputtering
    T. Okumura, Y. Kobayashi, F. Ihara and T. Higuchi
    日本MRS学術シンポジウム、12/19-21、横浜開港記念館(横浜)
  5. Structural and Electrical Properties of BaCe0.9Y0.1O3-d Thin Film on Al2O3 Substrate
    T. Owaku, Y. Iida, H. Fukawa, and T. Higuchi
    日本MRS学術シンポジウム、12/19-21、横浜開港記念館(横浜)
  6. Effect of Sc doping for TiO2 thin films prepared by RF Magnetron Sputtering
    T. Inoue, K. Tomiyama, T. Owaku, T. Yamashita, and T. Higuchi
    日本MRS学術シンポジウム、12/19-21、横浜開港記念館(横浜)
  7. Electronic Structure of BiFe1-xMxO3 (M=Mn and Co) Films by Soft-X-Ray Spectroscopy
    T. Higuchi, H. Naganuma, J. Miura, Y. Inoue, S. Okamura, Y. Liu, P. -A. Glans and J. -H Guo
    日本MRS学術シンポジウム、12/19-21、横浜開港記念館(横浜)
  8. RFマグネトロンスパッタ法により作製したCeO2薄膜の電子構造・価数状態
    樋口透、青木聖也、Yi-Sheng Liu, Per-Anders Glans, Jinghua Guo
    固体イオニクス討論会 12/7-9 白兎会館 (鳥取市末広温泉町556)
  9. RFマグネトロンスパッタ法により作製したBaCeYO3薄膜の構造・電気伝導性
    府川裕行、大和久智宏、飯田康孝、樋口透
    固体イオニクス討論会 12/7-9 白兎会館 (鳥取市末広温泉町556)
  10. 酸素ラジカルを用いて作製したTiO2薄膜の酸素欠陥及び膜厚の影響
    中山 創，奥村 哲平，大和久 智宏，樋口 透
    応用物理学会(山形大学)、2011.8/30
  11. Sc-doped SrTiO3スパッタ薄膜の構造・電気特性
    小林祐輔, 浅沼祥, 冨山和哉，樋口透
    応用物理学会(山形大学)、2011.8/30
  12. CsH2PO4の軟X線吸収スペクトルの温度依存性
    福永正則，仁科哲也，樋口透，馬込栄輔，小向得優
    日本物理学会(富山大学)、2011.9/21-24
  13. STRUCTURAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF BaCe0.9Y0.1O3-d/MgO THIN FILMS
    H. Fukawa, H. Takahashi, K. Tomiyama, Y. Kobayashi, D. Ageishi, S. Mochizuki and T. Higuchi
    18th International Conference of Solid State Ionics (Warsaw), 2011.7/7
  14. ELECTRONIC STRUCTURE OF BaZr1-xYxO3 BY SOFT-X-RAY SPECTROSCOPY
    T. Higuchi, F. Iguchi, H. Fukawa, W. Yang, Y. Liu, J. Guo, Y. Nagao, N. Sata and H. Yugami
    18th International Conference of Solid State Ionics (Warsaw), 2011.7/7

2010年度

  1. ぺロブスカイト型酸化物BaPrO3における電子構造・電気輸送特性と反応活性
    菊池健夫，三好正悟，三室伸，尾山由紀子，樋口透，山口周
    固体イオニクス討論会(仙台市情報・産業プラザ), 2010/11月24日(水)-26日(金)
  2. Sc-doped TiO2の軟X線発光分光
    冨山和哉, 樋口透,　小林祐輔,　W. Yang, P. Velasco, J. Chen, J. Guo
    放射光学会（つくば）、2011.1/7-10
  3. Valence State of BaCe1-xYxO3 Ceramic by Soft-X-Ray Spectroscopy
    T. Higuchi, H. Fukawa and H. Takahashi
    日本MRS学術シンポジウム (横浜開港記念館)、2010.12/20
  4. La0.6Sr0.4FeO3 薄膜の軟X 線ラマン散乱
    松本雅至, 樋口透, Wanli Yang, Paul Olalde-Velasco, Yi-Sheng Liu,
    Jeng-Lung Chen, and Jinghua Guo
    放射光学会（つくば）、2011.1/7-10
  5. Y-doped BaZrO3 の軟X 線発光・吸収分光
    樋口透, 府川裕行, W. Yang, P. Velasco, J. Chen, Y. Liu, J. -H Guo,
    井口史匡, 長尾祐樹, 佐多教子, 湯上浩雄
    放射光学会（つくば）、2011.1/7-10
  6. セラミックス焼結体をターゲットに用いたRFスパッタリングによる Sc-doped TiO2薄膜の作製と評価
    冨山和哉, 小林祐輔, 樋口 透
    応用物理学会 (長崎大学), 2010年9月14-17日
  7. Grazed Al2O3基板に作製したTiO2スパッタ薄膜の酸素ラジカル照射効果
    本庄 史幸, 清水 剛志, 行川洋平, 樋口 透
    応用物理学会 (長崎大学), 2010年9月14-17日
  8. 軟X線分光によるKH2PO4単結晶の電子構造解析II
    仁科哲也，樋口透，福永正則，Jeng-Lung Chen，Paul Olalde Velasco，Wanli Yang，馬込栄輔，
    Jinghua Guo，小向得優
    日本物理学会　大阪府立大学中百舌鳥キャンパス 2010/9/23(木)-26(日)
  9. 軟X線分光によるBaZr1-xYxO3の電子構造
    樋口透、府川裕行、Wanli Yang、Paul Olalde-Velasco, Jeng-Lung Chen, Yi-Sheng Liu、Jinghua Guo、井口史匡、長尾祐樹、佐多教子、湯上浩雄
    固体イオニクス討論会 (仙台市情報・産業プラザ), 2010/11月24日(水)-26日(金)
  10. BaCe0.90Y0.10O3薄膜の作製と構造的・電気的評価
    府川裕行、小林祐輔、樋口透
    固体イオニクス討論会 (仙台市情報・産業プラザ), 2010/11月24日(水)-26日(金)
  11. Electronic Structure of La0.6Sr0.4FeO3/MgO Thin Film by Soft-X-Ray Spectroscopy
    T. Higuchi, M. Matsumoto, W. Yang, P. Olalde-Velasco, J Chen, Y. Liu, and J. -H Guo
    日本MRS学術シンポジウム (横浜開港記念館)　2010.12/20
  12. Electronic Structure in the Bulk State of SrTiO3-d by Soft-X-Ray Spectroscopy)
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, S. Yamaguchi and S. Shin
    日本MRS学術シンポジウム (横浜開港記念館)　2010.12/20
  13. Structral and electric properties of Sc-doped SrTiO3
    Y. Kobayashi, K. Tomiyama and T. Higuchi
    日本MRS学術シンポジウム (横浜開港記念館)　2010.12/20
  14. Electronic Structure of KH2PO4 Single Crystal Studied by Soft-X-Ray Spectroscopy
    T. Nishina, T. Higuchi, E. Magome, and P. Olade-Velasco, J. -H. Guo and M. Komukae
    The 10th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity
    2010年6月20日 ～ 6月23日
  15. PLDによるSrZrO3薄膜の結晶化プロセスとプロトン導電性
    佐多教子，田村奨，野原佑太，兼子祐司，長尾祐樹，蔭山博之，野村勝裕，半田克巳，鶴井隆雄，樋口透，井口史匡，湯上浩雄
    日本物理学会 (立教大学)、 2010年4月1日
  16. 軟X線分光によるKH2PO4単結晶の電子構造解析
    仁科哲也，樋口透，馬込栄輔，Yi-sheng Liu，Jeng-Lung Chen，Jinghua Guo，小向得優
    日本物理学会 (立教大学)、2010年4月1日
  17. 軟Ｘ線分光によるオキシアパタイト型ランタノイドシリケートの電子構造
    府川裕行，小林　清，樋口　透
    応用物理学会 (東海大学)、2010年4月1日
  18. Sc-doped TiO2 セラミックス・薄膜の表面構造と電気特性
    小林祐輔，冨山和哉，松本雅至，樋口　透
    応用物理学会 (東海大学)、 2010年4月1日

2009年度

  1. 共鳴軟Ⅹ線発光分光によるLa0.6Sr0.4FeO3/ La0.6Sr0.4CoO3薄膜の電子構造
    松本雅至，樋口透，服部武志，Wanli Yang，Paul Olalde-Velasco，Yi-Sheng Liu，Jeng-Lung Chen，Jinghua Guo
    放射光学会 (姫路)、2010年1月8日
  2. プロトン導電体Y-doped SrZrO3薄膜の共鳴軟X線発光分光
    樋口透、高橋泰海、Yi-Sheng Liu、Per-Anders Glans、Jinghua Guo
    放射光学会 (姫路)、2010年1月8日
  3. Yb-doped BaPrO3の共鳴軟X線発光分光
    樋口透、三室伸、三好正悟、尾山由紀子、小林清、山口周、Yi-Sheng Liu、Per-Anders Glans、Jinghua.Guo
    放射光学会 (姫路)、2010年1月8日
  4. 磁性強誘電体Mn-doped BiFeO3の共鳴軟X線発光分光
    樋口透、Yi-Sheng Liu、Per-Anders Glans、Jinghua Guo
    放射光学会 (姫路)、2010年1月7日
  5. PLD法によるSrZrO3薄膜の形成と結晶構造
    佐多教子，田村 奨，野原佑太，兼子祐司，長尾祐樹，蔭山博之，野村勝裕，半田克巳，鶴井隆雄，樋口 透，井口史匡，湯上浩雄
    固体イオニクス学会, 2009年12月8日
  6. 酸素ラジカル支援RF マグネトロンスパッタ法によるBi4Ti3O12/TiO2 薄膜の成長
    樋口透、柾屋浩明、稲田直子、Yi-Sheng Liu, Jinghua Guo
    日本MRS学術シンポジウム (横浜開港記念館)、2009年12月7日
  7. 酸素ラジカル支援により作製したTiO2/glass 薄膜の表面構造と光誘起親水性
    高野祐介，手島勇人，本庄史幸，南川真樹，石井行弘，樋口透
    日本MRS学術シンポジウム (横浜開港記念館)、2009年12月7日
  8. Strong correlation in transport properties between holes/protons and B-site multivalent cations in perovskite oxides
    Shu YAMAGUCHI, Mao Tamaru, Shogo Miyoshi, Yukiko Oyama, and Tohru Higuchi
    Materials Science & Technology 2009 (USA), 2009年10月25日 ～ 10月29日
  9. Electronic structure of Rb3H(SeO4)2 by soft X-ray spectroscopy
    S. Aoki, T. Higuchi, E. Magome, J. Guo and M. Komukae
    The 3rd UT Horiba International Symposium and The 11th ISSP International Symposium (ISSP-11) on Hydrogen and Water in Condensed Matter Physics
    2009年10月13日
  10. Electronic Structure of KH2PO4 Single Crystal Proved by Soft X-ray Spectroscopy
    T. Nishina, T. Higuchi, E. Magome, J. Guo and M. Komukae
    The 3rd UT Horiba International Symposium and The 11th ISSP International Symposium (ISSP-11) on Hydrogen and Water in Condensed Matter Physics
    2009年10月13日
  11. 酸素ラジカルを用いて作製したTiO2/Al2O3スパッタ薄膜の光触媒性と光親水性
    本庄史幸，青木聖也，行川洋平，南川真樹，樋口　透
    応用物理学会 (富山大学)、 2009年9月10日
  12. PLD-ポストアニール法により成膜したSrZrO3薄膜の結晶構造
    佐多教子,田村　奨,野原佑太,鶴井隆雄,樋口　透,長尾祐樹,井口史匡,湯上浩雄
    電気化学会 (山梨大学)、2009年9月10日
  13. 酸素ラジカル支援により作製したTiO2/glassスパッタ薄膜の表面構造と光誘起親水性
    高野祐介，手島勇人，本庄史幸，南川真樹，石井行弘，樋口　透
    応用物理学会 (富山大学)、2009年9月10日
  14. Sc-doped TiO2セラミックス・薄膜の作製と構造・光学的評価
    冨山和哉，松本雅至，樋口　透
    応用物理学会 (富山大学)、2009年9月9日
  15. Growth of Ba2-xSrxNaNb5O15 thin film on La0.05Sr0.95TiO3 substrate by pulsed laser deposition
    Tohru Higuchi, Takeshi Hattori, Takeyo Tsukamoto
    Eighth Japan-Finland Joint Symposium on Optics in Engineering (OIE '09)
    2009年9月4日
  16. Resonant Soft-X-Ray Inelastic Scattering of Perovskite-Type Fe Oxide
    樋口透
    東京大学物性研究所　短期研究会, 2009年7月23日 ～ 7月24日
  17. 混合原子価のPrをドープしたBaZrO3の電気伝導特性と欠陥・電子構造
    田丸　奏，三好正悟，尾山由紀子，樋口　透，山口　周
    電気化学会（京都大学）, 2009.3/28
  18. アクセプターおよびドナーをドープしたBaPrO3の電気輸送特性と電子構造
    三好正悟，菊池健夫，三室　伸，尾山由紀子，樋口　透，山口　周
    電気化学会（京都大学）, 2009.3/28
  19. 共鳴軟X線発光分光によるLa0.6Sr0.4FeO3薄膜の電子構造
    松本雅至，樋口　透，服部武志，Wanli Yang，Paul Olalde-Velasco，Yi-Sheng Liu，Jeng-Lung Chen，Jingha Guo
    応用物理学会（つくば大学）, 2009.3/30
  20. 軟X線分光によるKH2 PO4の表面・バルクの電子構造
    仁科哲也，樋口　透，服部武志，Yi-sheng Liu，Jeng-Lung Chen，Jinghua Guo
    応用物理学会（つくば大学）, 2009.3/30
  21. 軟X線分光によるRb3H(SeO4)2の電子構造
    青木聖也，樋口　透，服部武志，Yi-Sheng Liu，Jeng-Lung Chen，Jingha Guo
    応用物理学会（つくば大学）, 2009.3/30
  22. Co-BiFeO3多結晶薄膜の室温での強誘電性および磁気特性
    永沼　博，三浦　淳，樋口　透，岡村総一郎，安藤康夫
    応用物理学会（つくば大学）, 2009.3/30

2008年度

  1. Ba(Pr,M)O3 (M=Yb, Zr)におけるイオン・電子伝導特性と欠陥・電子構造
    田丸奏，菊池健夫，三室伸，三好正悟，樋口透，小林清，尾山由紀子，辛埴，山口周
    固体イオニクス討論会、2008年12月4日
  2. MgO基板上に作製したBaCe1-xYxO3-δ薄膜のプロトン伝導性と電子構造
    樋口　透，細野紘世，服部武志
    固体イオニクス討論会、2008年12月3日
  3. マルチフェロイックBiFeO3の共鳴軟X線発光分光
    樋口透, 服部武志, 坂本渉, 伊藤直之, 志村哲生, 余語利信, Yi-Sheng Liu, Per-Anders
    Glans, Jinghua Guo
    放射光学会、2009年1月11日
  4. 光触媒活性を有するTiO2/Al2O3薄膜の軟X線吸収分光
    南川真樹, 樋口透, 服部武志
    放射光学会、2009年1月11日
  5. Basic Principle of Soft-X-Ray spectroscopy and its application (Invited)
    T. Higuchi
    The 4th Summer Seminer on Nanoionics (Sendai), 2008.9/15
  6. BaPr1-xYbxO3のおけるプロトン-ホール混合導電性
    三好正悟, 三室伸, 樋口透, 小林清, 尾山由紀子, 辛埴, 山口周
    第49回固体イオニクス研究会 (山形大学) 2008.6/26
  7. Study on Solid State Ionic Materials using Synchrtron Radiation (Invited)
    T. Hattori and T. Higuchi
    11th Asian Conference on Solid State Ionics: New Materials for Pollution Free Energy
    Devices, India, 2008.6/10
  8. Ferroelectric and Structural Properties of Ba0.6Sr1.4NaNb5O15 Thin Films Prepared at
    Low Temperature
    Y. Suzuki, T. Higuchi, T. Hattori and T. Tsukamoto
    IUMRS-ICA2008, 2008.12/7-11, 名古屋国際会議場
  9. Electronic Structure of Bi4Ti3O12 Thin Film with TiO2 Anatase Layer Probed by Soft-X-Ray Spectroscopy
    H. Masaya, T. Higuchi, Y. Liu, P. Yao, P. Glans, T. Hattori, T. Tsukamoto, J. Guo
    IUMRS-ICA2008, 2008.12/7-11, 名古屋国際会議場
  10. Soft-X-Ray Absorption Study on Multiferroic Mn-doped BiFeO3 ceramics
    T. Higuchi, W. Sakamoto, N. Itoh, T. Shimura, T. Yogo, P. Yao, Y. Liu, P. Glans, T. Hattori, J. Guo
    IUMRS-ICA2008, 2008.12/7-11, 名古屋国際会議場
  11. Proton conduction and electronic structure of SrZr0.95Y0.05O3/MgO thin film
    H. Takahashi, T. Higuchi, Y. Kobayashi and T. Hattori
    SSPC-14, 2008.9/7-11, コープイン京都
  12. Proton Conduction of Y-doped BaCeO3 thin film on MgO substrate
    T. Higuchi, H. Hosono and T. Hattori
    SSPC-14, 2008.9/7-11, コープイン京都
  13. Electronic Strucure of Proton Conductor by Soft-X-Ray Spectroscopy
    T. Higuchi, T. Hattori and S. Yamaguchi
    SSPC-14, 2008.9/7-11, コープイン京都
  14. Electric Transport Property and Defect Structure of BaPr1-xYbxO3
    S. Miyoshi, S. Mimuro, T. Higuchi, K. Kobayashi, Y. Oyama, S. Shin and S. Yamaguchi
    213th ECS Meeting (Arizona, USA), May 21, 2008
  15. ELECTRONIC STRUCTURE OF DOPED-BiFeO3 THIN FILM PROBED BY SOFT-X-RAY SPECTROSCOPY
    T. Higuchi, H. Naganuma, J. Miura, Y. Inoue, Y. S. Liu, P.-A. Glans, J.-H. Guo, T. Hattori and S. Okamura
    The 6th Asian Meeting on Ferroelectrics(AMF-6) in Taipei
    2008.8/2-6
  16. Electronic structure and electronic transport properties of BaPrO3 doped with Yb
    T. Higuchi, S. Mimiro, S. Miyoshi, K. Kobayashi, Y. Liu, P. Yao, P. A. Anders, J.-H. Guo, Y. Oyama, and S. Yamaguchi
    MS & T in USA
    2008.10/5-7
  17. 高分解能軟X線分光により観測したBiFeO3へのMn置換効果
    樋口 透, 服部武志, 坂本 渉, 伊藤 直之, 志村 哲生, 余語 利信, Y.-S. Liu, P.-A. Glans, J. Guo
    強誘電体応用会議 (コープイン京都)
    2008年5月30日
  18. 高分解能軟X線分光によるマルチフェロイックBiFeO3の電子構造
    樋口　透，坂本渉，伊藤直之，志村哲生，余語利信，服部武志，Yi-Sheng Liu，Per-Anders Grans，Jinghua Guo
    応用物理学会（日本大学）
    2008年3月28日
  19. 軟X線吸収分光によるMn-doped BaTiO3-BiFeO3の価数状態
    樋口　透，坂本渉，伊藤直之，志村哲生，余語利信，服部武志，Yi-Sheng Liu，Per-Anders Grans，Jinghua Guo
    応用物理学会（日本大学）
    2008年3月28日
  20. 酸素ラジカル支援RFマグネトロンスパッタ法により作製したBi4Ti3O12/TiO2薄膜の強誘電特性
    樋口　透，柾屋浩明，服部武志，塚本桓世
    応用物理学会（日本大学）
    2008年3月28日

2007年度

  1. Sr添加LaScO3のプロトン導電特性とその電子構造
    劉　剄, 井口史匡, 長尾祐樹, 樋口　透, 佐多教子, 湯上浩雄
    電気化学秋季大会 9/20 (東工大)
  2. YbをドープしたBaPrO3の電子輸送特性と電子構造
    三室　伸, 柴戸秀太, 樋口　透, 小林　清, 尾山由紀子, 辛　埴, 三好正悟, 山口　周
    電気化学秋季大会 9/20 (東工大)
  3. 高温XRD測定によるSrZrO3薄膜のエピタキシャルな結晶化の観察
    野原佑太, 佐多教子, 鶴井隆雄, 樋口　透, 高橋謙介, 長尾祐樹, 井口史匡, 湯上浩雄
    電気化学秋季大会 9/20 (東工大)
  4. PLD 法によるプロトン導電性酸化物の人工的なヘテロ界面の生成
    佐多教子, 佐久間実緒, 本藤大祐, 野原佑太, 鶴井隆雄, 樋口透, 長尾祐樹, 井口史匡, 湯上浩雄
    固体イオニクス討論会 (名古屋大学)
    2007年12月6日
  5. Sr添加LaScO3単結晶のプロトン伝導特性と電子構造
    劉 勁, 長尾祐樹, 樋口 透, 井口史匡, 佐多教子, 湯上浩雄
    固体イオニクス討論会 (名古屋大学)
    2007年12月6日
  6. Yb をドープしたBaPrO3 の電子輸送特性と欠陥・電子構造
    三室伸, 樋口透, 小林清, 尾山由紀子, 辛埴, 三好正悟, 山口周
    固体イオニクス討論会 (名古屋大学)
    2007年12月6日
  7. スパッタ法により形成した金属酸化物電極による電解オゾン生成
    金田和博, 木塚健太, 河田　桂, 池松峰男, 樋口　透, 服部武志, 塚本桓世, 井関正博
    電気化学会 (東京工業大学)
    2007.9/20
  8. 酸化タンタル系電極による電解オゾン生成
    金田和博，井関正博，池松峰男，木塚健太，米崎孝広，樋口透，服部武志，塚本桓世
    日本オゾン協会 第17回年次研究講演会（愛媛県）
    2007年6月14日
  9. 酸化タンタル系電極による電解オゾン生成
    金田和博, 木塚健太, 池松峰男, 樋口 透, 服部武志, 塚本桓世
    表面技術協会 第115回講演大会（芝浦工業大学）
    2007年3月8日
  10. 人工的なドーパント分布の制御によるプロトン導電性酸化物の研究
    佐多教子，本藤大祐，佐久間実緒，長尾祐樹，樋口透，鶴井隆雄，井口史匡，湯上浩雄
    日本物理学会　9/24 (北海道大学)
  11. BaCe1-xYxO3-α薄膜の電気伝導性の評価
    細野紘世, 樋口透, 吉田智一, 水野祐輔, 塚本桓世, 服部武志
    電気化学秋季大会 9/20 (東工大)
  12. 軟X線吸収・発光分光によるTiO2(Anatase)/Al2O3薄膜の電子構造
    樋口透，南川真樹, 時田進次, 服部武志, 塚本桓世, 福島昭子, 辛埴
    応用物理学会　9/4 (北海道工業大学)
  13. 強いa軸配向性を示すSrZr0.95Y0.05O3/SrTiO3薄膜表面の電気的評価
    小林 良正, 樋口透, 細野紘世, 鈴木優子, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会　9/5 (北海道工業大学)
  14. ｃ軸配向した(Ba,Sr)2NaNb5O15薄膜の構造・強誘電特性
    鈴木優子, 樋口透, 山崎太郎, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会　9/4 (北海道工業大学)
  15. 酸素ラジカルを用いて作製したTiO2/Al2O3スパッタ薄膜の構造・光触媒特性
    南川真樹, 樋口透, 時田進次, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会　9/4 (北海道工業大学)
  16. 軟X線分光によるプロトン導電性酸化物SrZrO3/Pt界面の電子構造
    樋口透, 松本広重, 塚本桓世, 服部武志, 石原達己, 山口周
    電気化学会、東京理科大学
  17. 酸素ラジカルを併用して作製したTiO2/Al2O3スパッタ薄膜の表面構造
    時田進次, 樋口透, 南川真樹, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会 3/27-31 (青山学院大学)
  18. 軟X線分光によるBaTiO3の電子構造における酸素欠損の影響
    樋口透，塚本桓世，服部武志，辛埴
    応用物理学会 3/27-31 (青山学院大学)
  19. 軟X線ラマン散乱によるBi4Ti3O12の電子構造の偏光依存性
    樋口透，塚本桓世，服部武志，原田慈久，辛埴
    応用物理学会 3/27-31 (青山学院大学)
  20. Electronic Structure of Ferroelectric Material Probed by Soft-X-Ray Spectroscopy
    Tohru Higuchi (Invited)
    ISAF-2007, 5/27-31　奈良

2006年度

  1. Enhanced transport properties of beta-FeSi2 in b-c plane observed from [100] oriented thin film on Si(100) substrate
    H.Kakemoto, T.Higuchi, S.Wada, T.Tsurumi
    European-Material Research Society (E-MRS) in France
    2006年5月20日
  2. Optical constants of beta-FeSi2 thin film on Si substrate obtained by simultaneous equations from reflection and transmission spectra
    H.Kakemoto, T.Higuchi, H.Shibata, S.Wada, T.Tsurumi
    Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology (Kyoto)
    2006年7月20日
  3. [100]配向beta-FeSi2薄膜のb-c面内における輸送特性の向上
    掛本博文, 樋口透, 柴田肇, 和田智志, 鶴見敬章.
    日本セラミックス協会第19回秋季シンポジウム (山梨大学)
    2006年9月19日
  4. Optical constants of beta-FeSi2 film on Si substrate obtained from transmittance and reflectance data and origin of Urbach-tail.
    H.Kakemoto, T.Higuchi, H.Shibata, S.Wada, T.Tsurumi
    2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006) in Tokyo
    2006年9月15日
  5. Enhanced transport properties of beta-FeSi2 in b-c plane observed from [100] oriented thin film on Si(100) substrate
    H.Kakemoto, T.Higuchi, H.Shibata, S.Wada, T.Tsurumi
    Fourteenth International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Tokyo) MoP-9. in Tokyo
    2006年9月20日
  6. [100]配向beta-FeSi2薄膜の輸送特性
    掛本博文, 樋口 透, 柴田 肇, 和田智志, 鶴見敬章
    第26回エレクトロセラミックス研究討論会（東京大学）
    2006年11月30日
  7. 電解オゾン生成用電極の開発2
    金田和博, 木塚健太, 池松峰男, 井関正博, 安田昌司, 樋口透, 服部武志, 塚本桓世
    表面技術協会 第114回講演大会（北海道大学）
    2006年10月13日
  8. スパッタ法により作製したSi/Pt/TaOx 電極によるオゾン生成
    金田和博, 木塚健太, 池松峰男, 井関正浩, 松浦英文, 安田昌司, 樋口 透, 服部武志, 塚本桓世
    日本オゾン協会 第16回年次研究講演会（東京）
    2006年6月8日
  9. 希土類をドープしたBaPrO3のプロトン-電子混合導電性の評価
    三室伸、柴戸秀太、尾山由紀子、小林清、樋口透、辛埴、山口周
    固体イオニクス討論会、11/27-29（九州大学）
  10. プロトン導電性酸化物におけるドーパントイオン分布の制御とその結晶構造および電子構造
    佐多教子、本藤大祐、井口史匡、長尾祐樹、鶴井隆雄、樋口透、湯上浩雄
    固体イオニクス討論会、11/27-29（九州大学）
  11. Growth of TiO2/LaAlO3 Thin Films by Oxygen Radical Assist-type RF Magnetron Sputtering
    中村晃, 樋口透, 服部武志, 塚本桓世
    日本MRS学術シンポジウム、12/9 (日大)
  12. Optical and Structural Properties of La2Ti2O7 Thin Films Prepared on SrTiO3 Substrates
    和久井充、樋口透、佐竹真、服部武志、塚本桓世
    日本MRS学術シンポジウム、12/9 (日大)
  13. Polarization Dependence for Electronic Structure of Bi4Ti3O12 Single Crystal Probed by Soft-X-Ray Raman Scattering
    樋口透、服部武志、塚本桓世
    日本MRS学術シンポジウム、12/9 (日大)
  14. Effect of TiO2 Anatase Layer for Bi4Ti3O12 Thin Film Prepared on La0.05Sr0.95TiO3 Substrate
    小西充、樋口透、服部武志、塚本桓世
    日本MRS学術シンポジウム、12/9 (日大)
  15. Growth of Bi4Ti3O12 Thin Films by Two-Dimensional RF Magnetron Sputtering using Oxygen Radical
    柾屋浩明、稲田直子、鈴木優子、樋口透、服部武志、塚本桓世
    日本MRS学術シンポジウム、12/9 (日大)
  16. Unoccupied Electronic State at Low Temperature of SrTiO3-d Probed by Resonant Inverse Photoemission Spectroscopy
    樋口透、服部武志、塚本桓世
    日本MRS学術シンポジウム、12/9 (日大)
  17. 共鳴逆光電子分光によるキャリアーをドープしたSrTiO3の表面電子構造
    樋口透, 服部武志, 塚本桓世, 山口周
    固体イオニクス討論会、11/27-29（九州大学）
  18. Electronic Structure of Protonic Conductor BaCe1-xYxO3 Thin Film Probed by Soft-X-Ray Spectroscopy
    T. HIGUCHI, T. HATTORI, T. TSUKAMOTO and S. YAMAGUCHI
    The 2nd Summer Seminar on Nanoionics, 2006.9/11-13 (あわじ津名ハイツ)
  19. 種々の雰囲気におけるプロトン－電子混合導電体SrZr0.8Y0.1Ru0.1O3-αの電気化学特性
    岡田祥夫、松本広重、志村哲生、樋口透、橋本真一、石原達己
    電気化学会、同志社大, 9/14-15
  20. PLD法により作製したSrZr1-xYxO3/SrTiO3薄膜の伝導特性と界面電子構造
    樋口透，岡田早織，清水哲，吉田智一，小林良正，服部武志，塚本桓世
    電気化学会、同志社大, 9/14-15
  21. スパッタ法により作製したSi / Pt / TaOx電極によるオゾン生成（3）
    金田和博, 木塚健太, 池松峰男, 井関正博, 樋口透, 服部武志, 塚本桓世, 安田昌司
    電気化学会、同志社大, 9/14-15
  22. Si基板上beta-FeSi2 [100]配向膜の輸送特性
    掛本博文，樋口　透，和田智志，鶴見敬章
    応用物理学会、立命館大, 8/29-9/1
  23. 酸素ラジカル支援により作製したTiO2/LaAlO3スパッタ薄膜の構造・光学特性
    中村 晃、樋口透、服部武志、塚本桓世
    応用物理学会、立命館大, 8/29-9/1
  24. PLD法により作製したSrZr1-xYxO3/SrTiO3薄膜の構造・電気特性
    樋口透，岡田早織，清水哲，吉田智一，小林良正，服部武志，塚本桓世
    応用物理学会、立命館大, 8/29-9/1
  25. 界面制御したLa2Ti2O7/SrTiO3薄膜の構造・電気特性
    樋口透，佐竹真，田中洪，和久井充，服部武志，塚本桓世
    応用物理学会、立命館大, 8/29-9/1
  26. FERROELECTRIC AND ELECTRONIC PROPERTIES of UNDOPED-Bi4Ti3O12 THIN FILM ON TiO2 ANATASE LAYER（招待講演）
    T. Higuchi and T. Tsukamoto
    5th Asian Meeting on Ferroelectrics, (2006.9/4, TOKYO UNIVERSITY OF SCIENCE)
  27. Mixed Valence State in the Surface of Ce1-xNdxO2-d Probed by Soft-X-Ray Spectroscopy
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, T. Hattori, S. Shin, Y. Oyama and S. Yamaguchi
    SSPC-13 {Edinburgh, UK}
  28. Proton Conduction of SrZr1-xYxO3 Thin Film on SrTiO3 Substrate Prepared by Pulsed Laser Deposition
    T. Higuchi, S. Okada, S. Shimizu, T. Hattori, T. Tsukamoto and S. Yamaguchi
    SSPC-13 {Edinburgh, UK}
  29. Optical constants of beta-FeSi2 thin film on Si substrate obtained by simultaneous equations from reflection and transmission spectra
    H. Kakemoto, T. Higuchi, H. Shibata, S.Wada and T.Tsurumi
    E-MRS (France) 7/30
  30. La0.05Sr0.95TiO3基板に形成したSr0.5Ba0.5Nb2O6薄膜の構造・強誘電特性
    樋口透, 蝦名慶樹, 服部武志, 塚本桓世
    強誘電体応用会議
    2006. 5/25、コープイン京都
  31. スパッタ法により作製したSi/Pt/TaOx電極によるオゾン生成(2)
    金田和博, 池松峰男, 井関正博, 松浦英文, 樋口　透, 服部武志, 塚本桓世, 安田昌司
    電気化学会
    2004.4/1、首都大学東京
  32. BaO-ZrO2-LnO1.5(Ln=Y,Sc)系の相平衡とプロトン伝導性ペロブスカイト相の安定性
    小島　晶,田中和彦,尾山由紀子,樋口　透,山口　周
    電気化学会 (2004.4/3) 首都大学東京
  33. 軟X線分光によるペロブスカイト型プロトン導電体の電子構造解析（受賞記念講演）
    樋口透
    電気化学会 (2004.4/3) 首都大学東京
  34. MBE法によるSi基板上beta-FeSi2薄膜の作製と電気特性の評価
    掛本博文，樋口透，和田智志，鶴見敬章
    応用物理学会
    2006.3/22~26 武蔵工業大学
  35. PLD法によるBaCeO3/MgO薄膜の作製と電気特性の評価
    吉田智一, 小林良正, 樋口透, 岡田早織, 清水哲, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会 (2006.3/22~26) 武蔵工業大学
  36. 2元RFマグネトロンスパッタ法により作製したBi4Ti3O12薄膜のTiO2-Buffer層の影響
    稲田直子, 柾屋浩明, 西麻里, 樋口透, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会 (2006.3/22~26) 武蔵工業大学
  37. TiO2スパッタ薄膜における酸素ラジカルの成膜照射およびアニール効果
    小川裕庸, 樋口透, 中村晃, 時田進次, 宮崎大介, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会 (2006.3/22~26) 武蔵工業大学
  38. Electrochemical ozone generation using a Si/Pt/TaOx electrode fabricated by RF sputtering
    K. Kaneda, M. Ikematsu, M. Iseki, D. Takaoka, T. Higuchi, T. Hattori, T. Tsukamoto, M. Yasuda
    TOCAT5 (2006.7.23) 東京
  39. A Si/Pt/TaOX electrode fabricated by RF sputtering for electrochemical ozone generation
    K. Kaneda, M. Ikematsu, M. Iseki, D. Takaoka, T. Higuchi, T. Hattori, T. Tsukamoto, M. Yasuda
    IWA (2006.6.14) 北京

2005年度

  1. 軟X線発光・吸収分光によるBi4-xNdxTi3O12単結晶の電子構造
    樋口透, 後藤崇, 野口祐二, 宮山勝, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会（2005. 3/30~31)　埼玉大学
  2. c軸配向した(Sr,Ba)Nb2O6薄膜の強誘電性と電子構造
    蝦名慶樹, ○樋口透, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会（2005. 3/30~31）埼玉大学
  3. 発光・吸収分光法によるc軸配向したBa2NaNb5O15薄膜の電子構造
    山崎太郎, 町田直昭, ﾟ樋口透, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会（2005. 3/30~31）埼玉大学
  4. 軟X線分光によるエピタキシャルPZT薄膜の電子構造
    樋口透, 塚本桓世, 服部武志, 本田佳久, 横山信太郎, 舟窪浩
    応用物理学会（2005. 3/30）埼玉大学
  5. Ruをドープしたペロブスカイトのプロトン－電子混合導電性と電子構造
    松本　広重, 橋本　真一, 石原達己, 志村　哲生, 樋口　透, 大竹　隆憲, 八代　圭司, 川田　達也, 水崎　純一郎
    電気化学会（2005.4/1）熊本大学
  6. Electronic Structure in the Surface State of Ce1-xNdxO2-δ Probed by Resonant- Photoemission Spectroscopy
    T. Higuchi, S. Yamaguchi, K. Kobayashi, T. Hattori, S. Shin and T. Tsukamoto
    SSI-15（2005.7/10）ドイツ(Barden-Barden)
  7. Electronic Structure of Protonic Conductor Ru-Doped BaCeO3 Probed by Soft-X-Ray Spectroscopy
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, H. Matsumoto, T. Shimura, K. Yashiro, T. Kawada, J. Mizusaki, S. Shin,
    S. Yamaguchi and T. Hattori
    SSI-15（2005.7/10）ドイツ(Barden-Barden)
  8. Electronic Structure of ?-Bi2O3-? Probed by Soft-X-Ray Spectroscopy
    T. Higuchi, S. Yamaguchi, K. Kobayashi, T. Hattori, S. Shin and T. Tsukamoto
    SSI-15（2005.7/10）ドイツ(Barden-Barden)
  9. Growth of Protonic Conductor BaCe1-xYxO3-d Thin Film by Pulsed Laser Deposition
    T. Higuchi, T. Kamei, T. Yoshida, S. Okada, T. Tsukamoto, T. Hattori and S. Yamaguchi
    SSI-15（2005.7/10）ドイツ(Barden-Barden)
  10. Surface and bulk electronic structure in nanoionics materials observed by photoelectron spectroscopy
    S. Yamaguchi, T. Higuchi, and Y. Oyama
    SSI-15（2005.7/10）ドイツ(Barden-Barden)
  11. WATER SOLUBILITY IN CeO2 DOPED WITH La, Nd, AND Yb IONS
    Y. Oyama, S. Yamaguchi, N. Sakai, H. Yokokawa, K. Yamaji, T. Horita, T. Higuchi
    SSI-15（2005.7/10）ドイツ(Barden-Barden)
  12. Effect of Oxygen Radical Irradiation of TiO2 Thin Film Prepared by RF Magnetron Sputtering
    H. Ogawa, T. Higuchi, D. Miyazaki, S. Tokita, T. Hattori and T. Tsukamoto
    4th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics
    （2005.4/7）東京ビックサイト
  13. Ruを含むペロブスカイト酸化物のプロトン－電子混合導電性
    松本広重，志村哲生，樋口　透，大竹隆憲，八代圭司，川田達也，水崎純一郎，橋本真一，石原達己
    日本化学会第85春季年会（3/26）神奈川大学
  14. ELECTRIC PROPERTIES IN LSCO/LSFO SUPERLATTICES
    N. Sata, K. Ikeda, N. Kumagai, T. Higuchi, F. Iguchi and H. Yugami
    SSI-15（2005.7/10）ドイツ(Barden-Barden)
  15. 軟X線分光による(Pb,La)(Zr, Ti)O3薄膜の電子構造
    樋口 透, 塚本 桓世, 服部 武志, 本田佳久, 横山信太郎, 舟窪 浩
    強誘電体応用会議（2005. 5/31）コープイン京都
  16. Mixed Protonic-Electronic Conduction Occurring in Some Ru-Doped Perovskites at High Temperatures
    H. Matsumotoa, T. Shimura, T. Higuchi, T. Otake, K. Yashiro, T. Kawada, J. Mizusaki, S. Hashimoto and T. Ishihara
    26th RISO International Symposium on Material Science（2005. 9/4~8）Copenhagen
  17. MBE法で作製したbeta-FeSi2薄膜の光吸収係数
    掛本博文，樋口透，和田智志，鶴見敬章
    日本物理学会 3/26
  18. 酸素ラジカルを併用して作製したアナターゼ型TiO2/SrTiO3スパッタ薄膜の光学特性
    宮崎大介, 樋口透, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会（2005. 9/7-11）徳島大学
  19. (Ba1-xSrx)2NaNb5O15セラミックス及び薄膜の強誘電性の評価
    山崎太郎，樋口透，服部武志，塚本桓世
    応用物理学会（2005. 9/7-11）徳島大学
  20. 酸素ラジカル支援型RFマグネトロンスパッタ法による高品質TiO2/Al2O3薄膜の結晶化
    時田進次，塩田葉子，樋口透，服部武志，塚本桓世
    応用物理学会（2005. 9/7-11）徳島大学
  21. 共鳴逆光電子分光によるバンド幅制御型Ca1-xSrxVO3の電子構造
    和久井充, 樋口透, 弓田基晴, 服部武志, 江口律子, 井上公, 辛埴,　塚本桓世
    応用物理学会（2005. 9/7-11）徳島大学
  22. スパッタ法により作製したSi / Pt / TaOX電極によるオゾン生成
    金田和博、池松峰男、井関正博、高岡大造、樋口　透、服部武志、塚本桓世、安田昌司
    電気化学会（2005. 9/4）千葉大学
  23. 正逆電子分光法を用いた不定比性複合酸化物の局所・表面構造解析
    三室伸, 樋口　透, 尾山由紀子, 服部武志, 山口周
    電気化学会（2005. 9/4）千葉大学
  24. Structural and Ferroelectric Properties of BIT thin films on TiO2 Anatase layer prepared by Metal Organic Vapor Deposition
    T. Higuchi, M. Saitoh, M. Konishi, M. Nakamura, T. Hattori and T. Tsukamoto
    International Symposium on Functional Materials（2005. 12/6-8）Malaysia
  25. Growth of TiO2 thin film by reactive RF magnetron sputtering using Oxygen Radical
    H. Ogawa , T. Higuchi , A. Nakamura , S. Tokita , D. Miyazaki , T. Hattori , and T. Tsukamoto
    International Symposium on Functional Materials（2005. 12/6-8）Malaysia
  26. Ferroelectric Properties of (Ba1-xSrx)2NaNb5O15 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition
    T. Yamasaki, T. Higuchi, T. Hattori and T. Tsukamoto
    International Symposium on Functional Materials（2005. 12/6-8）Malaysia
  27. 正逆光電子分光によるNd-doped CeO2表面の電子構造
    樋口透、塚本桓世、服部武志、小林清、尾山由紀子、山口周
    固体イオニクス討論会（2005.11/27）新潟朱鷺メッセ
  28. 希土類をドープしたセリア中への水溶解・表面反応機構
    尾山由紀子, 山口　周, 千葉裕輝, 河村純一, 服部武志, 樋口　透
    電気化学会（2005. 9/4）千葉大学
  29. Optical Absorption Coefficient of Beta-FeSi2 Thin Film on Si Substrate obtained by Simultaneous Equations from Transmittance and Reflectance Data
    H. Kakemoto, T. Higuchi, S. Wada, T. Tsurumi
    3rd International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT-2005)
    2005. 7/5, Singapole
  30. Ferroelecric and Optical Properties of C-Axis Oriented (Sr,Ba)Nb2O6 Thin Films
    Y. Ebina, T. Higuchi, T. Hattori and T. Tsukamoto
    日本MRS学術シンポジウム（2005. 12/10）日本大学
  31. Optical and Structural Properties of La2Ti2O7 Thin Films Prepared on SrTiO3 Substrates
    M. Satake, T. Higuchi, M. Wakui, T. Hattori and T. Tsukamoto
    日本MRS学術シンポジウム（2005. 12/10）日本大学
  32. Ferroelectricity and Electronic State of Bi4Ti3-xHfxO12
    T. Higuchi, S. Watanabe, Y. Ohno, K. Natsume, T. Hattori and T. Tsukamoto
    日本MRS学術シンポジウム（2005. 12/10）日本大学
  33. Unoccupied Electronic State of PZT Thin films Probed by X-Ray Absorption Spectroscopy
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, T. Hattori, Y. Honda, S. Yokoyama and H. Funakubo
    日本MRS学術シンポジウム（2005. 12/10）日本大学
  34. Ferroelectric Properties of Bi4Ti3O12 Thin Films with TiO2 Anatase Layer Prepared on La-doped SrTiO3
    M. Konishi, T. Higuchi, T. Hattori, T. Tsukamoto
    日本MRS学術シンポジウム（2005. 12/10）日本大学
  35. Effect of Thermal Treatment of Bi4Ti3O12 Thin Films with TiO2 Layer Prepared by MOCVD
    M. Saitoh, T. Higuchi, T. Hattori, T. Tsukamoto
    日本MRS学術シンポジウム（2005. 12/10）日本大学
  36. Effect of Oxygen Radical Irradiation of Bi4Ti3O12 Thin Films by Two-Dimensional RF Magnetron Sputtering
    N. Inada, H. Masaya, T. Higuchi, T. Hattori, T. Tsukamoto
    日本MRS学術シンポジウム（2005. 12/10）日本大学
  37. Electronic Structure in the Surface State of Nd-Doped CeO2 by Electron Spectroscopy
    T. Higuchi, M. Yumita, T. Hattori, T. Tsukamoto, S. Shin and S. Yamaguchi
    1st Summer Seminar on Nanoionics（2005.9/15-17）休暇村磐梯高原(福島)
  38. Analyses of Surface and Local Structures on Carrier-Doped SrTiO3 by Photoemission and Inverse Photoemission Spectroscopy
    S. Mimuro, T. Higuchi, Y. Oyama and S. Yamaguchi
    1st Summer Seminar on Nanoionics（2005.9/15-17）休暇村磐梯高原(福島)
  39. Effect of Sr Substitution for Ba2NaNb5O15 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition
    T. Yamasaki, T. Higuchi, T. Hattori and T. Tsukamoto
    日本MRS学術シンポジウム（2005. 12/10）日本大学
  40. La1-xSrxTiO3における金属-絶縁体転移近傍の共鳴逆光電子分光
    樋口透, 塚本桓世, 服部武志, 田口康二郎, 十倉好紀, 辛埴
    放射光学会（2006. 1/8）名古屋大学
  41. Ca1-xSrxVO3の共鳴逆光電子分光
    和久井充, 樋口透, 服部武志, 塚本桓世, 江口律子, 井上公, 辛埴
    放射光学会（2006. 1/8）名古屋大学
  42. デラフォサイト型酸化物PdCoO2の共鳴逆光電子分光
    樋口透、塚本桓世、服部武志、長谷川正、田中正幸、武居文彦、辛埴
    放射光学会（2006. 1/8）名古屋大学
  43. Nd-doped CeO2-d の正逆光電子分光
    樋口透、福田哲央、和久井充、山口周、服部武志、塚本桓世、辛埴
    放射光学会（2006. 1/8）名古屋大学
  44. 正・逆光電子分光法を用いた表面電子構造の観察
    三室 伸, 樋口 透, 尾山 由紀子, 山口 周
    固体イオニクス討論会（2005. 11/28）新潟大学
  45. BaO-ZrO2-YO1.5系の相平衡と熱力学的安定性
    小島晶、田中和彦、尾山由紀子、樋口透、山口周
    固体イオニクス討論会（2005. 11/28）新潟大学
  46. Ln0.9Sr0.1FeO3-d (Ln=La, Nd)の熱起電力の異常な温度依存性
    小林 清、西岡 将輝、佐藤 剛一、井上 朋也、濱川 聡、角田 達朗、樋口透、山口周
    日本MRS学術シンポジウム（2005. 12/10）日本大学

2004年度

  1. Thermoelectric Power of the Electronic Carriers in the Ionic Crystal
    K. Kobayashi, T. Higuchi, S. Yamaguchi and T. Tsunoda
    15th Intnl. Conf. Solid State Ionics (ACCI-9)
    2004. 6/10/14, Korean
  2. Resonant Soft-X-Ray Raman Scattering of La1-xSrxTiO3
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, Y. Taguchi, Y. Tokura and S. Shin
    The 14th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics (VUV-XIV)
    2004. 7/9-16, Cairns (Australia)
  3. La-doped SrTiO3基板上に形成されたBa2NaNb5O15薄膜の強誘電特性
    亀井隆之, 樋口透, 十河実, 塚本桓世
    強誘電体応用会議
    2004. 5/26-29, コープイン京都
  4. 酸化チタンアナターゼ上に形成されたBi4Ti3O12薄膜の強誘電特性
    樋口透, 中村誠, 蜂巣祐司, 塚本桓世
    2004. 5/26-29, コープイン京都
  5. 軟X線発光分光によるc軸配向した(Sr,Ba)Nb2O6薄膜のバンド構造
    樋口透, 大竹信昌, 塚本桓世
    応用物理学会
    2004. 3/27-30, 東京工科大学
  6. La-doped SrTiO3基板上に形成されたBa1-xSrxNaNb5O15薄膜の強誘電性
    亀井隆之, 樋口透, 十河実, 塚本桓世
    応用物理学会
    2004. 3/27-30, 東京工科大学
  7. La-doped SrTiO3単結晶基板上に形成されたBa2NaNb5O15薄膜の構造・強誘電特性
    亀井隆之, 樋口透, 塚本桓世
    誘電体研究委員会第70.回定例会
    2004. 3/27, 森戸記念館
  8. 遷移金属を添加したペロブスカイト型酸化物のプロトン－電子混合導電性（2）
    佐々木佑介,松本広重,志村哲生,樋口透,片平幸司,大竹隆憲,工藤孝夫,八代圭司,開米篤志,川田達也,水崎純一郎
    電気科学会
    2004.3/28, 場所：
  9. Mixed Protonic-Electronic Conduction in Transition-Metal-Doped Perovskite-Type Oxides
    H. Matsumoto, T. Shimura, T. Higuchi, T. Ohtake, T. Kudo, Y. Sasaki, K. Yashiro, A. Kaimai, Tatsuya Kawada, J.Mizusaki and K. Katahira
    15th Intnl. Conf. Solid State Ionics (ACCI-9)
    2004. 6/10/14, Korean
  10. Hydroxyl capacity, basicity and electronic band structure of acceptor-doped proton conducting oxides
    S. Yamaguchi, T. Higuchi and Y. Oyama
    15th Intnl. Conf. Solid State Ionics (ACCI-9)
    2004. 6/10/14, Korean
  11. Electronic Structure of Protonic Conductor SrCeO3-SrZrO3 Mixed Thin Film Prepared by Pulsed Laser Deposition
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, N. Sata, S. Yamaguchi, S. Shin and T. Hattori
    12th Solid State Proton Conductors Conference (SSPC-12)
    15th-19th August 2004, Uppsala University (Sweden)
  12. Electronic Structure of Protonic Conductor BaCe0.90Y0.10O3-δ
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, H. Matsumoto, T. Shimura, K. Yashiro, T. Kawada, J. Mizusaki, S. Shin, S. Yamaguchi and T. Hattori
    12th Solid State Proton Conductors Conference (SSPC-12)
    15th-19th August 2004, Uppsala University (Sweden)
  13. 酸化チタンアナタ－ゼ薄膜上に形成されたBi4Ti3O12薄膜の低温結晶化
    齋藤雅紀, 中村誠, 蜂巣祐司, 樋口透, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会
    　2004. 9/1-4, 東北学院大学
  14. Bi4Ti3-xZrxO12セラミックス,単結晶の育成と電気・構造特性の評価
    佐竹真, 森内祥行, 樋口透, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会
    2004. 9/1-4, 東北学院大学
  15. Hf-doped Bi4Ti3O12セラミックスの電気特性と構造解析
    渡辺茂高, 樋口透, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会
    2004. 9/1-4, 東北学院大学
  16. (Pb,La)(Zr,Ti)O3薄膜のエネルギーギャップと光学特性
    横井泰弘, 樋口透, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会
    2004. 9/1-4, 東北学院大学
  17. SrxBa1-xNb2O6セラミックス・薄膜の構造・強誘電性の評価
    蝦名慶樹, 十河実, 樋口透, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会
    2004. 9/1-4, 東北学院大学
  18. c軸配向したBa2NaNb5O15/La0.05Sr0.95TiO3薄膜の膜厚依存性
    町田直昭, 十河実, 蝦名慶樹, 樋口透, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会
    2004. 9/1-4, 東北学院大学
  19. 2元RFマグネトロンスパッタ法によるBi4Ti3O12薄膜のラジカル照射効果2
    稲田直子, 岩佐麻弓, 小川裕庸, 樋口透, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会
    2004. 9/1-4, 東北学院大学
  20. 反応性RFマグネトロンスパッタ法により作製されたTiO2薄膜のラジカル照射効果
    小川裕庸, 樋口透, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会
    2004. 9/1-4, 東北学院大学
  21. ペロブスカイト型BaCeO3系酸化物の構造・誘電特性
    岡田早織, 亀井隆之, 樋口透, 服部武志, 塚本桓世
    応用物理学会
    2004. 9/1-4, 東北学院大学
  22. MBE法による?-FeSi2薄膜の作製と光吸収係数の評価
    掛本博文, 樋口透, 塚本桓世, 和田智志, 鶴見敬章
    応用物理学会
    2004. 9/1-4, 東北学院大学
  23. Protonic-Electronic Mixed Conduction in Transition Metal Doped Perovskites at High Temperature
    H. Matsumoto, T. Shimura, T. Higuchi, K. Katahira, T. Otake, Y. Sasaki, T. Kudo, K. Yashiro, A. Kaimai, T. Kawada and J. Mizuksaki
    12th Solid State Proton Conductors Conference (SSPC-12)
    15th-19th August 2004, Uppsala University (Sweden)
  24. Electron density distribution of beta-FeSi2
    H. Kakemoto, T. Higuchi, T. Tsukamoto, S. Wada and T. Tsurumi
    Material Research Society Spring Meeting
    2005, 3/28-4/1 San Francisco
  25. Preparation of b-FeSi2 film and its optical absorption coefficient,
    H. Kakemoto, T. Higuchi, T. Tsukamoto, S. Wada and T. Tsurumi
    Material Research Society Spring Meeting
    2005, 3/28-4/1 San Francisco
  26. Hydrogen Permeation through Ru-Doped Perovskites via Mixed Protonic-Electronic Conduction
    H. Matsumoto, T. Shimura, T. Higuchi, T. Otake, T. Kudo, Y. Sasaki, K. Yashiro, A. Kaimai,
    T. Kawada, and J. Mizusaki
    The 206th Meeting of The Electrochemical Society
    2004, 10/6, Honolulu
  27. 軟X線分光によるプロトン導電体SrZr1-xMxO3 (M=Sc, Y)の電子構造
    樋口透、塚本桓世、松本広重、志村哲生、八代圭司、川田達也、水崎純一郎、服部武志
    固体イオニクス討論会
    2004.12/1, 京都テルサ
  28. Ruをドープしたペロブスカイト型酸化物のプロトン-電子混合導電性
    松本広重、志村哲生、樋口透、大竹隆憲、八代圭司、開米篤志、川田達也、水崎純一郎
    固体イオニクス討論会
    2004.12/1, 京都テルサ
  29. LSCO/LSFO人工超格子の構造と電気特性
    佐多教子、井口史国、池田和哉、樋口透、高村仁、湯上浩雄
    固体イオニクス討論会
    2004.12/1, 京都テルサ
  30. La0.6Sr0.4FeO3/La0.6Sr0.4CoO3薄膜の軟X線分光
    樋口透、塚本桓世、服部武志、池田和哉、井口史匡、佐多教子、湯上浩雄、辛埴
    放射光学会
    2005.1/7-9 佐賀（鳥栖）
  31. La1-xSrxTiO3の共鳴逆光電子分光
    樋口透、塚本桓世、服部武志、手塚泰久、田口康二郎、十倉好紀、辛埴
    放射光学会
    2005.1/7-9 佐賀（鳥栖）
  32. Ferroelectricity and Electronic State of (Sr,Ba)Nb2O6 Thin Film Prepared on La-doped SrTiO3 Substrate
    T. Higuchi, Y. Ebina and T. Tsukamoto
    日本MRS学術シンポジウム
    2004.12/23-24, 日本大学
  33. Growth of Bi4Ti3-xZrxO12 Single Crystal by Floating Zone Method
    T. Higuchi, Y. Moriuchi, M. Satake and T. Tsukamoto
    日本MRS学術シンポジウム
    2004.12/23-24, 日本大学
  34. Electronic Structure of Nd-doped Bi4Ti3O12 Single Crystal Probed by Soft-X-Ray Emission Spectroscopy
    T. Higuchi, T. Goto,1 Y. Noguchi,1 M. Miyayama,1 T. Tsukamoto
    日本MRS学術シンポジウム
    2004.12/23-24, 日本大学
  35. Ferroelectric Properties of Ba2-xSrxNaNb5O15 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition
    T. Higuchi, N. Machida, T. Yamasaki, T. Kamei, T. Tsukamoto
    日本MRS学術シンポジウム
    2004.12/23-24, 日本大学

2003年度

  1. 共鳴光電子分光によるデラフォサイト型酸化物PtCoO2の電子構造
    樋口透, 馬場大輔, 塚本桓世, 長谷川正, 武居文彦, 福島昭子, 辛埴
    日本物理学会
    2003.3/28-31場所：東北大学
  2. 光電子・逆光電子分光によるLightly La-doped SrTiO3の電子構造
    馬場大輔, 樋口透, 江口律子, 辛埴, 十倉好紀, 塚本桓世
    応用物理学会
    2003.3/27-30 場所: 神奈川大学
  3. MOCVD法により作製されたBi4Ti3O12薄膜のTiO2バッファー層の影響
    中村誠, 蜂巣祐司, 樋口透, 塚本桓世
    応用物理学会
    2003.3/27-30 場所: 神奈川大学
  4. レーザーアブレーション法により作製されたBa2NaNb5O15／La0.05Sr0.95TiO3薄膜の配向性の評価
    十河実, 亀井隆之, 樋口透, 塚本桓世
    応用物理学会
    2003.3/27-30 場所: 神奈川大学
  5. 軟Ｘ線吸収分光によるSr1-xBi2+xTa2O9とSm-doped SrBi2Ta2O9の電子構造
    渡辺茂高, 大竹信昌, 樋口透, 辛埴, 塚本桓世
    応用物理学会
    2003.3/27-30 場所: 神奈川大学
  6. 高分解能軟Ｘ線吸収分光によるZr-doped Bi4Ti3O12の電子構造
    森内祥行, 樋口透, 馬場大輔, 細水真人, 大竹信昌, 辛埴,* 塚本桓世
    応用物理学会
    2003.3/27-30 場所: 神奈川大学
  7. 軟Ｘ線吸収・発光分光によるBi4-xLaxTi3O12単結晶のバンド構造とTi-O混成効果
    樋口透, 森内祥行, 野口祐二, 宮山勝, 辛 埴, 塚本桓世
    応用物理学会
    2003.3/27-30 場所: 神奈川大学
  8. Sr-doped Ba2NaNb5O15の強誘電特性と軟Ｘ線吸収分光による電子構造
    後藤圭亮, 樋口透, 十河実, 亀井隆之, 辛埴, 塚本桓世
    応用物理学会
    2003.3/27-30 場所: 神奈川大学
  9. 2元RFマグネトロンスパッタ法によるBi4Ti3O12薄膜の組成制御と熱処理効果
    岩佐麻弓, 工藤和秀, 樋口透, 塚本桓世
    応用物理学会
    2003.3/27-30 場所: 神奈川大学
  10. 共鳴逆光電子分光によるSrTiO3の非占有状態の観測
    樋口透, 金井要, 江口律子, 辛埴, 塚本桓世
    応用物理学会
    2003.3/27-30 場所: 神奈川大学
  11. XPSスペクトルからのBi4Ti3O12のTi-O混成の解析
    町田直昭, 樋口透, 大貫健司, 塚本桓世
    応用物理学会
    2003.3/27-30 場所: 神奈川大学
  12. ?-FeSi2の電子構造
    掛本博文, 樋口透
    応用物理学会
    2003.3/27-30 場所: 神奈川大学
  13. MOCVD法によるTiO2バッファー層上に形成されたBi4Ti3O12薄膜の強誘電性の向上
    中村誠, 樋口透, 塚本桓世
    誘電体研究委員会第69回定例会
    2003.3/26 場所：森戸記念館
  14. MOCVD法により作製されたBi4Ti3O12薄膜のキャリアーガスの効果
    中村誠, 樋口透, 塚本桓世
    強誘電体応用会議
    2003.5/31-6/2 場所：京都
  15. 軟X線分光によるBi4-xLaxTi3O12, Bi4ZrxTi3-xO12の電子構造
    樋口透, 森内祥行, 野口祐司, 宮山勝, 辛埴, 塚本桓世
    強誘電体応用会議
    2003.5/31-6/2 場所：京都
  16. Electronic structures of protonic conductor SrCeO3 by soft-X-ray spectroscopy
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, N. Sata, T. Hattori, S. Yamaguchi, and S. Shin
    SSI-14
    2003.6/22-6/27 場所：オシロマ (USA)
  17. Tunneling Current Through the Surface Layer Formed on The Nb-doped SrTiO3 Single Crystal
    L. Q. Han, P. P. Chen, C. J. Zhong, T. Higuchi, A. Kaimai, K. Yashiro, Y. Nigara, T. Kawada, and J. Mizusaki
    SSI-14
    2003.6/22-6/27 場所：オシロマ (USA)
  18. Structural Properties of Zr-doped Bi4Ti3O12 Ceramic and Single Crystal
    Y. Moriuchi, T. Higuchi and T. Tsukamoto
    11th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics
    2003.9/9-12, 場所：札幌
  19. Effect of Buffer Layer of Undoped Bi4Ti3O12 Thin Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    Y. Hachisu, T. Higuchi, M. Nakamura and T. Tsukamoto
    IUMRS-ICAM2003
    2003.10/8-14, 場所：横浜
  20. Ferroelectricity and Electronic Structure of Sm-Doped SrBi2Ta2O9 Ceramics
    S. Watanabe, T. Higuchi, N. Ohtake and T. Tsukamoto
    IUMRS-ICAM2003
    2003.10/8-14, 場所：横浜
  21. Ferroelectricity of C-Axis Oriented Ba2NaNb5O15 on La-doped SrTiO3 Prepared by Pulsed Laser Deposition
    M. Sogawa, T. Higuchi, T. Kamei and T. Tsukamoto
    IUMRS-ICAM2003
    2003.10/8-14, 場所：横浜
  22. Orientation control of Bi4Ti3O12-SrBi2Ta2O9 Superlattice Thin Film by Pulsed Laser Deposition
    N. Machida, T. Higuchi, K. Ohnuki and T. Tsukamoto
    UMRS-ICAM2003
    2003.10/8-14, 場所：横浜
  23. Orientation Control of Bi4Ti3O12 Thin Film by Two-Dimensional RF Magnetron Sputtering
    M. Iwasa, T. Higuchi, K. Kudoh and T. Tsukamoto
    IUMRS-ICAM2003
    2003.10/8-14, 場所：横浜
  24. 内殻共鳴光電子分光によるLa-doped SrTiO3の電子構造
    馬場大輔, 樋口透, 福島昭子, 辛埴, 塚本桓世
    応用物理学会
    2003.8/30-9/2, 場所：福岡大学
  25. FZ法により作製されたZr-doped Bi4Ti3O12単結晶のドメイン構造
    森内祥行, 樋口透, 塚本桓世
    応用物理学会
    2003.8/30-9/2, 場所：福岡大学
  26. Sr1-xBi2+xTa2O9薄膜の表面・界面の構造的性質
    町田直昭, 樋口透, 塚本桓世
    応用物理学会
    2003.8/30-9/2, 場所：福岡大学
  27. 酸化チタンアナターゼ薄膜上に形成されたBi4Ti3O12薄膜の構造的・電気的特性
    中村誠, 蜂巣祐二, 樋口透, 塚本桓世
    応用物理学会
    2003.8/30-9/2, 場所：福岡大学
  28. 塗布熱分解法によるPLZT薄膜の電気的・光学的特性
    横井泰弘、大竹信昌、樋口透、塚本桓世
    応用物理学会
    2003.8/30-9/2, 場所：福岡大学
  29. 2元RFマグネトロンスパッタ法により作製されたBi4Ti3O12薄膜のラジカル照射効果
    岩佐麻弓、工藤和秀、妹尾賢、樋口透、塚本桓世
    応用物理学会
    2003.8/30-9/2, 場所：福岡大学
  30. 布熱分解法により作製された(Sr,Ba)Nb2O6薄膜の構造・電気特性
    大竹信昌、樋口透、塚本桓世
    応用物理学会
    2003.8/30-9/2, 場所：福岡大学
  31. Sm-doped SrBi2Ta2O9セラミックスの構造・電気特性
    渡辺茂高、樋口透、塚本桓世
    応用物理学会
    2003.8/30-9/2, 場所：福岡大学
  32. Ba2-xSrxNaNb5O15セラミックス・薄膜の作製と構造的評価
    亀井隆之、樋口透、塚本桓世
    応用物理学会
    2003.8/30-9/2, 場所：福岡大学
  33. c軸配向したBa2NaNb5O15/La0.05Sr0.95TiO3薄膜の強誘電性の観測
    十河実、亀井隆之、樋口透、塚本桓世
    応用物理学会
    2003.8/30-9/2, 場所：福岡大学
  34. MOCVD法により作製されたBi4Ti3O12/Pt/Ti/SiO2/Si薄膜へのBi2O3-?-buffer層の影響
    蜂巣祐司、樋口透、塚本桓世
    応用物理学会
    2003.8/30-9/2, 場所：福岡大学
  35. バルク敏感軟X線分光によるプロトン導電体SrCeO3のO-H結合の観測
    樋口透、塚本桓世、山口周、佐多教子、辛埴
    第26回　固体イオニクス討論会
    2003. 11/26～28、ホテル松島大観荘（宮城）
  36. 遷移金属をドープしたペロブスカイト型酸化物のプロトン－電子混合導電性
    松本広重，佐々木祐介，八代圭司，開米篤，川田達也，水崎純一郎，田中洋臣，
    志村哲生，樋口透，片平幸司
    第26回　固体イオニクス討論会
    2003. 11/26～28、ホテル松島大観荘（宮城）
  37. 軟X線分光によるBaCe0.9-xY0.10MxO3（M=Ru, Co, Mn, Fe）のバンド構造
    樋口透, 塚本桓世, 松本広重，志村哲生, 八代圭司，川田達也，水崎純一郎
    第26回　固体イオニクス討論会
    2003. 11/26～28、ホテル松島大観荘（宮城）
  38. Electronic Structure for the Metal-Insulator Transition in La1-xSrxTiO3 Probed by Resonant Soft-X-Ray
    Emission Spectroscopy
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, Y. Taguchi, Y. Tokura and S. Shin
    International Symposium on Synchrotron Radiation Research for Spin and Electronic States in d and f electron
    Systems (SRSES2003)
    2003. 11/16-18, 広島大学
  39. デラフォサイト型酸化物(Pd,Pt)CoO2の共鳴光電子分光
    樋口透、塚本桓世、長谷川正、武居文彦、辛埴
    第17回　日本放射光学会
    2004. 1/10, つくば国際会議場
  40. 軟X線分光によるY-doped SrCeO3の電子構造
    樋口透、塚本桓世、佐多教子、山口周、辛埴
    第17回　日本放射光学会
    2004. 1/10, つくば国際会議場
  41. La1-xSrxTiO3の絶縁体-金属転移近傍における共鳴軟X線発光分光
    樋口透、馬場大輔、塚本桓世、田口康二郎、十倉好紀、A. Chainani、辛埴
    第17回　日本放射光学会
    2004. 1/10, つくば国際会議場
  42. 軟X線吸収分光によるイオンビーム照射されたコラーゲン膜の界面の電子構造
    樋口透、横山敬郎、塚本桓世、小林知洋、岩木正哉、辛埴
    第17回　日本放射光学会
    2004. 1/9, つくば国際会議場

2002年度

  1. 共鳴逆光電子分光によるドープしたSrTiO3の非占有電子状態
    樋口透, 野澤俊介, 塚本桓世, 石井啓文, 手塚泰久, 金井要, 辛埴
    日本物理学会
    2002年3月25日 場所：立命館大学（滋賀）
  2. 軟X線発光分光によるBi4Ti3O12単結晶・薄膜の電子構造
    樋口透, 工藤和秀, 竹内智之, 増田陽一郎, 辛埴, 塚本桓世
    応用物理学会
    2002年3月29日 場所：東海大学
  3. レーザーアブレーション法によるBa2NaNb5O15薄膜の作製と電気的評価
    大貫健司, 高安雅美, 十河実, 樋口透, 塚本桓世
    応用物理学会
    2002年3月29日 場所：東海大学
  4. 軟X線吸収・発光分光によるc軸配向したBa2NaNb5O15薄膜の電子構造
    樋口透, 大貫健司, 高安雅美, 竹内智之, 辛埴, 塚本桓世
    応用物理学会
    2002年3月28日 場所：東海大学
  5. Electronic Structures of Bi4Ti3O12 Thin Film and single crystal by Resonant Soft-X-Ray Emission Spectroscopy
    T. Higuchi, K. Kudoh, T. Takeuchi, Y. Masuda, S. Shin and T. Tsukamoto
    IFFF2002
    2002年5月30日 場所：奈良
  6. Low-Temperature Preparation of Ferrolectric Ba2NaNb5O15 Thin Films by Pulsed Laser Deposition
    K. Ohnuki, M. Takayasu, T. Higuchi and T. Tsukamoto
    IFFF2002
    2002年5月30日 場所：奈良
  7. Effect of Heat Treatment on Electric Properties of Bi4Ti3O12 Thin Films by Two- Dimension RF Magnetron Sputtering
    K. Kudoh, T. Higuchi, M. Tanaka and T. Tsukamoto
    IFFF2002
    2002年5月30日 場所：奈良
  8. Electron correlation energy in the bulk state of La1-xSrxTiO3 by soft-X-ray Raman scattering
    T. Higuchi, T. Takeuchi, T. Tsukamoto, Y. Harada, Y. Taguchi, Y. Tokura and S. Shin
    SCES-2002
    2002年7月10～13日 場所：ポーランド
  9. Resonant inverse photoemission study on LaxSr1-xTiO3
    T. Higuchi, S. Nozawa, T. Tsukamoto, H. Ishii, Y. Tezuka, K. Kanai and S. Shin
    SCES-2002
    2002年7月10～13日 場所：ポーランド
  10. Electronic structure in the bulk state of protonic conductor CaZrO3 by soft-X-ray emission spectroscopy
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, S. Yamaguchi and S. Shin
    SSPC-11
    2002.8/27 場所：イギリス
  11. Hydroxyl Capacity, Basicity and Electronic Band Structure of Acceptor-Doped Oxides
    S. Yamaguchi, T. Higuchi, T. Tsukamoto and S. Shin
    SSPC-11
    2002.8/28 場所：イギリス
  12. LaTiO3の表面とバルクの電子状態　
    樋口透, 竹内智之, 塚本桓世, 原田慈久, 金井要, 田口康二郎, 十倉好紀, 辛埴
    物理学会
    2002.9/6-9 場所：中部大学
  13. 共鳴光電子分光によるBaTiO3の強誘電相転移における電子状態
    樋口透、塚本桓世、山口周、岡邦彦、辛埴
    応用物理学会
    2002.9/26 場所：新潟大学
  14. 共鳴光電子分光によるLa-doped SrTiO3のTi-O混成効果
    樋口透、塚本桓世、山口周、手塚泰久、辛埴
    応用物理学会
    2002.9/26 場所：新潟大学
  15. MOCVD法によるBi4Ti3O12薄膜の低温成膜と合計流量依存性
    中村誠、樋口透、塚本桓世
    応用物理学会
    2002.9/27 場所：新潟大学
  16. レーザーアブレーション法によるBa2NaNb5O15/SrTi0.99Nb0.01O3薄膜の作製と評価
    十河実、樋口透、塚本桓世
    応用物理学会
    2002.9/25 場所：新潟大学
  17. 2元RFマグネトロンスパッタ用ターゲットの厚さ変化に伴うBi4Ti3O12薄膜の強誘電特性
    岩佐麻弓、工藤和秀、樋口透、塚本桓世
    応用物理学会
    2002.9/27 場所：新潟大学
  18. Pt/Ti/SiO2/Si基板上に成膜したBa2NaNb5O15薄膜のTi接着層の影響
    後藤圭亮、十河実、高安雅美、樋口透、塚本桓世
    応用物理学会
    2002.9/25 場所：新潟大学
  19. Zrを置換したBi4Ti3O12の強誘電特性
    森内祥行、大竹信昌、樋口透、塚本桓世
    応用物理学会
    2002.9/27 場所：新潟大学
  20. Sr0.9Bi0.1Ta2O9の熱処理に伴う強誘電性の変化
    大竹信昌、世取山翼、樋口透、塚本桓世
    応用物理学会
    2002.9/27 場所：新潟大学
  21. In-doped CaZrO3の共鳴軟Ｘ線発光分光
    樋口透、竹内智之、塚本桓世、小林清、山口周、辛埴
    放射光学会
    2003.1/9-11 場所：姫路
  22. 軟X線発光分光によるBi4Ti3O12薄膜と単結晶の電子構造
    樋口透、工藤和秀、竹内智之、塚本桓世、原田慈久、辛埴
    放射光学会
    2003.1/9-11 場所：姫路
  23. ZrF4薄膜の共鳴光電子分光
    樋口透、塚本桓世、手塚泰久、辛埴
    放射光学会
    2003.1/9-11 場所：姫路
  24. Lightly-doped SrTiO3の共鳴逆光電子分光
    樋口透、野澤俊介、塚本桓世、手塚泰久、江口律子、金井要、辛埴
    放射光学会
    2003.1/9-11 場所：姫路

2001年度

  1. スパッタ法によるBi4Ti3O12薄膜の作製と電気的評価
    工藤和秀, 田中正志, 樋口透, 塚本桓世　(東理大)
    応用物理学会
    2001.3/27-31 場所: 明治大学
  2. レーザーアブレーション法によるBa2NaNb5O15薄膜の酸素圧依存性
    高安雅美, 大貫健司, 浜村宏, 樋口透, 塚本桓世　(東理大)
    応用物理学会
    2001.3/27-31 場所: 明治大学
  3. 高分解能軟X線吸収分光によるp-type SrTiO3の直接的証拠
    樋口透, 塚本桓世, 佐多教子, 平本清久, 石亀希男, 小林清, 山口周, 辛埴
    日本物理学会
    2001.3/28, 場所: 中央大学
  4. デラフォサイト型遷移金属酸化物の物性及び電子構造
    長谷川正，樋口透，B田中正幸，武居文彦
    日本物理学会
    2001.3/28, 場所: 中央大学
  5. デラフォサイト型電気伝導性酸化物 PdCoO2 の物性と電子構造 (基調講演)
    長谷川正, 樋口透,A 田中正幸,B 塚本桓世,A 辛埴, 武居文彦C
    日本金属学会2001年春期（第128回）大会-S1 擬ギャップ系の構造と電子物性-
    2001.3/29, 場所: 千葉工業大学
  6. 軟X線発光分光によるBi4Ti3O12薄膜の電子状態
    樋口透, 田中正志, 工藤和秀, 竹内智之, 原田慈久a, 辛埴a, 塚本桓世
    強誘電体応用会議
    2001.5/29-6/2　場所: コープイン京都
  7. Electronic structure of Protonic conductors SrTiO3, SrZrO3, and SrCeO3 by X-ray absorption spectroscopy
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, N. Sata, M. Ishigame, K. Kobayashi, S. Yamaguchi and S. Shin
    SSI-2001
    2001.7/9-7/14 場所: ケアンズコンベンショナルセンター
  8. RFマグネトロンスパッタ法によるBi4Ti3O12薄膜の作製と電気的評価
    工藤和秀, 田中正志, 樋口透, 塚本桓世
    応用物理学会
    日時：2001.9/12 場所：愛知工業大学
  9. レーザーアブレーション法によるBa2NaNb5O15薄膜の作製と構造的評価
    大貫健司, 高安雅美, 樋口透, 塚本桓世
    学会名：応用物理学会
    2001.9/14 場所：愛知工業大学
  10. 軟X線発光分光によるLaxSr1-xTiO3の電子相関
    樋口透, 竹内智之, 塚本桓世, 原田慈久, 渡邊正満, 田口康二郎, 十倉好紀, 辛埴
    日本物理学会
    2001.9/19 場所：徳島文理大学
  11. Nd0.9Sr0.1FeO3-?の熱電特性
    小林清，樋口透，辛埴，塚本桓世，角田達朗，今井庸二
    日本金属学会秋期（第127回）大会
    2000年10月1日～3日 場所：名古屋大学
  12. 軟X線吸収・発光分光によるプロトン導電体CaZrO3の電子構造
    樋口透, 塚本桓世, 小林清, 山口周, 辛埴
    固体イオニクス討論会
    2001.11/11-14 場所：東京工業大学
  13. Growth of Bi4Ti3O12 Thin Film by RF Magnetron Sputtering Method Using TiO2 and Bi2O3 Targets
    K. Kudoh, T. Higuchi, M. Tanaka and T. Tsukamoto
    FeRAM -2001(国際会議)
    2001.11/19-21場所：御殿場
  14. 高分解能軟X線吸収分光によるp-type SrTiO3の直接的証拠
    樋口透, 塚本桓世, 佐多教子, 平本清久, 石亀希男, 小林清, 山口周, 辛埴
    放射光学会
    2002年1月9日場所：東京大学
  15. LaxSr1-xTiO3の軟X線ラマン散乱
    樋口透, 竹内智之, 塚本桓世, 原田慈久, 渡邊正満, 田口康二郎, 十倉好紀, 辛埴
    放射光学会
    2002年1月9日場所：東京大学
  16. ?-FeSi2の電子構造
    掛本博文, 牧田雄之助, 樋口透, 塚本桓世, 辛埴
    放射光学会
    2002年1月9日場所：東京大学
  17. Acceptor level of p-type SrTiO3 from high-resolution X-ray absorption spectroscopy
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, N. Sata, K. Hiramoto, M. Ishigame, Y. Ishiwata, K. Kobayashi, S. Yamaguchi and S. Shin
    SRMS-3 (国際会議)
    2002年1月24日　場所：シンガポール
  18. Evidence of Impurity-state of n-type SrTiO3 by high-resolution X-ray absorption spectroscopy
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, Y. Ishiwata, K. Kobayashi, S. Yamaguchi and S. Shin
    SRMS-3 (国際会議)
    2002年1月24日　場所：シンガポール
  19. Electronic structure of ?-FeSi2
    H. Kakemoto, Y. Makita, T. Higuchi, T. Tsukamoto, and S. Shin
    SRMS-3 (国際会議)
    2002年1月24日　場所：シンガポール

2000年度

  1. プロトン導電性酸化物のプロトン欠陥と電子構造
    山口周, 樋口透, 辛埴
    イオン伝導性固体のイオン輸送物性討論会 (イオン伝導性固体のイオン輸送)
    2000.4-25-26, 場所: 岡山大学
  2. Preparation of SrBi2Ta2O9 Thin Films by MOCVD and Their Characterizations
    T. Higuchi and T. Tsukamoto
    Applications of Ferroelectrics (ISAF-2000)
    2000.7/31 場所: Hawaii (USA)
  3. Electronic structure of InO1.5-doped CaZrO3 by X-ray absorption spectroscopy
    T. Higuchi, S. Yamaguchi, K. Kobayashi, T. Tsukamoto, and S. Shin
    10th International Conference on Solid State Protonic Conductors (SSPC10)
    2000.9/24-28, 場所: Montpellier (France)
  4. Nd0.9Sr0.1FeO3-?の熱電特性と電子構造
    小林清, 樋口透, 辛埴, 塚本桓世, 角田達朗, 今井庸二
    応用物理学会
    2000.9/4-7, 場所: 北海道工業大学
  5. Nd0.9Sr0.1FeO3-?の高温電気輸送特性と電子構造
    小林清, 樋口透,1辛埴,2塚本桓世,1角田達朗, 今井庸二
    電気化学会
    2000.9/12-13, 場所: 千葉工業大学
  6. スパッタ法によるBi4Ti3O12薄膜のRFパワー及び酸素圧依存性
    田中正志, 工藤和秀, 早川裕隆, 安藤静敏, 樋口透, 塚本桓世 (東理大)
    固体イオニクス討論会
    2000.11/17-19, 場所: 徳島大学
  7. X線吸収分光法によるプロトン導電体SrCeO3のバンドギャップ内の電子構造
    樋口透, 塚本桓世, 佐多教子, 福島昭子, 横谷尚睦, 辛埴
    固体イオニクス討論会
    2000.11/17-19, 場所: 徳島大学
  8. LaxSr1-xTiO3の軟X線発光
    樋口透, 塚本桓世, M.M.Grush, T.A.Callcott, R.C.Perera, D.L.Ederer,　原田慈久, 手塚泰久, 田口康二郎, 十倉好紀, 辛埴
    放射光学会
    2000.9/12-14 場所: 広島大学
  9. La,Nb-doped SrTiO3の高分解能軟X線吸収
    樋口透, 塚本桓世, 小林清, 石渡洋一, 藤沢正美, 横谷尚睦,山口周, 辛埴
    放射光学会
    2000.9/12-14 場所: 広島大学
  10. LaMn2Ge2とSmMn2Ge2の電子構造
    A.Chainani, 伊藤寛之, 組頭広志, 高橋隆, 横谷尚睦, 樋口透, 竹内智之,　辛埴, R.Mallik, E.V.Sampathkumaran
    日本物理学会
    2000.9/22　場所: 新潟大学
  11. 高分解能X線吸収分光によるp型-SrTiO3の直接的証拠
    樋口透, 塚本桓世, 山口周A, 石渡洋一B, 平本清久,C 佐多教子, C 石亀希男, C 辛埴B,D
    日本物理学会
    3月28日　場所:　中央大学 (東京)
  12. ドープしたSrTiO3の軟Ｘ線分光
    樋口透, 塚本桓世 (東理大)
    東京大学物性研究所・研究会シリーズ
    「高輝度光源計画の現状と放射光利用研究の展望」
    2000.12/29　場所:　東京大学物性研究所(柏)

1999年度

  1. Soft x-ray emission study on LaXSr1-XTiO3
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, M. Watanabe, M. M. Grush, T. A.Callcott, R. C. Perera, D. L. Ederer, Y. Tokura, Y. Harada, Y. Tezuka and S. Shin
    SCES-9 [1999.8/24 (Nagano)]
  2. 材料科学における軟X線分光実験
    樋口透, 塚本桓世, 辛埴
    電気化学会: 固体化学の新しい指針を探る研究会 [1999.10.4 (東工大)]
  3. Doping dependence of the electronic structure of carrier-doped SrTiO3 studied by soft-x-ray spectroscopy
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, S. Yamaguchi and S. Shin
    The 2nd “petite” workshop on defect ?chemical nature of advanced materials [1999.11.5 (東北大)]
  4. Basicity and hydroxyl capacity of complex oxides
    S. Yamaguchi, T. Higuchi, S. Shin, and Y. Iguchi
    The 2nd “petite” workshop on defect ?chemical nature of advanced materials [1999.11.5 (東北大)]
  5. Enthalpy change of oxygen vacancy formation for TiO2-doped YSZ
    K. Kobayashi, S. Yamaguchi, T. Higuchi, S. Shin, and Y. Iguchi
    The 2nd “petite” workshop on defect ?chemical nature of advanced materials [1999.11.5 (東北大)]
  6. NaxZrNClの電子状態: 光電子及び軟X線吸収分光　　
    横谷尚睦, 樋口透, 木須孝幸, 福島昭子, 藤沢正美, 辛埴, 高橋隆, 飯沢慶吾, 社本真一, 梶谷剛
    日本物理学会　[1999.9/27 (岩手大)]
  7. High resolution X-ray absorption study on protonic conductor SrTiO3
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, K. Kobayashi, N. Sata, M. Ishigame, S. Yamaguchi, M. Fujisawa and S. Shin
    SSI-12, [1999.6/6 (Greece)]
  8. Interface Core Excitons in GaAs/AlAs/GaAs Heterostructure
    Y.Ishiwata, M.Fujisawa, A. Fukushima, .Shin, T. Higuchi, C. Wu, K. Inoue, and H. Nakashima
    X99 [1999.8/23 (Sanflansisco)]
  9. Basicity and hydroxyl capacity of proton conducting perovskites S. Yamaguchi, K. Kobayashi, T. Higuchi, S. Shin and Y. Iguchi
    SSI-12, [1999.6/6 (Greece)]
  10. Electronic transport properties and electronic structure of TiO2 doped YSZ
    K. Kobayashi, S. Yamaguchi, T. Higuchi, S. Shin, and Y. Iguchi
    SSI-12, [1999.6/6 (Greece)]
  11. Electronic transport properties and electronic structure of InO1.5-doped CaZrO3
    S. Yamaguchi, K. Kobayashi, T. Higuchi, S. Shin and Y. Iguchi
    SSI-12, [1999.6/6 (Greece)]
  12. BaTiO3の強誘電性相転移における共有結合性
    樋口透, 塚本桓世, 岡邦彦, 手塚泰久,辛埴
    強誘電体応用会議 [1999. 5/28 (コープイン京都)]
  13. GaAs/AlAs/GaAsヘテロ構造Al-2P内殻の反射スペクトル
    石渡洋一, 樋口透, 藤沢正美, 辛埴, 井上恒一
    日本物理学会 [1999.3/30 (広島大学)]
  14. LaXSr1-XTiO3の軟X線発光
    樋口透, 塚本桓世, 渡邊正満, M. M. Grush, T. A. Callcott, R. C. Perera, D. L. Ederer, 原田慈久, 手塚泰久, 十倉好紀, 辛埴
    日本物理学会 [1999.3/30 (広島大学)]
  15. La及びNbをドープしたSrTiO3のDonor-state
    樋口透, 塚本桓世, 山口周, 石渡洋一, 横谷尚睦, 藤沢正美, 辛埴
    日本物理学会 [1999.3/30 (広島大学)]

1998年度

  1. 河合潤, 佐井誠, 樋口透, 原田慈久, 辛埴, 合志陽一
    日本放射光学会 [1999.1/8　(高エ研)]
  2. キャリアーをドープしたSrTiO3の電子状態
    樋口透, 塚本桓世, 辛埴
    関東誘電体研究会 [1998.12/5 (東京理科大学)]
  3. プロトン導電体SrTiO3のO1s吸収分光
    樋口透, 塚本桓世, 佐多教子, 石亀 希男, 山口周, 藤沢正美, 辛埴
    固体イオニクス学会 [1998.10/17 (仙台)]
  4. プロトン導電体CaZrO3の電気輸送特性と欠陥構造
    山口周, 小林清, 高木真信, 樋口透, 辛埴, 井口義章
    固体イオニクス学会 [1998.10/17 (仙台)]
  5. TiO2をドープしたYSZの電子伝導特性と電子構造
    小林清, 山口周, 樋口透, 辛埴, 井口義章
    固体イオニクス学会 [1998.10/17 (仙台)]
  6. p型-SrTiO3のO1s吸収分光
    樋口透, 塚本桓世, 佐多教子, 石亀希男, 山口周, 藤沢正美, 辛埴
    日本物理学会 [1998.9/26 (沖縄国際大学)]
  7. (Laz,Nd1-z)0.46Sr0.54MnO3の電子構造
    竹内恒博, 曽田一雄, 竹市信彦, 加藤政彦, 柳田洋平, 野村哲也, 水谷宇一郎, 守友浩, J. C. Campuzano, H. Ding, A. Kaminsky, J. Mesot, H. Fretwell, 佐藤宇史, 組頭広志, 高橋隆, 辛埴, 樋口透
    日本物理学会 [1998.9/26 (沖縄国際大学)]
  8. O1s Absorption Study on Hole-doped SrTiO3
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, M. Fujisawa, S. Shin
    SRMS-2 [1998. 10/31 (Kobe)]
  9. GaAs/AlAs/GaAsヘテロ構造のAl2p内殻の吸収と発光スペクトル
    石渡洋一, 樋口透, 藤沢正美, 辛埴, 沈炳魯, 井上恒一
    日本物理学会 [1998.9/26 (沖縄国際大学)]
  10. O1s-Absorption, Photoemission, and Soft X-ray Emission Studies on n- and p-type SrTiO3
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, N. Sata, M. Ishigame, M. Fujisawa and S. Shin
    VUV-12 [1998. 8/3 (サンフランシスコ)]
  11. n型及びp型-SrTiO3の光電子分光Ⅱ
    樋口透, 塚本桓世, 佐多教子, 石亀希男, 藤沢正美, 辛埴
    日本物理学会 [1998.3/31 (日大・東邦大)]

1997年度

  1. p型-SrTiO3のサテライト構造
    樋口透, 塚本桓世, 佐多教子, 石亀希男, 石渡洋一, 手塚泰久, 辛埴
    日本放射光学会 [1998.1/10 (姫路工業大学)]
  2. Photoemission study on PdCoO2
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, M. Tanaka, Y. Tezuka, S. Shin and H. Takei
    FSRS’97 [1997.10/28 (東大)]
  3. Fe-Si系化合物の作製と評価 (Ⅲ)
    掛本博文, 樋口透, 桜木史朗, 牧田雄之助, 小原明, 小林直人, 辛埴, 末益崇, 長谷川文夫, 塚本桓世
    日本物理学会 [1997.10/5 (神戸大)]
  4. BaTiO3の強誘電相転移における共有結合性の変化
    樋口透, 塚本桓世, 岡邦彦, 手塚泰久,辛埴
    日本物理学会 [1997.10/5 (神戸大)]
  5. Photoemission Study on Protonic Conductor p-type SrTiO
    T. Higuchi, T. Tsukamoto, N. Sata, M. Ishigame, Y. Tezuka and S. Shin
    IUMRS-ICA-97 [1997. 9/17 (Chiba)]
  6. 光電子分光によるp型-SrTiO3のドープ量依存性
    樋口透, 塚本桓世, 佐多教子, 石亀希男, 手塚泰久, 辛埴
    日本物理学会 [1997.3/31 (名城大学)]
  7. Fe-Si系化合物の作製と評価 (Ⅱ)
    掛本博文, 樋口透, 桜木史朗, 牧田雄之助, 小原明, 小林直人, 辛埴, 岡村総一郎, 塚本桓世
    日本物理学会 [1997.3/31 (名城大学)]
  8. 金属伝導性酸化物PdCoO2の単結晶育成及び物性測定とその伝導性の起源
    田中正幸, 野原実, 樋口透, 高木英典, 辛埴, 長谷川正, 武居文彦
    日本物理学会 [1997.3/31 (名城大学)]

1996年度

  1. PdCoO2の光電子分光Ⅱ
    樋口透, 塚本桓世, 田中正幸, 金井要, 手塚泰久, 藤沢正美, 辛埴, 武居文彦
    日本放射光学会 [1997.1/11 (東京大学)]
  2. p型-SrTiO3の光電子分光Ⅱ
    樋口透, 塚本桓世, 佐多教子, 石亀希男, 手塚泰久, 辛埴
    日本放射光学会 [1997.1/11 (東京大学)]
  3. PdCoO2の光電子分光
    樋口透, 塚本桓世, 田中正幸, 金井要, 手塚泰久, 藤沢正美, 辛埴, 武居文彦
    日本物理学会 [1996.10/4 (山口大学)]
  4. p型-SrTiO3の共鳴光電子分光
    樋口透, 塚本桓世, 佐多教子, 石亀希男, 手塚泰久, 辛埴
    日本物理学会 [1996.10/4 (山口大学)]
  5. Fe-Si系化合物の作製と評価
    掛本博文, 樋口透, 桜木史朗, 牧田雄之助, 小原明, 小林直人, 辛埴, 岡村総一郎, 塚本桓世
    日本物理学会 [1996.10/4 (山口大学)]
  6. p型-SrTiO3の光電子分光
    樋口透, 塚本桓世, 佐多教子, 石亀希男, 手塚泰久, 辛埴
    日本物理学会 [1996.4/2 (金沢大学)]
  7. (V1-XCrX)2O3の高分解能光電子分光
    高橋正慎, 須田良幸, 辛埴, 手塚泰久, 樋口透
    日本物理学会 [1996.9/25 (大阪大)]